• ВХОД
  •  

    Полное описание

    Пономарев, И. В. Структуры для детекторов ионизирующих излучений на основе эпитаксиального арсенида галлия : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / И. В. Пономарев. - 2011. - 18 с. : ил. - Библиогр.: с. 18 (4 назв.). - Текст : непосредственный.

    ГРНТИ УДК
    29.15.39539.1.074.5(043)

    Кл.слова (ненормированные): ГАЗОФАЗОВАЯ ЭПИТАКСИЯ -- МАТЕРИАЛЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДЕТЕКТОРЫ
    Аннотация: Разработка физических основ создания структур для детекторов ионизирующих излучений с воспроизводимыми параметрами на основе слоев GaAs, выращенных методом газовой эпитаксии.
    Держатели документа:
    Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар11-21722)

    Шифр в сводном ЭК: 52022b79628d1addf1228e38cc5cab22



    Заказ фрагмента документа ₽