• ВХОД

    •  

    Полное описание

    Куэй, Р. Электроника на основе нитрида галлия / Р. Куэй; пер. с англ. Ю. А. Концевого, Е. А. Митрофанова; под ред. А. Г. Васильева. - М. : Техносфера, 2011. - 587 с. : ил. - (Мир радиоэлектроники). - Библиогр. в конце глав, с. 561-577 (159 назв.). Предм. указ.: с. 578-587. - Пер. изд. : Gallium nitride electronics / R. Quay. - S.l., 2008. - 1000 экз. - ISBN 978-5-94836-296-0. - Текст : непосредственный.
    Содержание:
    Введение : Глава 1. - С. 26
    III-N-материалы и современное состояние развития технологии изготовления приборов и схем : Глава 2. - С. 28
    Эпитаксиальные процессы для создания электронных приборов на основе III-N-материалов : Глава 3. - С. 163
    Технологические процессы при изготовлении приборов : Глава 4. - С. 232
    Характеристики приборов и моделирование : Глава 5. - С. 319
    Рассмотрение схем и примеры III-N-устройств : Глава 6. - С. 415
    Проблемы надежности и работа при высокой температуре : Глава 7. - С. 475
    Интеграция, регулирование температуры и монтаж : Глава 8. - С. 515
    Перспективы на будущее : Глава 9. - С. 558
    ГРНТИ УДК
    47.09.29621.396.6-03
    621.37/.39

    Рубрики:
    Галлий, нитриды
    Радиоэлектроника

    Аннотация: Представленный в книге аналитический обзор охватывает свыше 1750 работ, посвященных III-N полупроводникам, которые применяются для создания транзисторов и радиоэлектронных устройств большой мощности, работающих в СВЧ диапазоне частот. Рассмотрены материалы, приборы, их технология, моделирование, проблемы надежности и применения.
    Доп. точки доступа:
    Quay, R.

    Держатели документа:
    Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ж2-11/52318)

    Шифр в сводном ЭК: 9f4e688db8d78dddb020a8fd62183cb8



    Заказ фрагмента документа ₽