Приложение
для AndroidПолное описание
High field electron transport properties of bulk ZnO / J.D.Albrecht,P.P.Ruden,S.Limpijumnong и др. - Minneapolis(Mn) : [s. n.], 1999. - 16 p. : ill. - (UMSI research report / Univ.of Minnesota ; 99/113). - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.9-10
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.09.29 | 621.38.002.3 |
Рубрики:
Цинк, оксиды
Кл.слова (ненормированные): ЦИНК
Доп. точки доступа:
Albrecht, J.D.
Ruden, P.P.
Limpijumnong, S.
Lambrecht, W.R.L.
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): R/17401/99/113)
Шифр в сводном ЭК: 510ec832f512bbfc7dae4537d2950f84
Albrecht J.D. Hole scattering in p-type wurtzite gallium nitride / J. D. Albrecht, P. P. Ruden, 2001. - 6 p. - Текст : непосредственный.Wu Z. Self-consistent calculation of the electronic structure and inter-wire interaction of split-gate double quantum wires / Z. Wu, R. Yang, P. P. Ruden, 1993. - 5 p. - Текст : непосредственный.Li T. Channel formation in organic field-effect transistors / T. Li, J. W. Balk, P. P. Ruden, 2002. - 4312-4318 p. p. - Текст : непосредственный.
Sutandi A. Electronic structure of dynamically two-dimensional hole gas in A1GaN/GaN hetrostructures / A.Sutandi,P.P.Ruden,K.F.Brennan, 2001. - 15 p. - Текст : непосредственный.Dielectric properties of wurtzite and zincblende structure gallium nitride / R.Wang,P.P.Ruden,J.Kolnik и др., 1996. - 13 p. - Текст : непосредственный.Monte Carlo calculation of electron transport properties of bulk AIN / J.D.Albrecht,R.P.Wang,P.P.Ruden и др., 1997. - 10 p. - Текст : непосредственный.Yang R. Electronic structure of wire gate quantum wire / R.Yang,P.P.Ruden, 1995. - 10 p. - Текст : непосредственный.Wang R. Electron-electron interaction induced instability in double quantum wire structures / R.Wang,P.P.Ruden, 1995. - 16 p. - Текст : непосредственный.Yang R. Independent control of electron density and spatial electron distribution of wire gate quantum wire / R.Yang,P.P.Ruden, 1995. - Var.pag. - Текст : непосредственный.Sutandi A. Electronic structure of dynamically two-dimensional hole gas in AlGaN/GaN heterostructures / A.Sutandi,P.P.Ruden,K.F.Brennan, 2002. - 3435-3443 p. p. - Текст : непосредственный.Monte Carlo calculation of high- and low-field Alx Ga1-xN electron transport characteristics / J.D.Albrecht,R.Wang,P.P.Ruden и др., 1998. - 6 p. - Текст : непосредственный.High field electron transport properties of bulk ZnO / J.D.Albrecht,P.P.Ruden,S.Limpijumnong и др., 1999. - 16 p. - Текст : непосредственный.Monte Carlo simulation of Hall effect in n-type GaN / J.D.Albrecht,P.P.Ruden,E.Bellotti,K.F.Brennan, 1998. - 6 p. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Charnes J.M. Detecting bribery in Jai Alai with control charts / J. M. Charnes, H. S. Gitlow, 1993. - 11 p. - Текст : непосредственный.Podladchikov Y.Y. The role of lithospheric phase transitions for sedimentary basin formation / Y. Y. Podladchikov, A. N.B. Poliakov, D. A. Yuen, 1993. - 13 p. - Текст : непосредственный.Martinez-Herrera J.I. Viscous sintering of spherical particles via finite element analysis / J. I. Martinez-Herrera, J. J. Derby, 1993. - 13 p. - Текст : непосредственный.three-dimensional computation of the force and moment on an ellipsoid settling slowly through a viscoelastic fluid / J. Feng, D. D. Joseph, R. Glowinski, T. W. Pan, 1993. - 25 p. - Текст : непосредственный.Binggeli N. Simulating the amorphization of a-quartz under pressure / N. Binggeli, J. R. Chelikowsky, R. M. Wentzcovitch, 1993. - 12 p. - Текст : непосредственный.crystal structure of the liver fatty acid biding protein.A complex with two bound oleates / J. Thompson, N. Winter, D. Terwey, J. Bratt, 1996. - 41 p. - Текст : непосредственный. Cramer C.J. Development and biological applications of quantum mechanical continuum solvation models / C. J. Cramer, D. G. Truhlar, 1994. - 46 p. - Текст : непосредственный.Cramer C.J. Problems and questions in the molecular modeling of biomolecules / C. J. Cramer, 1994. - 8 p. - Текст : непосредственный.Lyrintzis A.S. The use of a rotating Kirchhoff formulation for High-Speed Impulsive noise / A. S. Lyrintzis, Y. Xue, M. S. Kilaras, 1994. - 10 p. - Текст : непосредственный.Khankari K.K. Applicationof a numerical model for prediction in moisture migration in stored grain / K. K. Khankari, R. V. Morey, S. V. Patankar, 1993. - 19 p. - Текст : непосредственный.Sargent A.L. Electron delocalization in helical bis-quinone anion radicals / A. L. Sargent, J. Almlof, C. A. Liberko, 1994. - 19 p. - Текст : непосредственный.Kannel M.J. Finite element analysis of riveted connections : сборник научных трудов / M. J. Kannel, 1994. - 282 p. - Текст : непосредственный.Formation of the radical anion of cubene and determination of formation, heat of hydrogenation, and olefin strain energy of cubene / P. O. Staneke, S. Ingemann, P. Eaton, M. M. Nico, 1994. - 10 p. - Текст : непосредственный.Roeggen I. An accurate calculation of the three-body potential for the ground state of the helium trimer / I. Roeggen, J. Almlof, 1995. - 41 p. - Текст : непосредственный.3D simulation of flow problems with parallel finite element computations on the Cray T3D / T. Tezduyar, S. Aliabadi, M. Behr, A. Johnson, 1995. - 9 p. - Текст : непосредственный.Keller K.A. three-dimensional simulation of the Kelvin-Helmholtz instability / K. A. Keller, R. L. Lysak, Y. Song, 1999. - 12 p. - Текст : непосредственный.Lee D.-H. MHD waves in a three-dimensional dipolar magnetic field:a search for Pi2 pulsations / D.-H. Lee, R. L. Lysak, 1999. - 17 p. - Текст : непосредственный.Lysak R.L. role of Alfven waves in the formation of Auroral parallel electric fields / R. L. Lysak, Y. Song, 1999. - 19 p. - Текст : непосредственный. Charnes J.M. Vector-autoregressive inference for equally spaced,time-averaged,multiple queue length processes / J. M. Charnes, E. I. Chen, 1994. - 7 p. - Текст : непосредственный.Dai W. Interactions between magnetohydrodynamical discontinuities / W. Dai, P. R. Woodward, 1994. - 26 p. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыПерминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Кажева О.Н. Синтез и строение новых молекулярных проводников на основе катион-радикальных солей с анионами, содержащими ртуть и редкоземельные элементы : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / О. Н. Кажева, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный.Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Егоров А.Ю. Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Ю. Егоров, 2011. - 40 с. - Текст : непосредственный.Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный.Варлачев В.А. Нейтронное трансмутационное легирование кремния в бассейновом исследовательском ядерном реакторе / В. А. Варлачев, 2015. - 48 с. - Текст : непосредственный.Кремний-2004 : материалы временных коллективов / Институт геохимии им. А. П. Виноградова (Иркутск), 2004. - 244 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1506) : Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1970-1988 гг. / К.П.Николаев,Л.И.Немировский, 1989. - 60 с. - Текст : непосредственный.Талипов Н.Х. Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xTe радиационно-термическими воздействиями / Н. Х. Талипов, 2015. - 46 с. - Текст : непосредственный.Новые магнитные материалы микроэлектроники, 2000. - 889 с. - Текст : непосредственный.Столяров С.М. Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А В с заданными свойствами : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. М. Столяров, 1998. - 15 с. - Текст : непосредственный.Воробьев В.В. Нерасходящееся излучение пучков заряженных частиц в присутствии планарных и объемных периодических структур из параллельных проводников / В. В. Воробьев, 2016. - 19 с. - Текст : непосредственный.INFOS 2007 : материалы временных коллективов / Conference on insulating films on semiconductors (15th ; 2007 ; Glyfada Athens), 2007. - XII, 1845-2439 p. - Текст : непосредственный.Усеинов А.С. Измерение модуля упругости высокотемпературных полупроводниковых материалов и других твердых тел методом сканирующей силовой микроскопии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Усеинов, 2004. - 25 с. - Текст : непосредственный.Карасева Т.В. Размерная обработка кремния и оценка технологических погрешностей : выставочные материалы / Т. В. Карасева, 2014. - 126 с. - Текст : непосредственный.Земцов А.Е. Создание новой полупроводниковой системы GaAs-CdS и изучение ее поверхностных физико-химических свойств : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / А. Е. Земцов, 2004. - 19 с. - Текст : непосредственный.Новоселова А.В. Термодинамика и материаловедение полупроводников / А. В. Новоселова, А. В. Новоселова, В. М. Глазов, Н. А. Смирнова ; карт. В. М. Глазов, 1992. - 391 с. - Текст : непосредственный.-V semiconductor materials and devices / Ed. R. J. Malik, 1989. - IX,727 p. p. - Текст : непосредственный. Фарид Нассур ибн Ханна.Влияние технологических примесей на оптические и электрические свойства монокристаллов Si,подвергнутых термообработке : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Фарид Нассур ибн Ханна, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыSpringer series in materials science / ed. R. Hull [et al.]. 104 : Transparent conductive zinc oxide. Basics and applications in thin film solar cells / ed. K. Ellmer [et al.], 2008. - XIII, 443 p. - Текст : непосредственный.High field electron transport properties of bulk ZnO / J.D.Albrecht,P.P.Ruden,S.Limpijumnong и др., 1999. - 16 p. - Текст : непосредственный.Монокристаллы оксида цинка. Получение и оптические свойства в инфракрасной области спектра / Л.Н. Демьянец, Е.Е. Комарова, И.П. Кузьмина и др., 1992. - 40 с. - Текст : непосредственный.
Журнал функциональных материалов : Ежемес. научно-технический журн. - Журнал выходит с 2007г. - Текст : непосредственный.Перспективные материалы для электроники нового поколения : сборник научных трудов / Ред. Ю. М. Таиров, 1993. - 88 с. - Текст : непосредственный.Пасынков В.В. Материалы электронной техники / В. В. Пасынков, В. С. Сорокин, 2001. - 367 с. - Текст : непосредственный.Антонов В.А. Новые материалы для электроники и энергетики на основе соединений двойных и тройных оксидных систем : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук / В. А. Антонов, 1991. - 35 с. - Текст : непосредственный.Wide band gap electronic materials : материалы временных коллективов / Ed. M. A. Prelas, 1995. - XIV,531 p. p. - Текст : непосредственный.Мельник Ю.В. Разработка и исследование оптимальных режимов монокристаллического роста нитрида алюминия : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук / Ю. В. Мельник, 1992. - 15 с. - Текст : непосредственный.Технология производства материалов магнитоэлектроники / Л. М. Летюк, А. М. Балбашов, Д. Г. Крутогин, 1994. - 415 c. - Текст : непосредственный.Материалы и элементы электронной техники и электротехники : сборник / Ред. В. А. Филиков, 1989. - 107,5 с. с. - Текст : непосредственный.Жуков С.С. Электронное строение и энергетический спектр одноэлектронных состояний ионно-ковалентных твердых тел с локальными дефектами : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. С. Жуков, 2004. - 18 c. - Текст : непосредственный.Preferred type range catalogue 1989 : сборник научных трудов, 1989. - Pag.var. - Текст : непосредственный.Murarka S.P. Electronic materials : сборник научных трудов / S. P. Murarka, M. C. Peckerar, 1989. - XV, 622 p. 622 p. - Текст : непосредственный.Материалы нано-, микро- и оптоэлектроники: физические свойства и применение : материалы временных коллективов / Правительство Республики Мордовия, 2005. - 216 с. - Текст : непосредственный.Сергеев В.С. Использование методов термического анализа для разработки высокотемпературных материалов / В. С. Сергеев, 2008. - 16 с. - Текст : непосредственный.Солимар Л. Лекции по электрическим свойствам материалов / Л. Солимар, Д. Уолш, 1991. - 502 с. - Текст : непосредственный.NATO science series. Sub-ser.II, Mathematics, physics and chemistry. Vol. 204 : Nanostructured and advanced materials for applications in sensor, optoelectronic and photovoltaic technology : proc. of the NATO advanced study inst. on nanostructured and advanced materials for applications in sensors, optoelectronic and photovoltaic technology, 6-17 Sept. 2004, Sozopol / NATO advanced study institute on nanostructured and advanced materials for applications in sensors, optoelectronic and photovoltaic technology (2004; Sozopol), 2005. - XI, 425 p. - Текст : непосредственный.Большаков А.Ф. Термический анализ материалов электронной техники / А. Ф. Большаков, А. О. Дмитриенко, 1990. - 86 c. - Текст : непосредственный.Банк данных по свойствам материалов электронной техники : Метод материалы:Инструкция по сост.документов для базы данных "ВТСП-теория" / АН СССР.Сиб.отд-ние,Ин-т физики им.Л.В.Киренского. Версия 3, 1991. - 71 с. - Текст : непосредственный.Electronic materials and processes : материалы временных коллективов / Ed. N. H.(jr) Kordsmeier, 1987. - XIV,750 p. p. - Текст : непосредственный.Раскин А.А. Технология материалов электронной техники : выставочные материалы / А. А. Раскин, А. А. Картушина, Н. В. Баровский, 1999. - 220 с. - Текст : непосредственный.Wurthner F.A. Darstellung und optische Eigenschaften Donor-Akzeptor-substituierter Oligothiophene / F. A. Wurthner, 1993. - 254 S. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽