Приложение
для AndroidПолное описание
Partanen, J. Synchrotron section topographic studies of silicon : diss. / J.Partanen. - Helsinki , 1992. - 46 p. : ill. - (Acta polytechnica Scandinavica. Ph, Applied physics series, ISSN 0355-2721 ; n180). - ISBN 951-666-347-8. - Текст : непосредственный.
Библиогр. в конце книги
Перевод заглавия: Топографические исследования кремния в секции синхротрона.Дис.
| ГРНТИ | УДК | |
| 29.19.31 | 537.311.322:548.4(043) |
Рубрики:
Кремний -- Кристаллы -- Дефекты
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): R/11638/180)
Шифр в сводном ЭК: 1ba7cef4f17fa6ea0558c9ae89c721ea
Partanen J. Synchrotron section topographic studies of silicon : Diss. / J.Partanen, 1992. - 46 p. - Текст : непосредственный.Partanen J. Invariance theorems for the bilipschitz and quasisymmetric extension properties : специальность "" : диссертация на соискание ученой степени / J.Partanen, 1991. - 40 p. - Текст : непосредственный.
Makinen J. Positron dynamics in solids / J. Makinen, 1991. - 52 p. - Текст : непосредственный.Design of a combined UHV-atmospheric pressure apparatus for catalytic surface studies / J. Lahtinen, A. Talo, J. Vaari, 1991. - 16 p. - Текст : непосредственный.Arola E. relativistic KKR-CPA method: a study of electronic structures of Cu75 Au25, Au70 Pd30, and Cu75 Pt25 disordered alloys / E. Arola, 1991. - 138 p. - Текст : непосредственный.
Tuomisaari M. Interaction of the positron and the positronium atom with insulating fluids and solids : Diss. / M.Tuomisaari, 1990. - 33 p. - Текст : непосредственный.Punkka E. Electrical characterization of conducting polymers and polymeric semiconductor devices : Diss. / E.Punkka, 1991. - 30 p. - Текст : непосредственный.5th international workshop on electroluminescence held June 11-13, 1990, Espoo / International workshop on electroluminescence (5th ; 1990 ; Espoo) , 1990. - 306 p. - Текст : непосредственный.Saarinen K. Point defect structures in gallium arsenide studied by positron spectroscopies : Diss. / K.Saarinen, 1991. - 36 p. - Текст : непосредственный.Talvitie M. Production and properties of Nd-Fe-B permanent magnets : Diss. / M.Talvitie, 1993. - 58 p. - Текст : непосредственный.Hartikainen J. Fast photothermal techniques in nondestructive evaluation : Diss / J.Hartikainen, 1989. - 30 p. - Текст : непосредственный.Volotinen T. Influence of the standard single mode fibre bends on cable properties investigated by the a11b(n) method : Diss. / T.Volotinen, 1990. - 185 p. - Текст : непосредственный.Mutikainen R. Pressure-enduring soft X-Ray windows : Diss. / R.Mutikainen, 1995. - 33 p. - Текст : непосредственный.Koskelainen A. Modulation of phototransduction in vertebrate photoreceptor cells:roles of SH-Groups of the light-sensitive channel and of pH regulating transport mechanisms : Diss. / A.Koskelainen, 1995. - 78 p. - Текст : непосредственный.Serimaa R. X-ray scattering studies on weakly ordered materials : Diss. / R.Serimaa, 1990. - 24 p. - Текст : непосредственный.Alatalo M. First principles calculations for defects in semiconductors : Diss / M.Alatalo, 1994. - 44 p. - Текст : непосредственный.Partanen J. Synchrotron section topographic studies of silicon : Diss. / J.Partanen, 1992. - 46 p. - Текст : непосредственный.Soininen E. Positron diffusion and surface interactions in solids : Diss. / E.Soininen, 1992. - 42 p. - Текст : непосредственный.Alava M. On mode conversion to electrostatic waves in ion cyclotron range radiofrequency heating of fusion plasmas : Diss. / M.Alava, 1993. - 32 p. - Текст : непосредственный.Pohjonen J. Methods for reduction of phase shift artifacts in gradient echo magnetic resonance imaging : Diss. / J.Pohjonen, 1993. - 95 p. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный.Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный.Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный.Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный.Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный.Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный.Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный.La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный.Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный.Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный.Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыБеляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный.Истратов А.А. Емкостная спектроскопия глубоких центров, связанных с различными типами Дислокаций в CdS : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / А. А. Истратов, 1993. - 15 с. - Текст : непосредственный.Мякенькая Г.С. Моделирование структуры дефектов в кремнии методами молекулярной динамики и квантовой химии : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / Г. С. Мякенькая, 2000. - 39 с. - Текст : непосредственный.Осипов П.А. Влияние гетеровалентного легирования на электрофизические свойства Sn Pb Ge Te и самокомпенсацию примесей в PbSe : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. А. Осипов, 2000. - 18 с. - Текст : непосредственный.Вывенко О.Ф. Структура и электронные свойства дислокационного сульфида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / О. Ф. Вывенко, 1994. - 29 с. - Текст : непосредственный.Weber G. EBIC-Untersuchungen an Schraubenversetzungen in Gallium-Arsenid / G. Weber, 1990. - 77 S. - Текст : непосредственный.Старухин А.Н. Магнитооптика триплетных экситонов в полупроводниковых кристаллах : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Н. Старухин, 2006. - 34 с. - Текст : непосредственный.Пальчик Г.В. Электронные свойства и кинетика образования бистабильных термодоноров в германии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Г. В. Пальчик, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Зобов Е.М. Фотоэлектрические и оптические свойства халькогенидных полупроводников, обусловленные глубокими центрами сложной структуры : специальность 01.04.05 "Оптика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / Е. М. Зобов, 1999. - 42 с. - Текст : непосредственный.Половцев И.С. Метастабильность оптической поляризации ядерных моментов в легированном кремнии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. С. Половцев, 1993. - 18 с. - Текст : непосредственный.Красновский О.А. Оптические исследования изоэлектронных уровней в GaP под давлением до 9 ГПа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / О. А. Красновский, 1992. - 26 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев М.А. Квазиландауское магнитопоглощение "ридберговских" состояний экситона в полупроводниках : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / М. А. Абдуллаев, 2006. - 41 с. - Текст : непосредственный.Гольдфарб М.В. Электронная структура и оптические свойства примесей на дислокациях в полупроводниках : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / М. В. Гольдфарб, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный.Жаркой В.П. Теоретическое исследование спектра экситонных состояний магнитнопримесных и ионных кристаллов в магнитном поле : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / В. П. Жаркой, 1991. - 23 с. - Текст : непосредственный.Логинов Ю.Ю. Формирование структурных дефектов в монокристаллах и эпитаксиальных пленках полупроводников А В : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / Ю. Ю. Логинов, 1996. - 26 с. - Текст : непосредственный.Мурин Д.И. Диагностика крупномасштабных примесных скоплений в полупроводниках и анализ скоплений в кремнии, выращенном методом Чохральского : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Д. И. Мурин, 1996. - 24 с. - Текст : непосредственный.Зобов М.Е. Влияние внутренних электрических и упругих полей моно-, микро- и нанокристаллов на характеристические параметры глубоких центров в халькогенидах цинка : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / М. Е. Зобов, 2008. - 28 с. - Текст : непосредственный.Федина Л.И. Формирование скоплений междоузельных атомов в кристаллах кремния : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук / Л. И. Федина, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Гельфанд Р.Б. Электронная структура дефектов,содержащих водород и литий в кремнии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук / Р. Б. Гельфанд, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Theiler T. Dynamik angeregter Zustande von OH-Donatoten in Germanium / T. Theiler, 1989. - 106 S. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽