Приложение
для AndroidПолное описание
Дмитриевский, А. А. Микромеханические свойства полупроводников, облученных малыми дозами бета-частиц : автореф. дис. ... д-ра физ.-мат. наук: 01.04.07 / А. А. Дмитриевский. - Тамбов, 2013. - 34 с. : ил. - Библиогр.: с. 30-34. - 100 экз. - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.09.29 | 621.315.592:539.16(043) |
Кл.слова (ненормированные): ВЛИЯНИЕ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар13-31933)
Шифр в сводном ЭК: 5b8ff7ef0c9679df2c311b2a840525dc
Дмитриевский А.А. Внешняя баллистика / А. А. Дмитриевский, Л. Н. Лысенко, С. С. Богодистов, 1991. - 639 с. - Текст : непосредственный.Дмитриевский А.А. Внешняя баллистика : Учебник / А.А. Дмитриевский, Л.Н. Лысенко, 2005. - 608 с. - Текст : непосредственный.Дмитриевский А.А. Микромеханические свойства полупроводников, облученных малыми дозами бета-частиц : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.07 / А. А. Дмитриевский, 2013. - 34 с. - Текст : непосредственный.Дмитриевский А.А. Первый шаг в квантовую реальность / А. А. Дмитриевский, 2012. - 111 с. - Текст : непосредственный.Дмитриевский А.А. Радиационная физика: нетривиальные эффекты : учеб. пособие / А. А. Дмитриевский, Н. Ю. Ефремова, 2013. - 115 с. - Текст : непосредственный.Дмитриевский А.А. Квантовые явления в процессе релаксации подсистемы структурных дефектов ионных кристаллов в магнитном поле : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / А. А. Дмитриевский, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Перминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Кажева О.Н. Синтез и строение новых молекулярных проводников на основе катион-радикальных солей с анионами, содержащими ртуть и редкоземельные элементы : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / О. Н. Кажева, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный.Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Егоров А.Ю. Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Ю. Егоров, 2011. - 40 с. - Текст : непосредственный.Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный.Варлачев В.А. Нейтронное трансмутационное легирование кремния в бассейновом исследовательском ядерном реакторе / В. А. Варлачев, 2015. - 48 с. - Текст : непосредственный.Кремний-2004 : материалы временных коллективов / Институт геохимии им. А. П. Виноградова (Иркутск), 2004. - 244 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1506) : Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1970-1988 гг. / К.П.Николаев,Л.И.Немировский, 1989. - 60 с. - Текст : непосредственный.Талипов Н.Х. Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xTe радиационно-термическими воздействиями / Н. Х. Талипов, 2015. - 46 с. - Текст : непосредственный.Новые магнитные материалы микроэлектроники, 2000. - 889 с. - Текст : непосредственный.Столяров С.М. Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А В с заданными свойствами : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. М. Столяров, 1998. - 15 с. - Текст : непосредственный.Воробьев В.В. Нерасходящееся излучение пучков заряженных частиц в присутствии планарных и объемных периодических структур из параллельных проводников / В. В. Воробьев, 2016. - 19 с. - Текст : непосредственный.INFOS 2007 : материалы временных коллективов / Conference on insulating films on semiconductors (15th ; 2007 ; Glyfada Athens), 2007. - XII, 1845-2439 p. - Текст : непосредственный.Усеинов А.С. Измерение модуля упругости высокотемпературных полупроводниковых материалов и других твердых тел методом сканирующей силовой микроскопии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Усеинов, 2004. - 25 с. - Текст : непосредственный.Карасева Т.В. Размерная обработка кремния и оценка технологических погрешностей : выставочные материалы / Т. В. Карасева, 2014. - 126 с. - Текст : непосредственный.Земцов А.Е. Создание новой полупроводниковой системы GaAs-CdS и изучение ее поверхностных физико-химических свойств : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / А. Е. Земцов, 2004. - 19 с. - Текст : непосредственный.Новоселова А.В. Термодинамика и материаловедение полупроводников / А. В. Новоселова, А. В. Новоселова, В. М. Глазов, Н. А. Смирнова ; карт. В. М. Глазов, 1992. - 391 с. - Текст : непосредственный.-V semiconductor materials and devices / Ed. R. J. Malik, 1989. - IX,727 p. p. - Текст : непосредственный. Фарид Нассур ибн Ханна.Влияние технологических примесей на оптические и электрические свойства монокристаллов Si,подвергнутых термообработке : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Фарид Нассур ибн Ханна, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЕрмаков В.С. Особенности образования и отжига радиационных дефектов в n-GaN(Si) и p-GaN(Mg) при воздействии различного вида излучения / В. С. Ермаков, 2014. - 24 с. - Текст : непосредственный.Емцев К.В. Особенности процессов образования радиационных дефектов в полупроводниковых материалах IV группы и нитридах III группы с мелкими примесями : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / К. В. Емцев, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.Дмитриевский А.А. Микромеханические свойства полупроводников, облученных малыми дозами бета-частиц : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.07 / А. А. Дмитриевский, 2013. - 34 с. - Текст : непосредственный.Давыдов Д.В. Исследование радиационных дефектов в карбиде кремния емкостными методами : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Д. В. Давыдов, 2003. - 22 с. ил. - Текст : непосредственный.Давыдовская, Клавдия Сергеевна. Влияние температуры облучения на образование радиационных дефектов в карбиде кремния и деградацию приборов на его основе : специальность 1.3.11 - Физика полупроводников: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Давыдовская Клавдия Сергеевна, 2023. - 26 с. - Текст : непосредственный.
Заказ фрагмента документа ₽