Полное описание
Реутов, В. Ф.
ГРНТИ УДК 47.13.33 621.315.592.002:669.046.516(04)
Рубрики: Ионное внедрение
Кл.слова (ненормированные): ИОННОЕ ВНЕДРЕНИЕ
Доп. точки доступа: Сохацкий, А.С.
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Н/2509/Р14-97-216)
Шифр в сводном ЭК: 109766a212667aea2f74eb66e2b5e3ba
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Реутов В.Ф. Электронно-микроскопическое исследование углеродистой стали, насыщенной гелием и подвергнутой послерадиационной фазовой перекристаллизации / В. Ф. Реутов, В. К. Семина, А. С. Сохацкий, 1997. - 7 с. - Текст : непосредственный. Реутов В.Ф. Ионно-трековая нанотехнология / В.Ф.Реутов,С.Н.Дмитриев, 2002. - 16 с. - Текст : непосредственный. Реутов В.Ф. О вкладе нанокластеров/петель в радиационное упрочнение металлов / В.Ф.Реутов, 2002. - 18 с. - Текст : непосредственный. Реутов В.Ф. Void formation during annealing of neutron and alpha-particle irradiated molybdenum / В.Ф.Реутов, 1998. - 8 p. - Текст : непосредственный. Реутов М.Ф. Methods of materials irradiation with high energy (MeV/nucleon) charger particles / М.Ф.Реутов,А.С.Сохацкий, 1995. - 12 p. - Текст : непосредственный. Дидык А.Ю. Экспериментальное измерение пробегов тяжелых ионов высоких энергий в монокристаллах методом "Cross-Section" / А. Ю. Дидык, А. С. Сохацкий, 2010. - 9 с. - Текст : непосредственный. Сохацкий А.С. Радиационное повреждение кремния низкоэнергетическими ионами гелия : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / А. С. Сохацкий, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный. Реутов В.Ф. Применение трековых мембран в нанотехнологии / В.Ф.Реутов,С.Н.Дмитриев, 1998. - 14 с. - Текст : непосредственный. Реутов В.Ф. ПЭМ-изучение в геометрии "Cross-Section" структурных изменений в кремнии в результате последовательного облучения ионами N + He и Ar +He / В.Ф.Реутов,А.С.Сохацкий, 1997. - 10 с. - Текст : непосредственный. Реутов В.Ф. Экспрессный метод ПЭМ-изучения структурных изменений в полупроводниках вдоль пути движения заряженных частиц / В.Ф.Реутов,А.С.Сохацкий, 1997. - 10 с. - Текст : непосредственный. Реутов В.Ф. Упорядочение гелиевых пор по направлению движения низкоэнергетичных ионов гелия в кремнии / В.Ф.Реутов,А.С.Сохацкий, 1998. - 14 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Структура (,n)-сечения на Pr / С. Н. Беляев, О. В. Васильев, В. В. Воронов, 1995. - 7 c. - Текст : непосредственный. Захарьев Б.Н. Прозрачные возмущения периодических квантовых систем (неожиданная инверсия исходного потенциала) / Б. Н. Захарьев, В. М. Чабанов, 1995. - 12 c. - Текст : непосредственный. The setup to investigate rare processes with neutron producing / V. M. Bystrisky, N. I. Zhuravlev, S. I. Merzlyakov, 1995. - 12 p. - Текст : непосредственный. Maximum entropy technique in the doublet structure analysis / B. Z. Belashev, Yu. A. Panebratsev, E. I. Shahaliv, L. M. Soroko, 1998. - 22 p. - Текст : непосредственный. Анализ характеристик -мезонов и протонов в AC-взаимодействиях при импульсе p=4,2 ГэВ/с на нуклон в рамках модели Fritiof / Ц. Баатар, А. И. Бондаренко, Р. А. Бондаренко, 1999. - 12 с. - Текст : непосредственный. Jones H.F. Analytic properties of and decay / H. F. Jones, И. Л. Соловцов, 1995. - 8 p. - Текст : непосредственный. Lambiase G. Quark mass correction to the string potential / G. Lambiase, V. V. Nesterenko, 1995. - 34 p. - Текст : непосредственный. Картавцев О.И. Variational calculation of antiprotonic helium atoms / О. И. Картавцев, 1995. - 15 p. - Текст : непосредственный. Токарев Ь.В. On polarization mechanism in inclusive meson production and asymmetry sign rule / Ь. В. Токарев, G. P. Skoro, 1995. - 12 c. - Текст : непосредственный. Измерение отношения парциальных ширин распадов очарованных частиц и D, 1993. - 15 c. - Текст : непосредственный. Попов А.К. Оценка импульсной переходной характеристики мощностной обратной связи реактора ИБР-2 частотным методом / А. К. Попов, 1992. - 8 с. - Текст : непосредственный. Алгоритм и программа моделирования поля магнитной системы спектрометра СТОРС / Е. П. Жидков, Р. С. Егикян, Л. А. Меркулов, 1992. - 4 с. - Текст : непосредственный. Кузнецов А.Б. Анализ экспериментов по реакции сверхтекучего гелия на импульсные тепловые потоки большой длительности / А. Б. Кузнецов, 1992. - 11 с. - Текст : непосредственный. Дубовик В.М. Перемагничение агрегатов магнитных частиц вихревым полем и использование тороидности для записи информации / В. М. Дубовик, М. А. Марценюк, Н. М. Марценюк, 1992. - 30 с. - Текст : непосредственный. Галактионов В.В. Работа с русскоязычными текстами на ЭВМ типа VAX / В. В. Галактионов, 1993. - 10 с. - Текст : непосредственный. Галактионов В.В. GALAXY - интерактивная система обслуживания файлов и процессов в ОС VMS / В. В. Галактионов, 1993. - 14 с. - Текст : непосредственный. Галактионов В.В. Системонезависимый экранный редактор текстов Vega / В. В. Галактионов, 1993. - 12 с. - Текст : непосредственный. Черепанов Е.А. The analysis of reactions leading to synthesis of superheavy elements within the dinuclear system concept / Е. А. Черепанов, 1999. - 15 с. - Текст : непосредственный. Лазерный ионизационный спектрометр на пучке заряженных частиц циклотрона / Ю. П. Гангрский, Ч. Градечны, В. И. Жеменик, 1997. - 10 с. - Текст : непосредственный. Асланян П.Ж. Observation of candidates for heavy positively charged S= -2H dibaryon with a wear decay channel H / П. Ж. Асланян, V. N. Emelyanenko, V. S. Rikhvitzkiy, 2001. - 26 p. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Frey H. Ionenstrahlgestutzte Halbleitertechnologie / H. Frey, 1992. - 131 S. - Текст : непосредственный. Зятьков И.И. Моделирование технологических процессов формирования полупроводниковых структур / И. И. Зятьков, Е. П. Юрченко, 1994. - 6 c. - Текст : непосредственный. Кривошеева А.Н. Процессы жидкостного химического травления в технологии микросистем. Жидкостное химическое травление полупроводниковых материалов : выставочные материалы / А. Н. Кривошеева, В. В. Лучинин, 2012. - 118 с. - Текст : непосредственный. Трунин Д.А. Физико-технические основы систем переноса изображения на эффекте обращения волнового фронта для микроэлектронной технологии : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Д. А. Трунин, 2003. - 22 с. - Текст : непосредственный. Смирнова Н.А. Разработка технологии изготовления подложек CdZnTe для выращивания гетероструктур CdHgTe/CdZnTe методом жидкофазной эпитаксии : специальность 05.17.01 "Технология неорганических веществ" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / Н. А. Смирнова, 2007. - 24 с. - Текст : непосредственный. Wissenschaftliche Berichte / FZKA. 7215 : Hochauflosende Rontgenlithografie zur Herstellung polymerer Submikrometerstrukturen mit grossem Aspektverhaltnis : Diss. / T.Mappes, S.Achenbach, J.Mohr, 2006. - IV, 71 S. - Текст : непосредственный. Молодечкина Т.В. Формирование легированных оксидов титана термолизом алкоксисоединений для компонентов электронной техники / Т. В. Молодечкина, 2004. - 21 с. - Текст : непосредственный. Рахматуллаев Х.Б. Процессы двухэлектронной локализации и делокализации на примесных атомах олова в узкозонных полупроводниках : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Х. Б. Рахматуллаев, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный. Кузнецов Г.Д. Ионно-плазменная обработка материалов : учебное пособие / Г. Д. Кузнецов, А. Р. Кушхов, 2008. - 179 с. - Текст : непосредственный. Смирнов В.А. Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе Si/SiO2/Ii : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / В. А. Смирнов, 2008. - 23 с. - Текст : непосредственный. Пархутик В.П. Плазменное анодирование : монография / В. П. Пархутик, В. А. Лабунов, 1990. - 280 c. - Текст : непосредственный. Бордусов С.В. Процессы и устройства СВЧ плазмохимиче ского удаления материалов при формировании изделий электронной техники : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / С. В. Бордусов, 2003. - 41 с. - Текст : непосредственный. Шипатов Э.Т. Ионно-лучевая модификация свойств металлов, сверхпроводников и пленок ферритов-гранатов : учебное пособие / Э. Т. Шипатов, 2007. - 111 с. - Текст : непосредственный. Ito H. Microlithography в· molecular imprinting / H. Ito, 2005 r=on-line. - Текст : электронный. Авдиенко А.А. Физико-технические принципы построения, разработка и применение высокоэнергетичных ионных имплантеров : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. А. Авдиенко, 2004. - 30 c. - Текст : непосредственный. Григорьев Д.В. Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структ урах Cd Hg Te, выращенных мет одом молекулярно-лучевой эпитаксии / Д. В. Григорьев, 2005. - 24 с. - Текст : непосредственный. Гниденко А.А. Исследование влияния давления на поведение гелия и водорода в кристаллическом кремнии / А. А. Гниденко, 2005. - 22 с. - Текст : непосредственный. Ion beam processing of advanced electronic materials : сборник научных трудов / Ed. N. W. Cheung, 1989. - XI, 401 p. 401 p. - Текст : непосредственный. Хмельницкий Р.А. Радиационное повреждение и графитизация алмаза при ионной имплантации / Р. А. Хмельницкий, 2008. - 19 с. - Текст : непосредственный. Дунаев А.В. Кинетика и механизмы взаимодействия неравновесной низкотемпературной плазмы хлора и хлороводорода с алюминием и арсенидом галлия / А. В. Дунаев, 2011. - 16 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Будилов В.В. Технология вакуумной ионно-плазменной обработки : учебное пособие / В. В. Будилов, Р. М. Киреев, С. Р. Шехтман, 2007. - 155 с. - Текст : непосредственный. Перспективные методы модификации конструкционных материалов : Обзор по отеч. и зарубеж. источникам / М-во атомной энергетики и промышленности СССР. Ч. 1 : Модификация поверхности ионной имплантацией, 1989. - 46 с. - Текст : непосредственный. Шипатов Э.Т. Ионно-лучевая модификация свойств металлов, сверхпроводников и пленок ферритов-гранатов : учебное пособие / Э. Т. Шипатов, 2007. - 111 с. - Текст : непосредственный. Титов В.В. Ионная имплантация: перспективы и альтернативы / В. В. Титов, 1997. - 15 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Злобин В.Н. Ионная имплантация в энергетике и машиностроении : монография / В. Н. Злобин, И. П. Васильев, 2018. - 210 с. - Текст : непосредственный. Вольпяс В.А. Физика слабоионизованной плазмы : Прикладные вопросы ионно-плазменного распыления / В.А.Вольпяс,А.Б.Козырев, 1997. - 130 с. - Текст : непосредственный. Численные и экспериментальные методы исследования получения двухзарядных ионов для целей имплантации / М. Турек [и др.], 2013. - 8 с. - Текст : непосредственный. Абдрашитов В.Г. Таблицы угловых распределений ионов при многократном рассеянии для потенциала ZBL / В. Г. Абдрашитов, В. В. Рыжов, В. В. Стародумов, 1993. - 34 с. - Текст : непосредственный. Быковский Ю.А. Ионная и лазерная имплантация металлических материалов / Ю. А. Быковский, В. Н. Неволин, В. Ю. Фоминовский, 1991. - 237 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Дефектообразование как механизм создания свободных и локализованных дырок в Na-легированных полупроводниках типа PbTe / Г.Т.Алексеева,Ю.А.Дегтярев,Т.В.Жукова и др., 1991. - 46 с. - Текст : непосредственный. Дмитриев Ю.Н. Термодинамика изовалентного легирования кристаллов полупроводниковых соединений типа A BYI / Ю. Н. Дмитриев, В. Д. Рыжиков, Л. П. Гальчинецкий, 1990. - 50 с. - Текст : непосредственный. Фотостимулированные процессы в светочувствительных системах ХСП-А / В.А.Данько,И.З.Индутный,О.П.Касярум и др., 1989. - 26 с. - Текст : непосредственный. Реутов В.Ф. ПЭМ-изучение в геометрии "Cross-Section" структурных изменений в кремнии в результате последовательного облучения ионами N + He и Ar +He / В.Ф.Реутов,А.С.Сохацкий, 1997. - 10 с. - Текст : непосредственный. Козловский В.В. Легирование материалов А В радиационными дефектами : Препринт / В.В.Козловский,В.Н.Абросимова, 1991. - 31 с. - Текст : непосредственный. Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
