Приложение
для AndroidПолное описание
Фотоэлектрические свойства нейтроннолегированных твердых растворов Si Ge / В. А. Евсеев, А. Г. Забродский, Р. Ф. Коноплева и др. - Гатчина : [б. и.], 1994. - 19 c. : ил. - (Препринт / Петербургский ин-т ядерной физики им. Б. П. Константинова ; SS-69-1994 2011). - 120 экз. - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 29.19.31 | 537.311.322:535.215(04) |
Рубрики:
Твердые растворы -- Фотоэлектрические свойства
Кл.слова (ненормированные): ТВЕРДЫЙ РАСТВОР -- ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ СВОЙСТВО
Доп. точки доступа:
Евсеев, В.А.
Забродский, Андрей Георгиевич
Коноплева, Р.Ф.
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): М/24446/SS-69-1994 2011)
Шифр в сводном ЭК: 5176112065bf934bbaa360931b29f848
Исследование влияния условий высокотемпературного отжига на электрические свойства YBa'2Cu'3O'X керамики, облученной быстрыми нейтронами реактора / Р. Ф. Коноплева, И. В. Назаркин, М. В. Чудаков, Б. А. Борисов, 1990. - 17 с. - Текст : непосредственный.Исследование реакционной способности ионов замещения и точечных дефектов в монокристаллах кварца lSR-методом / В. А. Гордеев, Л. А. Гордиенко, В. А. Евсеев, 1993. - 24 с. - Текст : непосредственный.Коноплева Р.Ф. О некоторых особенностях температурной зависимости коэффициента Холла в резистивном состоянии ВТСП-материалов / Р. Ф. Коноплева, И. В. Назаркин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Евсеев В.А. Исследование возможности расширения эксплуатационных ограничений самолета ТУ-154М : специальность 05.22.14 "Эксплуатация воздушного транспорта" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / В. А. Евсеев, 1991. - 24 с. - Текст : непосредственный.
Евсеев В.А. Макроэкономическое регулирование структуры российского экспорта : автореф. дис. .. канд. экон. наук: 08.00.05 / В. А. Евсеев, 2002. - 24 с. - Текст : непосредственный.Евсеев В.А. География информационных технологий в международном туризме : автореф. дис. .. канд. геогр. наук: 25.00.24 / В. А. Евсеев, 2002. - 26 с. - Текст : непосредственный.Метод прецизионной обработки катодных плат крупногабаритных пропорциональных камер / А.З.Андреев,В.В.Длбырн,В.А.Евсеев и др., 2002. - 17 с. - Текст : непосредственный.Евсеев В.А. Государственное регулирование ресурсно-технологической структуры экспорта в Российской Федерации / В.А.Евсеев, 2001. - 142 с. - Текст : непосредственный.Забродский, Андрей Георгиевич. Электронные свойства неупорядоченных систем : учеб. пособие для вузов по направлению "Техн. физика" / А. Г. Забродский, С. А. Немов, Ю. И. Равич, 2000. - 70 с. - Текст : непосредственный.Евсеев В.А. Электрические и фотоэлектрические свойства кремния, германия и твердых растворов кремний-германий, облученных протонами и нейтронами : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / В. А. Евсеев, 1990. - 17 с. - Текст : непосредственный.Забродский, Андрей Георгиевич. Борьба с потерями от инфекции в спиртовом производстве / А. Г. Забродский, 1950. - 203 с. - Текст : непосредственный.Евсеев В.А. Исследование оптических свойств кристаллов PbWO, облученных гамма-квантами, быстрыми нейтронами реактора и 1-ГэВ протонами / В. А. Евсеев, В. М. Самсонов, С. А. Буцык, 1999. - 33 с. - Текст : непосредственный.Евсеев В.А. Микроволновый метод исследования критических параметров и констант ВТСП / В. А. Евсеев, Р. Ф. Коноплева, В. С. Чащин, 1991. - 23 с. - Текст : непосредственный.Мартенситные превращения в сплавах TiNi с эффектом памяти формы при нейтронном облучении в низкотемпературной гелиевой петле реактора ВВР-М / С. П. Беляев [и др.], 2014. - 30 с. - Текст : непосредственный.Назаркин И.В. Исследование особенностей деградации керамики состава YBa Cu O -X в результате отжига и облучения быстрыми нейтронами реактора / И. В. Назаркин, Р. Ф. Коноплева, В. А. Чеканов, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Радиационные испытания материалов, предлагаемых к использованию в мюонном детекторе эксперимента СВМ / Н. И. Бухтоярова [и др.], 2009. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Смирнов Ю.Ф. О решении проблемы кратности в прямом произведении неприводимых представлений алгебр su(3) и su (3) методом диагонализации матриц Грама / Ю. Ф. Смирнов, Ю. И. Харитонов, 1998. - 19 с. - Текст : непосредственный.Васильев А. Two dimensional on-line monitor of the atomic hydrogen (deuterium) flow / А. Васильев, 1998. - 29 p. - Текст : непосредственный.Бунаков В.Е. Test of the quantum chaoticity criterion for diamagnetic Kepler problem / В. Е. Бунаков, I. B. Ivanov, R. B. Panin, 1998. - 13 p. - Текст : непосредственный.Общие вопросы создания комплекса аппаратно-программного обеспечения экспериментальной установки РАСПАД-2. Электронное обеспечение системы измерения процесса бета-распада нейтрона / А. В. Васильев, Ю. П. Руднев, А. П. Серебров, 1998. - 18 с. - Текст : непосредственный.Расхолаживание реактора ПИК при перегрузочных работах / Н. А. Грошева, Г. А. Кирсанов, К. А. Коноплев, Ж. А. Шишкина, 1993. - 19 с. - Текст : непосредственный.Особенности кинетики нейтронов исследовательских реакторов с тяжеловодным отражателем / А. Н. Ерыкалов, Л. М. Котова, В. В. Кузьминов, Ю. В. Петров, 1995. - 17 c. - Текст : непосредственный.Сорокин А.О. Универсальные и неуниверсальные критические свойства топологических дефектов в двумерных магнетиках / А. О. Сорокин, 2016. - 25 с. - Текст : непосредственный.Плешанов Н.К. Neutron spin reflectometry / Н. К. Плешанов, 1996. - 26 p. - Текст : непосредственный.Родионов А.А. Эффект сверхтонкого сдвига К-конверсионных линий. Измерение разностей энергий К-, L-конверсионных линий в электронных спектрах Yb и Ir / А. А. Родионов, Л. П. Кабина, 1996. - 20 c. - Текст : непосредственный.Измерение угловых и энергетических распределений быстрых нейтронов при делении 235U тепловыми нейтронами / А. С. Воробьев, О. А. Щербаков, Ю. С. Плева [и др.], 2008. - 25 с. - Текст : непосредственный.Влияние магнитных наночастиц на поведение поляризованных положительных мюонов в феррожидкости на основе FeзO4 в среде D2O / М. Балашою, С. Г. Барсов, Д. Бика [и др.], 2007. - 27 с. - Текст : непосредственный.Мессбауэровский спектрометр для широкого ряда резонансных изотопов / А. В. Алдущенков, И. С. Окунев, В. Г. Циноев [и др.], 2007. - 13 с. - Текст : непосредственный.Лукашевич В.В. Монте-Карло моделирование выделения Т-неинвариантной амплитуды. Ч.1 / В. В. Лукашевич, А. В. Алдущенков, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.Гусева И.С. Извлечение коэффициента поляризуемости нейтрона из интегрального сечения рассеяния / И. С. Гусева, 1994. - 16 с. - Текст : непосредственный.Gamma-ray Diffractometer at the ET-RR-1 Reactor for Material Science Research / A. I. Kurbakov, R. M. Maayouf, A. E. Sokolov, 1994. - 22 p. - Текст : непосредственный.Кондурова Л.Н. Программы для оценки числа остановок мезонов, рожденных мезообразующими мишенями разной конструкции, в газовых мезорентгеновских мишенях / Л. Н. Кондурова, 1995. - 22 c. - Текст : непосредственный.Шульгина Е.В. Использование цифрового сигнального процессора в системе сбора информации и управления экспериментами по изучению P-нечетных эффектов в реакциях поляризованных нейтронов с ядрами. Расширение диапазона возможностей / Е. В. Шульгина, 2011. - 26 с. - Текст : непосредственный.Зиновьев В.Г. Расчет температуры нейтронов в канале реактора ВВР-М на базе программного пакета Maple / В. Г. Зиновьев, С. П. Орлов, А. В. Антонов, 2008. - 11 с. - Текст : непосредственный.Якубович Б.И. Электрические флуктуации и дефекты структуры в неметаллах / Б. И. Якубович, 2008. - 12 с. - Текст : непосредственный.Лепехин Ф.Г. Множественное образование двухзарядных фрагментов при фрагментации релятивистских ядер / Ф. Г. Лепехин, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыРоманов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный.Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный.Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный.Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный.Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный.Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный.Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный.La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный.Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный.Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный.Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыФотоэлектрические и диэлектрические свойства кристаллов TlInS - и -TlInS / С.Н.Алиев,О.З.Алекперов,А.И.Наджафов и др., 1990. - 38 с. - Текст : непосредственный.Спектральная зависимость сечения фотоионизации глубоких центров в фосфиде индия / Л.Л.Кулюк,С.И.Радауцан,А.В.Симинел и др., 1989. - 21 с. - Текст : непосредственный.Влияние низкотемпературного облучения на фотоэлектрические характеристики Ge1-x Six / Ш.М.Аббасов,К.Р.Аллахвердиев,Г.Т.Агавердиева,В.А.Алиев, 1990. - 38 с. - Текст : непосредственный.Саченко А.В. Аномальные поверхностная фотоэдс и фотонапряжение в полупроводниках и в структурах проводник - диэлектрик - полупроводник / А.В.Саченко,Т.В.Паничевская, 1989. - 19 с. - Текст : непосредственный.Фотоэлектрические свойства нейтроннолегированных твердых растворов Si Ge / В. А. Евсеев, А. Г. Забродский, Р. Ф. Коноплева и др., 1994. - 19 c. - Текст : непосредственный.Фотоэлектрические свойства монокристаллов AgGaTe2 / Г.Д.Гусейнов,Т.К.Касумов,З.А.Алиев и др., 1991. - 27 с. - Текст : непосредственный.Фотопроводимость слоистых полупроводников InSе, GaSе и GаS, обусловленных межзонными оптическими переходами / О.З.Алекперов,Л.Н.Алиева,М.О.Годжаев и др., 1990. - 20 с. - Текст : непосредственный.
Заказ фрагмента документа ₽