Приложение
для AndroidПолное описание
Лазерное осаждение сплавов карбида кремния / ВЦП. - 5 c. - Пер.ст. Laser deposition of silicon carbid alloys / A. Black из журн.: // Journal of Applied Physics. - 1988. - Vol. 64, N 5. - P. 2403-2404. - Текст : непосредственный.
Библиогр.: 1 назв.
ГРНТИ 47.09.29 + 61.31.47
Рубрики:
Кремний, карбиды, пленки
Кл.слова (ненормированные): КАРБИД -- КРЕМНИЙ -- ЛАЗЕРНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ -- ОСАЖДЕНИЕ -- ПРОПАН -- СИЛАН
Доп. точки доступа:
Black, A.
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): 06934003150)
Шифр в сводном ЭК: bff99bd80ffd6925546d39af7798e9f0
Подготовка шихтовых материалов для электротермического производства кремния / С. Б. Леонов, Б. И. Зельберг, М. П. Авдеев, Н. Б. Леонов, 1991. - 153 c. - Текст : непосредственный.Перминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Кажева О.Н. Синтез и строение новых молекулярных проводников на основе катион-радикальных солей с анионами, содержащими ртуть и редкоземельные элементы : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / О. Н. Кажева, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный.Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Егоров А.Ю. Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Ю. Егоров, 2011. - 40 с. - Текст : непосредственный.Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный.Кутчиев А.И. Синтез и квантово-химическое исследование ванадийоксидных структур на поверхности кремнезема и их взаимодействия с парами VOCI3 и H2O : специальность 02.00.21 "Химия твердого тела", 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / А. И. Кутчиев, 2007. - 20 с. - Текст : непосредственный.Варлачев В.А. Нейтронное трансмутационное легирование кремния в бассейновом исследовательском ядерном реакторе / В. А. Варлачев, 2015. - 48 с. - Текст : непосредственный.Камашев Д.В. Влияние условий синтеза на морфологию и свойства надмолекулярных структур кремнезема / Д. В. Камашев, 2007. - 125 с. - Текст : непосредственный.Получение кремния из отходов фосфатного производства (Na2SiF6)газофазным методом с использованием натриевого стенда / Е. А. Орлова, Ф. А. Козлов, В. В. Алексеев [и др.], 2009. - 35 с. - Текст : непосредственный.Кремний-2004 : материалы временных коллективов / Институт геохимии им. А. П. Виноградова (Иркутск), 2004. - 244 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1506) : Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1970-1988 гг. / К.П.Николаев,Л.И.Немировский, 1989. - 60 с. - Текст : непосредственный.Извлечение коллоидного кремнезема из гидротермальных растворов мембранными методами / В. В. Потапов, В. Н. Зеленков, В. А. Горбач [и др.], 2006. - 226 с. - Текст : непосредственный.Талипов Н.Х. Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xTe радиационно-термическими воздействиями / Н. Х. Талипов, 2015. - 46 с. - Текст : непосредственный.Новые магнитные материалы микроэлектроники, 2000. - 889 с. - Текст : непосредственный.Столяров С.М. Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А В с заданными свойствами : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. М. Столяров, 1998. - 15 с. - Текст : непосредственный.Воробьев В.В. Нерасходящееся излучение пучков заряженных частиц в присутствии планарных и объемных периодических структур из параллельных проводников / В. В. Воробьев, 2016. - 19 с. - Текст : непосредственный.INFOS 2007 : материалы временных коллективов / Conference on insulating films on semiconductors (15th ; 2007 ; Glyfada Athens), 2007. - XII, 1845-2439 p. - Текст : непосредственный.Усеинов А.С. Измерение модуля упругости высокотемпературных полупроводниковых материалов и других твердых тел методом сканирующей силовой микроскопии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Усеинов, 2004. - 25 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽