Приложение
для AndroidПолное описание
Kovacs, F. High-frequency application of semiconductor devices / F.Kovacs. - Amsterdam [etc.] : Elsevier, 1981. - 391 p. : ill. - (Studies in electrical and electronic engineering ; vol.5). - ISBN 0-444-99756-3. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:c.373-387.Указ.в конце книги
| ГРНТИ | УДК | |
| 29.35.47 | 621.382.029.6 |
Рубрики:
Полупроводниковые приборы СВЧ
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): R/12984/5)
Шифр в сводном ЭК: 84d890a0ea7d8f2cc80d95aeade21ed8
Noise and vibration of electrical machines : Mfiche(7) / Transl.by G.Gyorivanyi, 1989. - 339 мкфш. - Текст : непосредственный.Nonlinear and environmental electromagnetics : Proc.of the URSI (intern.union of radio science) Commis.E,workshop,Tokyo,Oct.19,1984 / International union of radio science, Commission E, 1985. - X,383 p. p. - Текст : непосредственный.Novak M. Integrated functional blocks / M.Novak;Transl.from czech.by R.Major, 1980. - X,387 p. p. - Текст : непосредственный.Kovacs F. High-frequency application of semiconductor devices / F.Kovacs, 1981. - 391 p. - Текст : непосредственный.Klaassen K.B. Reliability of analoque electronic systems / K.B.Klaassen, 1984. - XII,277 p. p. - Текст : непосредственный.
Богданов Ю.И. Вынужденное излучение трубчатого электронного пучка в ондуляторе с переменным периодом / Ю. И. Богданов, 1990. - 10 с. - Текст : непосредственный.Баранов А.В. Транзисторные усилители-ограничители мощности в ключевых режимах с улучшенными частотными и энергетическими характеристиками : специальность 05.12.04 "Радиотехника, в том числе системы и устройства телевидения " : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. В. Баранов, 2013. - 36 с. - Текст : непосредственный.Малков Н.А. Микроэлектронные устройства СВЧ / Н. А. Малков, В. П. Шелохвостов, 2000. - 123 с. - Текст : непосредственный.Мартынов Я.Б. Разработка методов моделирования и исследование лавинно-инжекционной неустойчивости в мощных полевых транзисторах СВЧ диапазона с целью повышения их выходной мощности : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / Я. Б. Мартынов, 2014. - 24 с. - Текст : непосредственный.Чапкевич А.Л. Исследование имплантационных методов формирования структур полупроводниковых СВЧ и фотодиодов : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. Л. Чапкевич, 2004. - 42 c. - Текст : непосредственный.Усанов Д.А. Физика работы полупроводниковых приборов в схемах СВЧ / Д. А. Усанов, А. В. Скрипаль, 1999. - 373 с. - Текст : непосредственный.Григорьева Н.Ю. Дипольно-обменные спиновые волны в периодических структурах на основе тонких ферромагнитных пленок : специальность 01.04.03 "Радиофизика" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Н. Ю. Григорьева, 2009. - 18 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 3(1428) : Селективные СВЧ устройства на основе волноводно-планарных структур : По дан.отеч.и зарубеж.печати,1981-1988 гг. / А.В.Старунский,Г.Н.Шеламов, 1989. - 64 с. - Текст : непосредственный.Горбачев А.И. Полупроводниковые СВЧ диоды / А. И. Горбачев, С. В. Кукарин, 1968. - 64 c. - Текст : непосредственный.Васильев А.Г. СВЧ транзисторы на широкозонных полупроводниках : выставочные материалы / А. Г. Васильев, Ю. В. Колоковский, Ю. А. Концевой, 2011. - 254 с. - Текст : непосредственный.Фадеев А.В. Ближнеполевая СВЧ - микроскопия и ее использование для определения характеристик элементов твердотельной СВЧ электроники / А. В. Фадеев, 2014. - 18 с. - Текст : непосредственный.Фролов А.П. Структуры с фотонной запрещенной зоной и их использование в ближнеполевой СВЧ-микроскопии / А. П. Фролов, 2014. - 20 с. - Текст : непосредственный.Градобоев А.В. Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. В. Градобоев, 2003. - 35 с. - Текст : непосредственный.Костров В.В. Y-параметры транзисторов для приемно-усилительной техники / В. В. Костров, В. В. Ромашов, С. С. Кривандин, 1995. - 64 c. - Текст : непосредственный.Данильцев В.М. Металлоорганическая газофазная эпитаксия гетероструктур на основе соединений Al-In-Ga-As для приборов миллиметрового диапазона длин волн : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. М. Данильцев, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Щука А.А. Микроэлектроника СВЧ-диапазона волн / А. А. Щука, 1998. - 78 с. - Текст : непосредственный.Балябин А.Н. Твердотельные приборы СВЧ, 1973. - 132 с. - Текст : непосредственный.Вызулин С.А. Обобщенные плоские волны в задачах электродинамики магнитогиротропных сред : специальность 01.04.03 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / С. А. Вызулин, 2000. - 38 с. - Текст : непосредственный.Вайнштейн Л.А. Лекции по сверхвысокочастотной электронике, 1973. - 399 с. - Текст : непосредственный.Чиненков М.Ю. Процессы намагничивания, спинового транспорта и спиновой динамики в наноразмерных планарных структурах с ферромагнитными слоями / М. Ю. Чиненков, 2009. - 25 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыУсанов Д.А. Физика работы полупроводниковых приборов в схемах СВЧ / Д. А. Усанов, А. В. Скрипаль, 1999. - 373 с. - Текст : непосредственный.Балябин А.Н. Твердотельные приборы СВЧ, 1973. - 132 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 1(2001) : Мощные высокотемпературные и радиационно-стойкие СВЧ приборы нового поколения на широкозонных гетеропереходных структурах AlGaN/GaN / В.Н. Данилин, Ю.П. Докучаев, Т.А. Жукова, М.А. Комаров, 2001. - 137 с. - Текст : непосредственный.Горбатюк А.В. Неустойчивости и расслоения тока в полупроводниковых структурах : учеб. пособие / А. В. Горбатюк, 2009. - 79 с. - Текст : непосредственный.Ливенцева И.Ф. Твердотельные приборы и устройства СВЧ : Учеб.пособие / И.Ф.Ливенцева,Г.С.Хижа, 1992. - 95 c. - Текст : непосредственный.Попов В.В. Твердотельные сверхвысокочастотные приборы и устройства : учеб. пособие / В. В. Попов, В. Н. Вьюгинов, 2015. - 92 с. - Текст : непосредственный.Электромагнитные явления СВЧ диапазона в неоднородных полупроводниковых структурах / Н.Н.Белецкий,В.М.Светличный,Д.Д.Халамейда,В.М.Яковенко, 1991. - 216 c. - Текст : непосредственный.Kovacs F. High-frequency application of semiconductor devices / F.Kovacs, 1981. - 391 p. - Текст : непосредственный.Яковенко В.А. Широкополосные полупроводниковые устройства СВЧ : Учеб. пособие для студентов 4-5-х курсов РТФ. (спец. 2301) всех форм обучения / В.А.Яковенко, 1990. - 106 с. - Текст : непосредственный.Костарев В.Е. Полупроводниковые приборы сверхвысоких частот : Учеб. пособие / В.Е.Костарев, 1991. - 62 c. - Текст : непосредственный.Попов В.В. Твердотельные сверхвысокочастотные приборы и устройства. Твердотельные приборы СВЧ-диапазона : учебное пособие / В. В. Попов, В. Н. Вьюгинов, 2016. - 35 с. - Текст : непосредственный.Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике : сб. ст. / Ин-т СВЧ полупроводниковой электроники РАН, 2010. - 431 с. - Текст : непосредственный.Перинский В.В. Наноразмерные ионно-легированные структуры арсенида галлия для твердотельных СВЧ устройств : учебное пособие по направлению "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах" / В. В. Перинский, И. В. Перинская, С. Г. Калганова, 2019. - 122 с. - Текст : непосредственный.
Усанов Д.А. Физика работы полупроводниковых приборов в схемах СВЧ / Д. А. Усанов, А. В. Скрипаль, 1999. - 373 с. - Текст : непосредственный.Пискунова М.Г. Влияние операции изготовления полупроводниковых приборов на свойства поверхности арсенида галлия : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук / М. Г. Пискунова, 1992. - 28 с. - Текст : непосредственный.Градобоев А.В. Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. В. Градобоев, 2003. - 35 с. - Текст : непосредственный.Балябин А.Н. Твердотельные приборы СВЧ, 1973. - 132 с. - Текст : непосредственный.
Аитов Р.Д. Экспериментальное исследование СВЧ-шумов горячих электронов в арсениде галлия в диапазоне температур 10-300 К : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:04.00.03 / Р. Д. Аитов, 1993. - 15 с. - Текст : непосредственный.Попов В.В. Конструирование и технология производства полупроводниковых приборов миллиметрового диапазона и устройств на их основе : автореф. дис. .. канд. техн. аук: 05.27.06 / В. В. Попов, 2009. - 16 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 1(2001) : Мощные высокотемпературные и радиационно-стойкие СВЧ приборы нового поколения на широкозонных гетеропереходных структурах AlGaN/GaN / В.Н. Данилин, Ю.П. Докучаев, Т.А. Жукова, М.А. Комаров, 2001. - 137 с. - Текст : непосредственный.Твердотельная электроника сверхвысоких частот : Междуведомств. науч. сб. / Таганрогский гос. радиотехнический ун-т. Вып. 4, 1994. - 87 с. - Текст : непосредственный.Павлов Г.П. Нестационарные электронные процессы в сверхвысокочастотных полупроводниковых структурах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / Г. П. Павлов, 1993. - 34 с. - Текст : непосредственный.Перинский В.В. Ионно-лучевая технология микроприборов сверхвысоких частот на арсениде галлия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.12.13 / В. В. Перинский, 1991. - 51 с. - Текст : непосредственный.Михайлов А.И. Параметрические и нелинейные колебательные и волновые процессы в полупроводниковых структурах в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 01.04.03, 01.04.10 / А. И. Михайлов, 2000. - 31 с. - Текст : непосредственный.Семенов А.А. Исследование нелинейных режимов работы полупроводниковых приборов СВЧ : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук:01.04.03:01.04.10 / А. А. Семенов, 1994. - 17 с. - Текст : непосредственный.Геворкян С.Ш. Оптически управляемые СВЧ элементы : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.12.13;05.27.01 / С. Ш. Геворкян, 1991. - 23 с. - Текст : непосредственный.Шишков М.В. Получение твердых растворов GaInAsP на подложках пористого фосфида индия : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / М. В. Шишков, 2004. - 19 с. - Текст : непосредственный.Горбатюк А.В. Неустойчивости и расслоения тока в полупроводниковых структурах : учеб. пособие / А. В. Горбатюк, 2009. - 79 с. - Текст : непосредственный.Вениг С.Б. Исследование нелинейных явлений в электродинамических системах, содержащих полупроводниковые структуры : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук:01.04.03:01.04.10 / С. Б. Вениг, 1999. - 34 с. - Текст : непосредственный.Ливенцева И.Ф. Твердотельные приборы и устройства СВЧ : Учеб.пособие / И.Ф.Ливенцева,Г.С.Хижа, 1992. - 95 c. - Текст : непосредственный.Radiation resistance of GaAs-based microwave schottky-barrier devices : Some physico-technological aspects / A.E.Belyaev,J.Breza,E.F.Venger и др., 1998. - 127 p. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽