Полное описание
> Шевлягин, А. В. Кристаллическая структура и оптоэлектронные свойства кремниевых диодов со встроенными нанокристаллами полупроводниковой фазы дисилицида железа : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников": автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / А. В. Шевлягин. - 2019. - 19 с. : ил. - Библиогр.: с. 18-19. - 100 экз. - Текст : непосредственный.
ГРНТИ УДК 47.33 621.382.2(043) 621.3.049.77.082.5(043)
Кл.слова (ненормированные): КРЕМНИЕВАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ ФОТОНИКА -- КРЕМНИЕВЫЕ ДИОДНЫЕ СТРУКТУРЫ -- ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ -- ФОТОННЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ -- ФОТОННЫЕ МИКРОСХЕМЫ
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар19-5461)>
Шифр в сводном ЭК: aa0a8491941ce0c3d555bd71c648bf0d
Шевлягин А.В. Кристаллическая структура и оптоэлектронные свойства кремниевых диодов со встроенными нанокристаллами полупроводниковой фазы дисилицида железа : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников": автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / А. В. Шевлягин, 2019. - 19 с. - Текст : непосредственный. Иванченко М.В. Влияние скорости осаждения и квантованности высоты островков на процесс роста индия на поверхности Si(111) / М. В. Иванченко, А. С. Гуральник, А. В. Шевлягин. - Текст : непосредственный // Физика : фундаментальные и прикладные исследования, образование : материалы XII регион. науч. конф., 28-31 окт. 2013 г., Хабаровск. - Хабаровск. - 2013. - с. 118-123 Фотоэлектрические свойства кремниевых гетероструктур со встроенными нанокристаллами β-FeSi2 / А. В. Шевлягин, Д. Л. Горошко, Е. А. Чусовитин [и др.]. - Текст : непосредственный // Физика : фундаментальные и прикладные исследования, образование : материалы XII регион. науч. конф., 28-31 окт. 2013 г., Хабаровск. - Хабаровск. - 2013. - с. 164-166 Куртев Н.Д. Электронные цепи и устройства / Н. Д. Куртев, В. И. Нефедов, 1990. - 53 с. - Текст : непосредственный. Захаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный. Физика и техника полупроводников / Российская академия наук, Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1967г. - Текст : непосредственный. Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный. Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный. Воскресенский В.В. Применение туннельных диодов в импульсной технике, 1974. - 120 с. - Текст : непосредственный. Полупроводниковая микроэлектроника : сборник научных трудов / Новосибирский электротехнический ин-т, 1989. - 113,5 c. c. - Текст : непосредственный. Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный. Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный. Кравченко А.Ф. Магнитная электроника / А. Ф. Кравченко ; Ред. И. Г. Неизвестный, 2002. - 398 с. - Текст : непосредственный. Зотов А.А. Физические основы устройств функциональной электроники / А. А. Зотов, Т. И. Чернышова, В. Н. Чернышов, 1993. - 208 c. - Текст : непосредственный. Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный. Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный. Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный. Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный. Щука А. А. Наноэлектроника / А. А. Щука, 2007. - 463 с. - Текст : непосредственный. Малинаускас К.К. Разработка математического и программного обеспечения систем топологического проектирования СБИС с использованием диаграмм Вороного : специальность 05.13.11 "Математическое и программное обеспечение вычислительных машин,комплексов и компьютерных сетей" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. К. Малинаускас, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный. Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный. Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 1, 2007. - 450 с. - Текст : непосредственный. Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 2, 2007. - 310 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽