Приложение
для AndroidПолное описание
Шевченко, Е. Ф. Плазменные источники химически активных ионов на основе разряда с полым катодом для обработки функциональных слоев микроплат : автореф. дис. ... канд. техн. наук: 01.04.13 / Е. Ф. Шевченко. - 2012. - 22 с. : ил. - Библиогр.: с. 19-22 (27 назв.). - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.13.33 | 621.3.049.76-047.84(043) |
Кл.слова (ненормированные): МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ -- ПЛАЗМОХИМИЧЕСКИЕ ТЕХНОЛОГИИ -- ПРОИЗВОДСТВО
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар12-20008)
Шифр в сводном ЭК: 1bf39ebfb55c7b9b138770261717705c
Frey H. Ionenstrahlgestutzte Halbleitertechnologie / H. Frey, 1992. - 131 S. - Текст : непосредственный.Зятьков И.И. Моделирование технологических процессов формирования полупроводниковых структур / И. И. Зятьков, Е. П. Юрченко, 1994. - 6 c. - Текст : непосредственный.Кривошеева А.Н. Процессы жидкостного химического травления в технологии микросистем. Жидкостное химическое травление полупроводниковых материалов : выставочные материалы / А. Н. Кривошеева, В. В. Лучинин, 2012. - 118 с. - Текст : непосредственный.Трунин Д.А. Физико-технические основы систем переноса изображения на эффекте обращения волнового фронта для микроэлектронной технологии : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Д. А. Трунин, 2003. - 22 с. - Текст : непосредственный.Смирнова Н.А. Разработка технологии изготовления подложек CdZnTe для выращивания гетероструктур CdHgTe/CdZnTe методом жидкофазной эпитаксии : специальность 05.17.01 "Технология неорганических веществ" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / Н. А. Смирнова, 2007. - 24 с. - Текст : непосредственный.Wissenschaftliche Berichte / FZKA. 7215 : Hochauflosende Rontgenlithografie zur Herstellung polymerer Submikrometerstrukturen mit grossem Aspektverhaltnis : Diss. / T.Mappes, S.Achenbach, J.Mohr, 2006. - IV, 71 S. - Текст : непосредственный.Молодечкина Т.В. Формирование легированных оксидов титана термолизом алкоксисоединений для компонентов электронной техники / Т. В. Молодечкина, 2004. - 21 с. - Текст : непосредственный.Рахматуллаев Х.Б. Процессы двухэлектронной локализации и делокализации на примесных атомах олова в узкозонных полупроводниках : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Х. Б. Рахматуллаев, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный.Кузнецов Г.Д. Ионно-плазменная обработка материалов : учебное пособие / Г. Д. Кузнецов, А. Р. Кушхов, 2008. - 179 с. - Текст : непосредственный.Смирнов В.А. Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе Si/SiO2/Ii : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / В. А. Смирнов, 2008. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пархутик В.П. Плазменное анодирование : монография / В. П. Пархутик, В. А. Лабунов, 1990. - 280 c. - Текст : непосредственный.Бордусов С.В. Процессы и устройства СВЧ плазмохимиче ского удаления материалов при формировании изделий электронной техники : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / С. В. Бордусов, 2003. - 41 с. - Текст : непосредственный.Шипатов Э.Т. Ионно-лучевая модификация свойств металлов, сверхпроводников и пленок ферритов-гранатов : учебное пособие / Э. Т. Шипатов, 2007. - 111 с. - Текст : непосредственный.Ito H. Microlithography в· molecular imprinting / H. Ito, 2005 r=on-line. - Текст : электронный.Авдиенко А.А. Физико-технические принципы построения, разработка и применение высокоэнергетичных ионных имплантеров : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. А. Авдиенко, 2004. - 30 c. - Текст : непосредственный.Григорьев Д.В. Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структ урах Cd Hg Te, выращенных мет одом молекулярно-лучевой эпитаксии / Д. В. Григорьев, 2005. - 24 с. - Текст : непосредственный.Гниденко А.А. Исследование влияния давления на поведение гелия и водорода в кристаллическом кремнии / А. А. Гниденко, 2005. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ion beam processing of advanced electronic materials : сборник научных трудов / Ed. N. W. Cheung, 1989. - XI, 401 p. 401 p. - Текст : непосредственный.Хмельницкий Р.А. Радиационное повреждение и графитизация алмаза при ионной имплантации / Р. А. Хмельницкий, 2008. - 19 с. - Текст : непосредственный.Дунаев А.В. Кинетика и механизмы взаимодействия неравновесной низкотемпературной плазмы хлора и хлороводорода с алюминием и арсенидом галлия / А. В. Дунаев, 2011. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыМанукянц А.Р. Влияние внешних воздействий на поверхностную энергию и поверхностное сопротивление металлических систем / А. Р. Манукянц, 2010. - 23 с. - Текст : непосредственный.Моисеев К.М. Управление рельефом поверхности самоупорядоченных глобулярных микроструктур для изделий электронной техники / К. М. Моисеев, 2012. - 16 с. - Текст : непосредственный.Дунаев А.В. Кинетика и механизмы взаимодействия неравновесной низкотемпературной плазмы хлора и хлороводорода с алюминием и арсенидом галлия / А. В. Дунаев, 2011. - 16 с. - Текст : непосредственный.Муслимов А.Э. Управляемая перестройка поверхности кристаллических подложек для формирования эпитаксиальных наноструктур / А. Э. Муслимов, 2018. - 43 с. - Текст : непосредственный.Осипов А.А. Разработка технологии скоростного глубокого плазмохимического травления монокристаллического кварца, карбида кремния и ниобата лития при малой мощности : специальность 05.27.06 - Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / А. А. Осипов, 2019. - 19 с. - Текст : непосредственный.Муслимов А.Э. Влияние рельефа подложек лейкосапфира на процессы роста эпитаксиальных пленок теллурида кадмия и частиц золота : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.18 / А. Э. Муслимов, 2012. - 24 с. - Текст : непосредственный.Смирнов К.Ю. Глубокая очистка оксида диазота : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 02.00.04 / К. Ю. Смирнов, 2010. - 20 с. - Текст : непосредственный.Амиров И.И. Плазменные процессы формирования высокоаспектных структур для микро-наномеханических устройств : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 05.27.01 / И. И. Амиров, 2010. - 45 с. - Текст : непосредственный.Амиров И.И. Плазменные процессы формирования высокоаспектных структур для микро- и наномеханических устройств : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 05.27.01 / И. И. Амиров, 2010. - 45 с. - Текст : непосредственный.Йе Тун Тэйн.Методы управления режимами диффузионных установок и контроля качества топологий в микро и наноэлектронике : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.13.06 / Йе Тун Тэйн, 2014. - 24 с. - Текст : непосредственный.Курбанов Х. Разработка, исследование и освоение технологии производства изделий из коррозионно-стойких сплавов на основе алюминия методами пластического деформирования для микроэлектроники и электротехники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.16.05 / Х. Курбанов, 1991. - 39 с. - Текст : непосредственный.Мяконьких А.В. Мониторинг плазмохимических процессов формирования микро- и наноструктур методами зондовой диагностики : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / А. В. Мяконьких, 2009. - 26 с. - Текст : непосредственный.Турцевич А.С. Формирование из газовой фазы функциональных слоев субмикронных структур микроэлектроники : автореф. дис. .. д-ра техн. наук: 05.27.01 / А. С. Турцевич, 2010. - 52 с. - Текст : непосредственный.Матецкий А.В. Адсорбция фуллеренов C60 на поверхностные реконструкции систем Au/Si(111), In/Si(111) : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / А. В. Матецкий, 2012. - 23 с. - Текст : непосредственный.Кривченко В.А. Плазмохимическое осаждение углеродных нано- и микроструктур для применения в электронике : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.08 / В. А. Кривченко, 2010. - 27 с. - Текст : непосредственный.Ветошкин В.М. Экспериментальная установка для исследования вакуумно-плазменных процессов обработки кварца : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 01.04.01 / В. М. Ветошкин, 2009. - 22 с. - Текст : непосредственный.Шевченко Е.Ф. Плазменные источники химически активных ионов на основе разряда с полым катодом для обработки функциональных слоев микроплат : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 01.04.13 / Е. Ф. Шевченко, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный.Павлов А.А. Разработка конструктивно-технологических методов высокоселективного синтеза ориентированных массивов углеродных нанотрубок на планарных подложках : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / А. А. Павлов, 2010. - 25 с. - Текст : непосредственный.Солодовник М.С. Разработка и исследование технологических основ формирования наноструктур на основе арсенида галлия методом молекулярно-лучевой эпитаксии для элементов микро- и наноэлектроники : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / М. С. Солодовник, 2013. - 19 с. - Текст : непосредственный.Сагунова И.В. Исследование и модификация наноструктур с использованием токовых режимов зондовой микроскопии и литографии : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / И. В. Сагунова, 2010. - 23 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽