Приложение
для AndroidПолное описание
Holweg, P. A.M. Mesoscopic phenomena in metallic point contacts : diss. / P.A.M.Holweg. - Delft, 1992. - X,141 p. p. : ill. - Текст : непосредственный.
Рез.гол.Библиогр. в конце статей.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33.37 | 621.3.049.77-047.84:621.793(043) |
Рубрики:
Интегральные схемы -- Металлизация
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): J2/24469)
Шифр в сводном ЭК: 127f0d58f395f4c2a85420021f4d3605
Полупроводниковая микроэлектроника : сборник научных трудов / Новосибирский электротехнический ин-т, 1989. - 113,5 c. c. - Текст : непосредственный.Зотов А.А. Физические основы устройств функциональной электроники / А. А. Зотов, Т. И. Чернышова, В. Н. Чернышов, 1993. - 208 c. - Текст : непосредственный.Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный.Щука А. А. Наноэлектроника / А. А. Щука, 2007. - 463 с. - Текст : непосредственный.Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 1, 2007. - 450 с. - Текст : непосредственный.Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 2, 2007. - 310 с. - Текст : непосредственный.The second international workshop on surfaces..,Hawaii,7-12 Dec.1997 / Workshop on surfaces and interfaces of mesoscopic devices (2nd ; 1997 ; Hawaii) , 1998. - 183 p. - Текст : непосредственный.Очерки истории российской электроники. Вып. 5 : 50 лет отечественной микроэлектронике. Краткие основы и история развития / Б. М. Малашевич, 2013. - 799 с. - Текст : непосредственный.Орлова М.Н. Наноэлектроника : выставочные материалы / М. Н. Орлова, И. В. Борзых, 2013. - 49 с. (Введено оглавление). - Текст : непосредственный.Micro-and nanoengineering 95 : материалы временных коллективов / Ed. J. Perrocheau, 1996. - XVIII,626 p. p. - Текст : непосредственный.Гетеромагнитная микроэлектроника : Сб. науч. тр. / Рос. агентство по системам упр. Вып. 10 : Гетеромагнитная микро- и наноэлектроника. Прикладные аспекты. Экономика. Методические аспекты физического образования / под ред. А. В. Ляшенко, 2011. - 147 с. - Текст : непосредственный.Ефимов И.Е. Основы микроэлектроники : учебное пособие / И. Е. Ефимов, И. Я. Козырь, 2008. - 384 с. - Текст : непосредственный.Комаров А.С. Управление техническим уровнем высокоинтегрированных электронных систем (научно-технологические проблемы и аспекты развития) / А. С. Комаров, Д. В. Крапухин, Е. И. Шульгин ; Ред. П. П. Мальцев, 2014. - 239 с. - Текст : непосредственный.Бобров И.И. Физические основы микроэлектроники : Курс лекций. Ч. 1, 1995. - 81 с. - Текст : непосредственный.Беседина К.Н. Разработка методов управляемого формирования и исследование тонкопленочных опаловых наноструктур / К. Н. Беседина, 2014. - 16 с. - Текст : непосредственный.Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics . - Журнал выходит с 2006г.Субмикронные технологии : сборник научных трудов / Ред. В. Н. Репин, 1995. - 79 c. - Текст : непосредственный.Физико-химические основы микроэлектроники. Процессы получения пленок / В. Г. Нефедов, О. Б. Гусев, Ю. С. Кулешов, О. В. Шакин, 1991. - 66 с. - Текст : непосредственный.Микроэлектроника и информатика-2001 : сборник, 2001. - 336 с. - Текст : непосредственный.physics and fabrication of microstructures and microdevices : материалы временных коллективов / Ed.: M. J. Kelly, C. Weisbuch, 1986. - XI,469 p. p. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыThielking D. Strukturelle Untersuchungen zur Heteroepitaxie:Wachstum ultradunner Silberschichten auf Silizium(111)-7x7-Substraten : Diss. / D.Thielking, 1993. - 120 S. - Текст : непосредственный.Павлык А.В. Влияние субмонослойных металлических пленок на работу выхода полупроводниковых материалов : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / А. В. Павлык, 2005. - 14 c. - Текст : непосредственный.Лапин Д.Г. Технологические аспекты локальной обработки материалов микро- и наноэлектроники сфокусированным пучком ионов Ga+ и Xe+ : 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / Д. Г. Лапин, 2019. - 22 с. - Текст : непосредственный.Holweg P.A.M. Mesoscopic phenomena in metallic point contacts : Diss. / P.A.M.Holweg, 1992. - X,141 p. p. - Текст : непосредственный.Jeugd C.A.van der Chemical vapour deposition of tungsten from WF6/SiH4 and WF6/GeH4 : Diss. / C.A.van der Jeugd, 1992. - 112 p. - Текст : непосредственный.Порошков В.П. Процессы селективного химического и электрохимического осаждения серебра на поверхность пленок диоксида титана : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.хим.наук:02.00.04 / В. П. Порошков, 1995. - 19 с. - Текст : непосредственный.Лисковская Т.И. Синтез, механизмы реакций термолиза и фотолиза летучих комплексов меди (i), (Ii) и получение медных пленок на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук :02.00.04 / Т. И. Лисковская, 2002. - 21 с. - Текст : непосредственный.Мозалев А.М. Исследование электрохимических и плазмохимических процессов обработки слоев алюминия,тантала и их анодных оксидов при создании планарной многоуровневой металлизации СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / А. М. Мозалев, 1992. - 18 с. - Текст : непосредственный.Yu X. Untersuchungen zum Einfluss von mechanischem Stress auf die Migration in Metallisierungsstrukturen integrierter Schaltungen : Diss. / X.Yu, 2000. - X, 91 S. 91 S. - Текст : непосредственный.Тимаков, Алексей Валерьевич. Физико-технологические решения создания межсоединений металлизации высокотемпературных кремниевых ИС на основе сплавов вольфрама : специальность 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / Тимаков Алексей Валерьевич, 2024. - 22 с. - Текст : непосредственный.Горохов, Сергей Александрович. Исследование диффузии примеси меди в барьерном слое гексагонального рутения для системы металлизации СБИС : специальность: 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Горохов Сергей Александрович, 2025. - 30 с. - Текст : непосредственный.
Заказ фрагмента документа ₽