Приложение
для AndroidПолное описание
Абакумов, В. Н. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках / В. Н. Абакумов, В. И. Перель, И. Н. Яссиевич. - СПб. : [б. и.], 1997. - 375 с. : ил. - 1000 экз. - ISBN 5-86763-111-7. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.356-370
| ГРНТИ | УДК | |
| 29.19.31 | 537.311.322:537.568 |
Рубрики:
Рекомбинация ионов и электронов
Кл.слова (ненормированные): ИОН -- РЕКОМБИНАЦИЯ -- ЭЛЕКТРОН
Доп. точки доступа:
Перель, В.И.
Яссиевич, И.Н.
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д8-97/37779)
Шифр в сводном ЭК: 5fbbe20a9f5b2cd808167f06ac6e869e
Зегря Г.Г. Основы физики полупроводников : Учеб. пособие / Г. Г. Зегря, В. И. Перель, 2009. - 335 с. - Текст : электронный.Абакумов В.Н. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках / В. Н. Абакумов, В. И. Перель, И. Н. Яссиевич, 1997. - 375 с. - Текст : непосредственный.Конников С.Г. Математическое моделирование в диагностике полупроводниковых гетероструктур (количественная растровая микроскопия). Ч.1 / С. Г. Конников, В. М. Чистяков, И. Н. Яссиевич, 1990. - 58 с. - Текст : непосредственный.
Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный.Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный.Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный.Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный.Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный.Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный.Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный.La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный.Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный.Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный.Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыWang J.G. Validity of n-3 scaling law in dielectronic recombination processes / J. G. Wang, T. Kato, I. Murakami, 1999. - 12 p. - Текст : непосредственный.Wang J.G. Dielectronic recombination rate coefficients to excited states of He from He+ / J. G. Wang, T. Kato, I. Murakami, 1999. - 12 p. - Текст : непосредственный.Kato T. Comparison of recombination rate coefficients given by empirical formulas for ions from hydrogen through nickel / T. Kato, E. Asano, 1999. - 124 p. - Текст : непосредственный.Moribayashi K. Dielectronic recombination of Be-like Fe ion / K. Moribayashi, T. Kato, 1996. - 48 p. - Текст : непосредственный.Murakami I. Dielectronic recombination rate coefficients to excited states of Be-like oxygen / I. Murakami, U. I. Safronova, T. Kato, 2001. - 71 p. - Текст : непосредственный.
Dubau J. Dielectronic recombination rate coefficients to the excited states of C I from C II / J.Dubau,T.Kato, 1994. - 51 p. - Текст : непосредственный.Тржасковская М.Б. Атомные данные для астрофизики : 2. Сечения фотоионизации и радиационной рекомбинации для ионов элементов F, Na, Al, P, S, K, Ca / М. Б. Тржасковская, В. К. Никулин, 2010. - 47 с. - Текст : непосредственный.Bureyeva L.A. Radiative cascade due to dielectronic recombination / L.A.Bureyeva,V.S.Lisitsa,C.Namba, 2000. - 6 p. - Текст : непосредственный.Linkemann J. Elektronenstossionisation und Rekombination hochgeladener Natrium-ahnlicher Ionen : Diss. / J.Linkemann, 1995. - VI,94 S. S. - Текст : непосредственный.Kato T. Dielectronic recombination rate coefficients to the excited states of CII from CIII / T.Kato,У.Сафронова,M.Ohira, 1996. - 69 p. - Текст : непосредственный.Research report NIFS DATA series / Nat. inst. for fusion science. 85 : Dielectronic recombination rate coefficients to excited states of boronlike oxygen and dielectronic satellite lines / I.Murakami, T.Kato, U.I.Safronova, A.A.Vasilyev, 2004. - 91 p. - Текст : непосредственный.Абакумов В.Н. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках / В. Н. Абакумов, В. И. Перель, И. Н. Яссиевич, 1997. - 375 с. - Текст : непосредственный.Research report NIFS-DATA series / Nat.inst.for fusion science. 96 : Atomic data for dielectronic recombination into Mg-like Fe / I.Murakami, T.Kato, D.Kato et al., 2006. - 60 p. - Текст : непосредственный.Dubau J. Dielectronic recombination rate coefficients to the excited states of CI from CII / J.Dubau,T.Kato,U.I.Safronova, 1998. - 66 p. - Текст : непосредственный.Сафронова Я. Dielectronic recombination rate coefficients to the excited states of CIII from CIV / Я.Сафронова,T.Kato,M.Ohira, 1996. - 82 p. - Текст : непосредственный.Research report NIFS DATA series / Nat. inst. for fusion science. 93 : Dielectronic recombination rate coefficients to excited states of O III from O IV and dielectronic satellite lines / U.I.Safronova, I.Murakami, D.Kato et al., 2005. - 76 p. - Текст : непосредственный.Research report NIFS DATA series / Nat. inst. for fusion science. 94 : Dielectronic recombination of Xe10+ ions and satellite of Xe9+ ions / M.-Y.Song, T.Kato, 2005. - 70 p. - Текст : непосредственный.Strauss U. Rekombinationskinetik in GaAs und Ga0.5In0.5P bei hohen Ladungstragerdichten : Diss. / U.Strauss, 1994. - 99 S. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Тюрнев Н.В. Применение зондирующего СВЧ электромагнитного излучения для определения рекомбинационных свойств полупроводников : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / Н. В. Тюрнев, 2000. - 26 с. - Текст : непосредственный.Федорцов А.Б. Лазерная интерферометрия рекомбинационных характеристик полупроводников : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.01 / А. Б. Федорцов, 1994. - 30 с. - Текст : непосредственный.Алиева М.Х. Рекомбинация носителей заряда и фоточувствительность полупроводников А В и А B С : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / М. Х. Алиева, 1990. - 38 с. - Текст : непосредственный.Абакумов В.Н. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках / В. Н. Абакумов, В. И. Перель, И. Н. Яссиевич, 1997. - 375 с. - Текст : непосредственный.Strauss U. Rekombinationskinetik in GaAs und Ga0.5In0.5P bei hohen Ladungstragerdichten : Diss. / U.Strauss, 1994. - 99 S. - Текст : непосредственный.Hacker R.F. Korrelationseffekte bei der Rekombination freier Ladungstrager in Silizium : Diss. / R.F.Hacker, 1991. - 133 S. - Текст : непосредственный.Радычев Н.А. Исследование процессов генерации и гибели заряженных частиц в поликристаллических галогенидах и халькогенидах Ag, Cd, Zn методами СВЧ-фотопроводимости и диэлектрической спектрометрии : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.17 / Н. А. Радычев, 2007. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Заказ фрагмента документа ₽