Приложение
для AndroidПолное описание
Александров, С. Е. Технология полупроводниковых материалов : учеб. пособие / С. Е. Александров, Ф. Ф. Греков. - СПб. : Изд-во Политехн. ун-та, 2010. - 244 с. : ил. - (Приоритетный национальный проект "Образование". Национальный исследовательский университет). - Библиогр.: с. 244. - 36 экз. - ISBN 978-5-7422-2891-2. - Текст : непосредственный.
В надзаг.: .-Петерб. Политехн. ун-т
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.09.29 | 621.315.592.002 |
Рубрики:
Полупроводники -- Производство
Доп. точки доступа:
Греков, Ф.Ф.
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д9-10/76981)
Шифр в сводном ЭК: cc3f2b2efa7a6e863c6fd50910ad11df
Александров С.Е. Поверхности текучести пористых тел и моделирование технологических процессов в порошковой металлургии : специальность 01.02.04 "Механика деформируемого твердого тела" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. Е. Александров, 1994. - 29 с. - Текст : непосредственный.
Гольдштейн Р.В. О построении диаграмм деформирования элементов конструкций / Р.В.Гольдштейн,С.Е.Александров, 1995. - 15 c. - Текст : непосредственный.Александров С.Е. Поверхности текучести пористых тел и моделирование технологических процессов в порошковой металлургии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.02.04 / С. Е. Александров, 1993. - 29 с. - Текст : непосредственный.Александров С.Е. Закономерности низкотемпературного химического осаждения нитридных и оксинитридных пленок из газовой фазы : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук: 05.27.06 / С. Е. Александров, 1998. - 34 с. - Текст : непосредственный.Греков Ф.Ф. Кристаллохимия. Структурная кристаллография : учеб. пособие / Ф. Ф. Греков, Г. Б. Рябенко, Ю. П. Смирнов, 2006. - 105 с. - Текст : непосредственный.Александров С.Е. Технология полупроводниковых материалов : учеб. пособие / С. Е. Александров, Ф. Ф. Греков, 2010. - 244 с. - Текст : непосредственный.Александров С.Е. Технология полупроводниковых материалов : учеб. пособие / С. Е. Александров, Ф. Ф. Греков, 2012. - 230 с. - Текст : непосредственный.Александров С.Е. Технология материалов электронной техники. Процессы химического осаждения из газовой фазы : учеб. пособие / С. Е. Александров, 2005. - 92 с. - Текст : непосредственный.Александров С.Е. Методы и приборы для анализа и диагностики наночастиц и наноматериалов. Сканирующая зондовая микроскопия : учеб. пособие / С. Е. Александров, А. Б. Спешилова, 2005. - 83 с. - Текст : непосредственный.Греков Ф.Ф. Кристаллохимические группы фаз : Учеб. пособие / Ф.Ф.Греков, 1991. - 85 с. - Текст : непосредственный.Жидкие и консистентные смазочные композиционные материалы, содержащие дисперсные частицы гидросиликатов магния, для узлов трения управляемых систем / А. Д. Бреки [и др.], 2016. - 165 с. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Численно-аналитические методы решения цепно-полевых задач : учебное пособие / Ю. В. Варламов, Н. В. Коровкин, Т. Г. Миневич, В. М. Юринов, 2010. - 204 с. - Текст : непосредственный.Захарова И.Б. Физические основы микро- и нанотехнологий : выставочные материалы / И. Б. Захарова, 2010. - 200 с. - Текст : непосредственный.Амосов Н.Т. Теплофикация и теплоснабжение : учеб. пособие / Н. Т. Амосов, 2010. - 236 с. - Текст : непосредственный.Блинов Л.Н. Моделирование, синтез и исследование новых стеклообразных и кристаллических материалов : учеб. пособие / Л. Н. Блинов, 2010. - 180 с. - Текст : непосредственный.Новиков Е.В. Физика металлов. Физические методы исследований : учеб. пособие / Е. В. Новиков, О. В. Толочко, В. Д. Андреева, 2010. - 188 с. - Текст : непосредственный.Голод В.М. Вычислительная термодинамика в материаловедении : учеб. пособие / В. М. Голод, К. Д. Савельев, 2010. - 218 с. - Текст : непосредственный.Александров С.Е. Технология полупроводниковых материалов : учеб. пособие / С. Е. Александров, Ф. Ф. Греков, 2010. - 244 с. - Текст : непосредственный.Любомудров С.А. Обеспечение точности технологических процессов : учеб. пособие / С. А. Любомудров, 2010. - 195 с. - Текст : непосредственный.Александров С.Е. Технология полупроводниковых материалов : учеб. пособие / С. Е. Александров, Ф. Ф. Греков, 2012. - 230 с. - Текст : непосредственный.Моделирование и оптимизация динамических систем : учеб. пособие / М. Г. Захаров [и др.], 2010. - 201 с. - Текст : непосредственный.Зысин Л.В. Парогазовые и газотурбинные установки : учеб. пособие / Л. В. Зысин, 2010. - 377 с. - Текст : непосредственный.Пальмов В.А. Нелинейная механика деформируемых тел. Определяющие уравнения анизотропных материалов : учеб. пособие / В. А. Пальмов, 2010. - 144 с. - Текст : непосредственный.
Перминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Кажева О.Н. Синтез и строение новых молекулярных проводников на основе катион-радикальных солей с анионами, содержащими ртуть и редкоземельные элементы : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / О. Н. Кажева, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный.Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Егоров А.Ю. Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Ю. Егоров, 2011. - 40 с. - Текст : непосредственный.Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный.Варлачев В.А. Нейтронное трансмутационное легирование кремния в бассейновом исследовательском ядерном реакторе / В. А. Варлачев, 2015. - 48 с. - Текст : непосредственный.Кремний-2004 : материалы временных коллективов / Институт геохимии им. А. П. Виноградова (Иркутск), 2004. - 244 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1506) : Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1970-1988 гг. / К.П.Николаев,Л.И.Немировский, 1989. - 60 с. - Текст : непосредственный.Талипов Н.Х. Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xTe радиационно-термическими воздействиями / Н. Х. Талипов, 2015. - 46 с. - Текст : непосредственный.Новые магнитные материалы микроэлектроники, 2000. - 889 с. - Текст : непосредственный.Столяров С.М. Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А В с заданными свойствами : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. М. Столяров, 1998. - 15 с. - Текст : непосредственный.Воробьев В.В. Нерасходящееся излучение пучков заряженных частиц в присутствии планарных и объемных периодических структур из параллельных проводников / В. В. Воробьев, 2016. - 19 с. - Текст : непосредственный.INFOS 2007 : материалы временных коллективов / Conference on insulating films on semiconductors (15th ; 2007 ; Glyfada Athens), 2007. - XII, 1845-2439 p. - Текст : непосредственный.Усеинов А.С. Измерение модуля упругости высокотемпературных полупроводниковых материалов и других твердых тел методом сканирующей силовой микроскопии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Усеинов, 2004. - 25 с. - Текст : непосредственный.Карасева Т.В. Размерная обработка кремния и оценка технологических погрешностей : выставочные материалы / Т. В. Карасева, 2014. - 126 с. - Текст : непосредственный.Земцов А.Е. Создание новой полупроводниковой системы GaAs-CdS и изучение ее поверхностных физико-химических свойств : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / А. Е. Земцов, 2004. - 19 с. - Текст : непосредственный.Новоселова А.В. Термодинамика и материаловедение полупроводников / А. В. Новоселова, А. В. Новоселова, В. М. Глазов, Н. А. Смирнова ; карт. В. М. Глазов, 1992. - 391 с. - Текст : непосредственный.-V semiconductor materials and devices / Ed. R. J. Malik, 1989. - IX,727 p. p. - Текст : непосредственный. Фарид Нассур ибн Ханна.Влияние технологических примесей на оптические и электрические свойства монокристаллов Si,подвергнутых термообработке : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Фарид Нассур ибн Ханна, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыFrey H. Ionenstrahlgestutzte Halbleitertechnologie / H. Frey, 1992. - 131 S. - Текст : непосредственный.Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Зятьков И.И. Моделирование технологических процессов формирования полупроводниковых структур / И. И. Зятьков, Е. П. Юрченко, 1994. - 6 c. - Текст : непосредственный.Жук С.В. Исследование процессов лазерного отжига полупроводников методами имитационного моделирования : специальность 05.27.05 "", 05.13.16 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. В. Жук, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Бабанов Ю.Е. Механизмы поверхностных процессов при травлении кремния / Ю. Е. Бабанов, В. Б. Световой, 1990. - 47 с. - Текст : непосредственный.Столяров С.М. Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А В с заданными свойствами : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. М. Столяров, 1998. - 15 с. - Текст : непосредственный.Савицкий А.В. Получение и физические свойства теллурида кадмия / А. В. Савицкий, 1990. - 64 с. - Текст : непосредственный.Джаманбалин К.К. Радиационная модификация поверхности полупроводниковых материалов : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / К. К. Джаманбалин, 2002. - 51 с. - Текст : непосредственный.Pearton S. J. Gallium nitride processing for electronics, sensors and spintronics / S. J. Pearton, C. R. Abernathy, F. Ren, 2006. - XII, 374 p. - Текст : непосредственный.Фарид Нассур ибн Ханна.Влияние технологических примесей на оптические и электрические свойства монокристаллов Si,подвергнутых термообработке : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Фарид Нассур ибн Ханна, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.Рахматуллаев Х.Б. Процессы двухэлектронной локализации и делокализации на примесных атомах олова в узкозонных полупроводниках : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Х. Б. Рахматуллаев, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный.Papers selected from presentations at the 5th international symposium.. held in Tokyo,Oct.2-4,1996 / International symposium on semiconductor manufacturing (5th ; 1996 ; Tokyo) , 1998. - 172 p. - Текст : непосредственный.Crucial issues in semiconductor materials and processing technologies : материалы временных коллективов / Ed. S. Coffa, 1992. - XIX,538 p. p. - Текст : непосредственный.Дефектообразование в природном алмазе, облученном высокоэнергетичными ионами Ni / В. С. Вариченко, А. Ю. Дидык, В. А. Мартинович, 1995. - 11 c. - Текст : непосредственный.Микроструктура дефектов в имплантированных ионами высоких энергий слоях кремния при различных температурах отжига в вакууме / В. С. Вариченко, П. И. Гайдук, А. Ю. Дидык, Н. М. Казючиц, 1995. - 6 c. - Текст : непосредственный.Микроструктура дефектов в имплантированных ионами высоких энергий слоях кремния при отжиге / В. С. Вариченко, П. И. Гайдук, А. Ю. Дидык, Н. М. Казючиц, 1995. - 10 c. - Текст : непосредственный.Шокина Д.И. Влияние термообработок в водороде на эволюцию примесно-дефектной подсистемы кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Д. И. Шокина, 1995. - 14 с. - Текст : непосредственный.Захаров А.А. Физико-химические основы размерной обработки полупроводников. Механическая обработка / А. А. Захаров, В. А. Юзова, 1997. - 217 с. - Текст : непосредственный.Никифоров А.И. Исследование встраивания и десорбции сурьмы в процессе легирования при молекулярно-лучевой эпитаксии кремния : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / А. И. Никифоров, 1994. - 16 с. - Текст : непосредственный.Клебанова И.В. Синтез самонастраивающихся систем управления технологическими процессами сухого травления кремния : специальность 05.13.07 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук / И. В. Клебанова, 1994. - 13 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽