Приложение
для AndroidПолное описание
Чеботарев, С. Н. Влияние геометрических и температурных факторов на сублимационный массоперенос в микроразмерных ростовых ячейках (технологические аспекты) : автореф. дис. ... канд. техн. наук: 05.27.06 / С. Н. Чеботарев. - 2007. - 21 с : ил. - Библиогр.: с. 20-21(16 назв.). - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.13.33 | 621.38-416(043) |
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар07-14988)
Шифр в сводном ЭК: f92ffc4781fff4bad9837dde30db0176
Чеботарев С.Н. Наноструктуры АIVВIV и АIIIВV для устройств оптоэлектроники / С. Н. Чеботарев, М. Л. Лунина, Д. Л. Алфимова, 2014. - 274 с. - Текст : непосредственный.Чеботарев С.Н. Влияние геометрических и температурных факторов на сублимационный массоперенос в микроразмерных ростовых ячейках (технологические аспекты) : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / С. Н. Чеботарев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный.Чеботарев С.Н. Полупроводниковые наногетероструктуры с промежуточной подзоной / С. Н. Чеботарев, В. В. Калинчук, Л. С. Лунин, 2016. - 253 с. - Текст : непосредственный.Чеботарев С.Н. Фотоэлектрические преобразователи на гетероструктурах с квантовыми точками / С. Н. Чеботарев, А. С. Пащенко. - Текст : непосредственный // Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника : материалы всерос. молодеж. конф., 11-12 окт. 2012 г., Новочеркасск. - Новочеркасск. - 2012. - с. 20-28Чеботарев С. Н. Полупроводниковые наногетероструктуры с промежуточной подзоной / С. Н. Чеботарев, В. В. Калинчук, Л. С. Лунин, 2016. - 192 с. - Текст : электронный.
Frey H. Ionenstrahlgestutzte Halbleitertechnologie / H. Frey, 1992. - 131 S. - Текст : непосредственный.Зятьков И.И. Моделирование технологических процессов формирования полупроводниковых структур / И. И. Зятьков, Е. П. Юрченко, 1994. - 6 c. - Текст : непосредственный.Кривошеева А.Н. Процессы жидкостного химического травления в технологии микросистем. Жидкостное химическое травление полупроводниковых материалов : выставочные материалы / А. Н. Кривошеева, В. В. Лучинин, 2012. - 118 с. - Текст : непосредственный.Трунин Д.А. Физико-технические основы систем переноса изображения на эффекте обращения волнового фронта для микроэлектронной технологии : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Д. А. Трунин, 2003. - 22 с. - Текст : непосредственный.Смирнова Н.А. Разработка технологии изготовления подложек CdZnTe для выращивания гетероструктур CdHgTe/CdZnTe методом жидкофазной эпитаксии : специальность 05.17.01 "Технология неорганических веществ" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / Н. А. Смирнова, 2007. - 24 с. - Текст : непосредственный.Wissenschaftliche Berichte / FZKA. 7215 : Hochauflosende Rontgenlithografie zur Herstellung polymerer Submikrometerstrukturen mit grossem Aspektverhaltnis : Diss. / T.Mappes, S.Achenbach, J.Mohr, 2006. - IV, 71 S. - Текст : непосредственный.Молодечкина Т.В. Формирование легированных оксидов титана термолизом алкоксисоединений для компонентов электронной техники / Т. В. Молодечкина, 2004. - 21 с. - Текст : непосредственный.Рахматуллаев Х.Б. Процессы двухэлектронной локализации и делокализации на примесных атомах олова в узкозонных полупроводниках : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Х. Б. Рахматуллаев, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный.Кузнецов Г.Д. Ионно-плазменная обработка материалов : учебное пособие / Г. Д. Кузнецов, А. Р. Кушхов, 2008. - 179 с. - Текст : непосредственный.Смирнов В.А. Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе Si/SiO2/Ii : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / В. А. Смирнов, 2008. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пархутик В.П. Плазменное анодирование : монография / В. П. Пархутик, В. А. Лабунов, 1990. - 280 c. - Текст : непосредственный.Бордусов С.В. Процессы и устройства СВЧ плазмохимиче ского удаления материалов при формировании изделий электронной техники : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / С. В. Бордусов, 2003. - 41 с. - Текст : непосредственный.Шипатов Э.Т. Ионно-лучевая модификация свойств металлов, сверхпроводников и пленок ферритов-гранатов : учебное пособие / Э. Т. Шипатов, 2007. - 111 с. - Текст : непосредственный.Ito H. Microlithography в· molecular imprinting / H. Ito, 2005 r=on-line. - Текст : электронный.Авдиенко А.А. Физико-технические принципы построения, разработка и применение высокоэнергетичных ионных имплантеров : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. А. Авдиенко, 2004. - 30 c. - Текст : непосредственный.Григорьев Д.В. Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структ урах Cd Hg Te, выращенных мет одом молекулярно-лучевой эпитаксии / Д. В. Григорьев, 2005. - 24 с. - Текст : непосредственный.Гниденко А.А. Исследование влияния давления на поведение гелия и водорода в кристаллическом кремнии / А. А. Гниденко, 2005. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ion beam processing of advanced electronic materials : сборник научных трудов / Ed. N. W. Cheung, 1989. - XI, 401 p. 401 p. - Текст : непосредственный.Хмельницкий Р.А. Радиационное повреждение и графитизация алмаза при ионной имплантации / Р. А. Хмельницкий, 2008. - 19 с. - Текст : непосредственный.Дунаев А.В. Кинетика и механизмы взаимодействия неравновесной низкотемпературной плазмы хлора и хлороводорода с алюминием и арсенидом галлия / А. В. Дунаев, 2011. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЕвстифеев Е.В. Получение и исследование физических свойств металлических покрытий на диэлектриках : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / Е. В. Евстифеев, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.
Токнова В.Ф. Структура и свойства бинарных и многокомпонентных покрытий на основе оксида титана и оксида гафния, формируемых атомно-слоевым осаждением из алкоксидов титана и этилметиламида гафния : автореф. дис. .. канд. хим. наук: 02.00.21 / В. Ф. Токнова, 2013. - 18 с. - Текст : непосредственный.Шишов М.А. Самоорганизованные слои полианилина для применения в электронике : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / М. А. Шишов, 2013. - 16 с. - Текст : непосредственный.Бобрович О.Г. Физико-химические процессы при ионно-ассистированном формировании металлосодержащих покрытий на кремнии и графите : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / О. Г. Бобрович, 2004. - 22 с. - Текст : непосредственный.Комлев А.Е. Технология осаждения пленок оксида тантала методом реактивного магнетронного распыления : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.02 / А. Е. Комлев, 2011. - 16 с. - Текст : непосредственный.Ильин А.С. Упругие и неупругие свойства тонких пленок Si3N4, SiO2-SnO2, SiO2-B2O3 и системы Cu-Se, обусловленные включениями второй фазы : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / А. С. Ильин, 2005. - 17 с. - Текст : непосредственный.Бейсенханов Н.Б. Структурные и физические свойства пленок SiCx и SnOx, синтезированных различными методами : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 05.27.01 / Н. Б. Бейсенханов, 2011. - 31 с. - Текст : непосредственный.Тарасенко Е.О. Математическое моделирование особенностей роста и структурных перестроек тонких пленок на подложках : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 05.13.18 / Е. О. Тарасенко, 2006. - 17 с. - Текст : непосредственный.Зверев А.В. Моделирование роста атомно-тонких пленок на подложках со сложной морфологией : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.0410 / А. В. Зверев, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.Чеботарев С.Н. Влияние геометрических и температурных факторов на сублимационный массоперенос в микроразмерных ростовых ячейках (технологические аспекты) : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / С. Н. Чеботарев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный.Волкова С.М. Получение молекулярных пленок на основе тетракис-хелатных комплексов и аддуктов редкоземельных элементов и исследование их свойств : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук :02.00.04 / С. М. Волкова, 2002. - 21 с. - Текст : непосредственный.Костырко С.А. Напряжения в пленочном покрытии и формирование рельефа его поверхности : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.02.04 / С. А. Костырко, 2008. - 15 с. - Текст : непосредственный.Артемов Е.И. Микроструктура и свойства тонких пленок аморфного гидрогенизированного сплава кремния с углеродом : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / Е. И. Артемов, 2004. - 22 c. - Текст : непосредственный.Макаров П.А. Проводящие и СВЧ-отражающие свойства тонких металлических и металл-диэлектрических пленок с включениями : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / П. А. Макаров, 2012. - 26 с. - Текст : непосредственный.Хабибуллина Н.Р. Исследование нанокомпозитных металлополимерных слоев, синтезированных высокодозной имплантацией ионов 3d-элементов : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Н.Р. Хабибуллина, 2005. - 16 с. - Текст : непосредственный.Завадский С.М. Интегрированные ионно-плазменные процессы формирования тонкопленочных структур на рельефных поверхностях : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / С. М. Завадский, 2002. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ильин А.С. Упругие и неупругие свойства тонких пленок Si N, SiO - SnO, SiO -B O и системы Cu-Se, обусловленные включениями второй фазы : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / А. С. Ильин, 2006. - 17 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽