Приложение
для AndroidПолное описание
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Симонов Б.М. Конструкции и технологии изготовления компонентов и узлов электронных средств : выставочные материалы / Б. М. Симонов, О. М. Бритков, А. С. Тимошенков ; Ред. С. П. Тимошенков, 2016. - 364 с. - Текст : непосредственный.Влияние облучения тяжелыми ионами высоких энергий на структурные изменения в аморфных сплавах / А. Ю. Дидык, Л. И. Иванов, В. К. Семина, А. Л. Суворов, 2002. - 11 с. - Текст : непосредственный.Элементная база микро-и наноэлектроники:физика и технология : сборник / Московский ин-т электронной техники, 1994. - 179 c. - Текст : непосредственный.Елесин В.Ф. Комплексные исследования образования и поведения точечных дефектов и их кластеров в графите: атомно-силовая и сканирующая туннельная микроскопия, теоретический анализ, компьютерное моделирование. Ч.1 / В. Ф. Елесин, А. Л. Суворов, 1999. - 16 с. - Текст : непосредственный.Тимошенков С.П. Синтез диэлектрических многокомпонентных материалов в высокочастотной плазме и исследование их свойств : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук / С. П. Тимошенков, 1994. - 30 с. - Текст : непосредственный.Очередной этап экспериментов по изучению влияния температуры и гравитации на гамма-резонанс Ag / В. Г. Алпатов, Ю. Д. Баюков, С. П. Тимошенков, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный.О возможности когерентного поведения атмосферы дефектов в материалах ядерной техники / А. Л. Суворов, В. П. Бабаев, В. И. Графутин, 2001. - 10 с. - Текст : непосредственный.
Тимошенков В.П. Гетероструктурные биполярные транзисторы и интегральные схемы в технике СВЧ : монография / В. П. Тимошенков, Ю. А. Чаплыгин, 2017. - 176 с. - Текст : непосредственный.Шалимов А.С. Проектирование МЭМС-устройств : учебное пособие / А. С. Шалимов, Е. С. Кочурина; под редакцией С. П. Тимошенкова, 2018. - 108 с. - Текст : непосредственный.Комплексное проектирование микросистем на печатных платах в САПР Mentor Graphics : учебное пособие / Д. В. Вертянов, В. Г. Сикоев, Е. П. Горюнова, С. П. Тимошенков ; под редакцией С. П. Тимошенкова ; Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Национальный исследовательский университет "МИЭТ". Ч. 1 : Центральная библиотека Library Manager, 2019. - 172 с. - Текст : непосредственный.Анчутин С.А. Введение в конечно-элементный анализ. Использование ANSYS в задачах математической физики : Учеб. пособие / С. А. Анчутин, В. Е. Плеханов, С. П. Тимошенков, 2007. - 280 с. - Текст : непосредственный.Анализ преимуществ, перспектив применения и технологий производства структур КНИ / А.Л.Суворов,Ю.А.Чаплыгин,С.П.Тимошенков и др., 2000. - 35 с. - Текст : непосредственный.Чаплыгин Ю.А. Введение в технологию кремниевых микроэлектронных датчиков : Учеб.пособие / Ю.А.Чаплыгин,А.И.Галушков;Под ред.Ю.А.Чаплыгина, 1996. - 70 с. - Текст : непосредственный.35 лет МИЭТ. Годы. Люди. События / Моск.гос.ин-т электронной техники (техн.ун-т), 2000. - 237 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Шестопал В.Е. Многопараметрические модели случайных блужданий в решетчатых неупорядоченных системах / В. Е. Шестопал, 1998. - 10 с. - Текст : непосредственный.Изготовление и исследование свойств гамма-источника на основе 109 Cd, внедренного в монокристалл серебра / Г. Е. Бизина, А. В. Давыдов, Г. Р. Карташов, А. А. Садовский, 1990. - 23 c. - Текст : непосредственный.Неудачин В.В. Numerical investigation of mhd instability in radiative z-pinches / В. В. Неудачин, П. В. Сасоров, 1990. - 14 p. - Текст : непосредственный.Поликарпов М.И. New order parameter for lattice gauge theories / М. И. Поликарпов, У. -Д. Визе, 1990. - 4 p. - Текст : непосредственный.Кирпичников И.В. Double beta decay experiments / И. В. Кирпичников, 1989. - 15 p. - Текст : непосредственный.Кочуров Б.П. Computer code TRIFON. Manual / Б. П. Кочуров, A. Yu. Kwaratzheli, V. M. Michailov, 1995. - 20 p. - Текст : непосредственный.Кербиков Б.О. Path integral bosonization of three flavour quark dynamics / Б. О. Кербиков, Ю. А. Симонов, 1995. - 10 p. - Текст : непосредственный.Испытание жидкоаргоновой ионизационной камеры для поиска 2 -распада / А. С. Барабаш, Д. Каруньо, С. И. Коновалов, 1995. - 19 c. - Текст : непосредственный.Кайдалов А.Б. Pion double charge exchange on nuclei and inelastic rescatterings / А. Б. Кайдалов, А. П. Крутенкова, 1996. - 17 p. - Текст : непосредственный.Воробьев И.А. Динамическое согласование пространственно-однородного пучка со статическим квадрупольным каналом / И. А. Воробьев, А. А. Коломиец, 1994. - 13 c. - Текст : непосредственный.Алешин Ю.Д. Существуют ли экзотические состояния в распаде тяжелого бариона В Е П рожденного в реакции П Р n П П П П при импульсе 4,35 ГэВ/с? / Ю. Д. Алешин, 1994. - 29 c. - Текст : непосредственный.Воловик А.И. Краткая инструкция пользователю World Wide Web / А. И. Воловик, Н. С. Илларионова, 1995. - 9 c. - Текст : непосредственный.Воловик А.И. Обработка анкет средствами языка FOXPRO / А. И. Воловик, Н. С. Илларионова, 1995. - 14 c. - Текст : непосредственный.Абрикосов А.А. Part integral in constrained / А. А. Абрикосов, 1993. - 7 p. - Текст : непосредственный.Benvenuto O.G. Possible signatures of the conversion of a neutron star to a strange star / O. G. Benvenuto, M. I. Krivoruchenko, B. V. Martemyanov, 1993. - 24 p. - Текст : непосредственный.Герусов А.В. Numerical simulation of a hollow Z pinch discharge in a multicharged gas / А. В. Герусов, 1993. - 12 p. - Текст : непосредственный.Исследование реакционной способности ионов замещения и точечных дефектов в монокристаллах кварца lSR-методом / В. А. Гордеев, Л. А. Гордиенко, В. А. Евсеев, 1993. - 24 с. - Текст : непосредственный.Slow particles production in interactions of neutrinos with heavy nuclei of photoemulsion / P. A. Gorichev, O. K. Egorov, E. D. Kolganova, 1993. - 14 p. - Текст : непосредственный.Характеристики адронов, образованных в неупругих взаимодействиях пионов с ядрами неона при первичном импульсе 6.2 ГэВ/с / И. Л. Киселевич, В. И. Михайличенко, В. А. Окороков, 1993. - 21 с. - Текст : непосредственный.Проект протон-антипротонного ускорительного комплекса ИТЭФ / Н. Н. Алексеев, А. В. Бархударян, О. В. Беловолов, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыКуртев Н.Д. Электронные цепи и устройства / Н. Д. Куртев, В. И. Нефедов, 1990. - 53 с. - Текст : непосредственный.Захаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный.Физика и техника полупроводников / Российская академия наук, Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1967г. - Текст : непосредственный.Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный.Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Воскресенский В.В. Применение туннельных диодов в импульсной технике, 1974. - 120 с. - Текст : непосредственный.Полупроводниковая микроэлектроника : сборник научных трудов / Новосибирский электротехнический ин-т, 1989. - 113,5 c. c. - Текст : непосредственный.Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный.Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный.Кравченко А.Ф. Магнитная электроника / А. Ф. Кравченко ; Ред. И. Г. Неизвестный, 2002. - 398 с. - Текст : непосредственный.Зотов А.А. Физические основы устройств функциональной электроники / А. А. Зотов, Т. И. Чернышова, В. Н. Чернышов, 1993. - 208 c. - Текст : непосредственный.Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный.Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный.Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный.Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Щука А. А. Наноэлектроника / А. А. Щука, 2007. - 463 с. - Текст : непосредственный.Малинаускас К.К. Разработка математического и программного обеспечения систем топологического проектирования СБИС с использованием диаграмм Вороного : специальность 05.13.11 "Математическое и программное обеспечение вычислительных машин,комплексов и компьютерных сетей" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. К. Малинаускас, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный.Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 1, 2007. - 450 с. - Текст : непосредственный.Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 2, 2007. - 310 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыТехнологии и методы исследования структур КНИ / Б. Ю. Богданович, В. И. Графутин, В. В. Калугин, А. В. Нестерович, 2003. - 288 с. - Текст : непосредственный.
Pavesi L. Porous silicon dielectric multilayers and microcavities / L.Pavesi, 1997. - 76 p. - Текст : непосредственный.Анализ преимуществ, перспектив применения и технологий производства структур КНИ / А.Л.Суворов,Ю.А.Чаплыгин,С.П.Тимошенков и др., 2000. - 35 с. - Текст : непосредственный.Device applications of silicon nanocrystals and nanostructures / ed. N. Koshida, 2009 r=on-line. - Текст : электронный.Laconte J. Micromachined thin-film sensors for SOI-CMOS co-integration / J. Laconte, D. Flandre, J. -P. Raskin, 2006 r=on-line. - Текст : электронный.Fruhauf J. Shape and functional elements of the bulk silicon microtechnique : a man. of wet-etched silicon structures / J. Fruhauf, 2005. - XII, 221 p. - Текст : непосредственный.Зайцев Н.А. Структурно-примесные и электрофизические свойства системы Si-SiO / Н.А.Зайцев,И.О.Шурчков, 1993. - 192 c. - Текст : непосредственный.Зиновьев Д.В. Кремниевые структуры для приборов микроэлектроники : учеб. пособие по курсу "Технология микроэлектроники" / Д. В. Зиновьев, В. М. Андреев, К. А. Тузовский, 2006. - 64 с. - Текст : непосредственный.Springer series in materials science / ed. R. Hull [et al.]. 106 : Into the nano era. Moore's law beyond planar silicon CMOS / ed. H. R. Huff, 2009. - XXVIII, 343 p. - Текст : непосредственный.Козлов Ю.Ф. Структуры кремния на сапфире: технология, свойства, методы контроля, применение : Учеб. пособие / Ю.Ф.Козлов,В.В.Зотов, 2004. - 139 с. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Романов Ю.А. Нелинейная проводимость и вольт-амперные характеристики двумерных полупроводниковых сверхрешеток / Ю. А. Романов, Е. В. Демидов, 1997. - 19 с. - Текст : непосредственный.Муляров Е.А. Диэлектрическое усиление экситонов в полупроводниковых квантовых нитях / Е. А. Муляров, С. Г. Тиходеев, 1995. - 13 c. - Текст : непосредственный.Тагиев О.В. Механизм токопрохождения в монокристаллах Mn Ba2 Se4 в сильных электрических полях / О. В. Тагиев, Э. З. Зейналов, З. А. Искандерзаде, 1991. - 37 с. - Текст : непосредственный.Ибрагимов Т.Д. Объемные и поверхностные колебательные состояния в полупроводниковых и диэлектрических пленках / Т. Д. Ибрагимов, Х. С. Наджафова, 1991. - 30 с. - Текст : непосредственный.Фундаментальные процессы роста пленок Au на подложках GaAs и их влияние на свойства границ разделов металл-полупроводник / Т. А. Брянцева, Д. В. Любченко, Е. О. Юневич, Г. Г. Дворянкина, 1997. - 29 с. - Текст : непосредственный.
Маркова Н.В. Generation of electron-hole pairs in narrow-gap semiconductor heterostructures by the potential barrier (Klein's effect) / Н.В.Маркова, 1994. - 3 p. - Текст : непосредственный.Маркова Н.В. Exchange energy of degenerate electron gas in narrow-gap semiconductor film / Н.В.Маркова, 1995. - 13 c. - Текст : непосредственный.Селезнев В.Н. Изменение проводимости структур на основе аморфного кремния под действием электрического поля / В.Н.Селезнев,Л.Е.Федичкин, 1990. - 15 c. - Текст : непосредственный.Анализ преимуществ, перспектив применения и технологий производства структур КНИ / А.Л.Суворов,Ю.А.Чаплыгин,С.П.Тимошенков и др., 2000. - 35 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽