Приложение
для AndroidПолное описание
Антюшин, В. Ф. МДП структуры с зарядовой связью по обогащенному слою / В. Ф. Антюшин, В. Д. Стрыгин, Д. А. Власов. - Воронеж : [б. и.], 1998. - 57 с. : ил. - 1000 экз. - ISBN 5-89448-047-7. - Текст : непосредственный.
В надзаг.:Воронеж.гос.технол.акад.Библиогр.:с.55-57 (38 назв.)
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.382 |
Рубрики:
Полупроводниковые приборы с зарядовой связью
Кл.слова (ненормированные): ЗАРЯДОВАЯ СВЯЗЬ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР
Доп. точки доступа:
Стрыгин, В.Д.
Власов, Д.А.
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д8-98/40417)
Шифр в сводном ЭК: 0e364d3633d274f56df1dab7b6725f26
Власов Д.А. Нечеткие методы и модели поддержки управленческих решений формирования организационной структуры промышленного объединения : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.13.08 / Д. А. Власов, 2010. - 22 с. - Текст : непосредственный.Власов Д.А. Математические модели и методы внутримодельных исследований "Линейное программирование", "Теория игр", "Исследование операций" : Учеб. пособие для студентов экон. спец. / Д. А. Власов, Н. В. Монахов, В. М. Монахов; под ред. А. И. Нижникова, 2007. - 345 с. - Текст : непосредственный.Стрыгин В.Д. Энергетический спектр и электрофизические свойства переходных слоев в гетероструктурах GaAs-A B : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / В. Д. Стрыгин, 1997. - 30 с. - Текст : непосредственный.Стрыгин В.Д. Новые модифицирующие системы на основе нитронов для эластомерных композиций различного назначения : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук:05.17.06 / В. Д. Стрыгин, 1997. - 24 с. - Текст : непосредственный.Антюшин В.Ф. МДП структуры с зарядовой связью по обогащенному слою / В. Ф. Антюшин, В. Д. Стрыгин, Д. А. Власов, 1998. - 57 с. - Текст : непосредственный.Власов Д.А. Налоговое право Российской Федерации. Общая часть : учеб. пособие / Д. А. Власов, 2013. - 168 с. - Текст : непосредственный.Власов Д.А. Методы и алгоритмы обработки данных эксплуатации скважин для оценки модели плоскорадиального притока : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.13.01 / Д. А. Власов, 2012. - 15 с. - Текст : непосредственный.Буданов А.В. Основы электродинамики : Учеб. пособиеТексты лекций / А. В. Буданов, В. И. Ковалевский, В. Д. Стрыгин, 1999. - 164 с. - Текст : непосредственный.Буданов А. В. Основы электродинамики : учеб. пособие / А. В. Буданов [и др.], 2010. - 180 с. - Текст : непосредственный.Антюшин В.Ф. Полевые полупроводниковые гетероструктуры с распределенными параметрами и зарядовой связью по обогащенному слою : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 01.04.07 / В. Ф. Антюшин, 1998. - 28 с. - Текст : непосредственный.Десятов Д.Д. Содержание трития в твердых радиоактивных отходах АЭС / Д. Д. Десятов, А. А. Екихидин, Д. А. Власов. - Текст : непосредственный // Атомная энергия. - Москва : Атомная энергия, 2025. - Т. 139 № 4. - с. 235-241
Куртев Н.Д. Электронные цепи и устройства / Н. Д. Куртев, В. И. Нефедов, 1990. - 53 с. - Текст : непосредственный.Захаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный.Физика и техника полупроводников / Российская академия наук, Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1967г. - Текст : непосредственный.Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный.Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Воскресенский В.В. Применение туннельных диодов в импульсной технике, 1974. - 120 с. - Текст : непосредственный.Полупроводниковая микроэлектроника : сборник научных трудов / Новосибирский электротехнический ин-т, 1989. - 113,5 c. c. - Текст : непосредственный.Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный.Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный.Кравченко А.Ф. Магнитная электроника / А. Ф. Кравченко ; Ред. И. Г. Неизвестный, 2002. - 398 с. - Текст : непосредственный.Зотов А.А. Физические основы устройств функциональной электроники / А. А. Зотов, Т. И. Чернышова, В. Н. Чернышов, 1993. - 208 c. - Текст : непосредственный.Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный.Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный.Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный.Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Щука А. А. Наноэлектроника / А. А. Щука, 2007. - 463 с. - Текст : непосредственный.Малинаускас К.К. Разработка математического и программного обеспечения систем топологического проектирования СБИС с использованием диаграмм Вороного : специальность 05.13.11 "Математическое и программное обеспечение вычислительных машин,комплексов и компьютерных сетей" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. К. Малинаускас, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный.Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 1, 2007. - 450 с. - Текст : непосредственный.Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 2, 2007. - 310 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Физика и техника полупроводников / Российская академия наук, Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1967г. - Текст : непосредственный.Чебуркин А.Н. Диагностика источников электронов по двумерным изображениям : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Н. Чебуркин, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Воскресенский В.В. Применение туннельных диодов в импульсной технике, 1974. - 120 с. - Текст : непосредственный.Виноградов М.И. Вакуумные процессы оборудование ионно-и электронно- лучевой технологии / М. И. Виноградов, Ю. П. Маишев, 1989. - 53 с. - Текст : непосредственный.Моносилан в технологии полупроводниковых материалов / Е. П. Белов, Е. Н. Лебедев, Ю. П. Григораш [и др.], 1989. - 66 с. - Текст : непосредственный.Игонина Т.И. Технологическое обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств / Т. И. Игонина, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный.Springer series in advanced microelectronics / ed. K. Itoh [et al.]. 16 : High dielectric constant materials : VLSI MOSFET applications / ed.: H. R. Huff, D. C. Gilmer, 2005. - XXIV, 710 p. - Текст : непосредственный.Ровдо А.А. Полупроводниковые диоды и схемы с диодами / А. А. Ровдо, 2000. - 286 с. - Текст : непосредственный.Mahapatra S. Hybrid CMOS single-electron-transistor device and circuit design / S. Mahapatra, A. M. Ionescu, 2006. - 1 o=электрон. опт. диск (CD-ROM). - Текст : электронный.Петухов В.М. Полупроводниковые приборы.Транзисторы.Дополнение первое / В. М. Петухов, 1994. - 230 c. - Текст : непосредственный.Новоселов А.Ю. Моделирование и исследование полупроводниковых структур с вольтамперными характеристиками N-типа и приборов на их основе : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук / А. Ю. Новоселов, 2000. - 22 с. - Текст : непосредственный.Николаенков Ю.К. Аналитические модели статических и переходных характеристик длиннобазовых биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ) : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук / Ю. К. Николаенков, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный.Моряков О.С. Сборка / О. С. Моряков, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный.Семенов Ю.Г. Контроль качества / Ю. Г. Семенов, 1990. - 111 c. - Текст : непосредственный.Grundmann M. The physics of semiconductors / M. Grundmann, 2006 r=on-line. - Текст : электронный.Денисенко В.В. Компактные модели МОП-транзисторов для SPICE в микро- и наноэлектронике / В. В. Денисенко, 2010. - 407 с. - Текст : непосредственный.Петухов В.М. Полупроводниковые приборы. Транзисторы / В. М. Петухов, 1995. - 288 c. - Текст : непосредственный.Минарский А.М. Transverse stability and inhomogeneous dynamics of fasr impact ionization waves in diode structures / А. М. Минарский, П. Б. Родин, 1995. - 40 p. - Текст : непосредственный.Смирнов А.Д. Технология приборов на арсениде галия / А. Д. Смирнов, 1994. - 48 c. - Текст : непосредственный.Аблин А.Н. Транзисторные и варакторные устройства. Анализ и синтез / А. Н. Аблин, Л. Я. Могилевская, Ю. Л. Хотунцев, 1995. - 160 c. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽