Полное описание
Сауров, А. Н.
ГРНТИ УДК 47.13.11 621.3.049.771.14.002(043)
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР99-сф175)
Шифр в сводном ЭК: 7d6b76351d641daae3461b8d4acb5d8c
Микросхемы для аппаратуры космического назначения : выставочные материалы / В. В. Коняхин, А. Н. Денисов, Р. А. Фёдоров [и др.] ; Ред. А. Н. Сауров, 2017. - разд. паг. с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Физика полупроводниковых преобразователей : [коллективная монография] / Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, 2018. - 276 с. - Текст : непосредственный. Полузаказные БИС на БМК серий 5503 и 5507 : серия практ. пособий в 4 кн. / Науч.-произв. комплекс "Технол. центр" ; под общ. ред. А. Н. Саурова. Кн. 4 : Библиотека функциональных ячеек для проектирования самосинхронных полузаказных микросхем серий 5503 и 5507 / Ю. А. Степченков [и др.], 2017. - Разд. паг. с. - Текст : непосредственный. Сауров А.Н. Методы самоформирования в микроэлектронике : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук: 05.27.01 / А. Н. Сауров, 1999. - 46 с. - Текст : непосредственный. Трехмерные датчики магнитного поля на основе магниторезестивных структур с наноразмерными толщинами пленок / В. В. Амеличев, Р. О. Гаврилов, И. А. Гамарц [и др.]. - Текст : непосредственный // Микро- и нанотехнологии в электронике. - Нальчик : Каб.-Балк. гос. ун-т, 2009. - с. 236-238 Полузаказные БИС на БМК серий 5503 и 5507 : серия практических пособий в 4 книгах / Научно-производственный комплекс "Технологический центр" ; под общей редакцией А. Н. Саурова. Кн. 2 : Система автоматизированного проектирования "Ковчег 3.04" / С. В. Гаврилов, А. Н. Денисов, В. В. Коняхин, М. М. Соколовская, 2019. - Разд. паг. с. - Текст : непосредственный. Виноградов М.И. Вакуумные процессы оборудование ионно-и электронно- лучевой технологии / М. И. Виноградов, Ю. П. Маишев, 1989. - 53 с. - Текст : непосредственный. Полтавцев Ю.Г. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике / Ю. Г. Полтавцев, А. С. Князев, 1990. - 206 c. - Текст : непосредственный. Моносилан в технологии полупроводниковых материалов / Е. П. Белов, Е. Н. Лебедев, Ю. П. Григораш [и др.], 1989. - 66 с. - Текст : непосредственный. Голод С.В. Методы формирования трехмерных микро- и наноструктур на основе напряженных SiGe/Si пленок : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Голод, 2006. - 23 с. - Текст : непосредственный. Пичугин К.Н. Эффекты квантовой интерференции в электронном транспорте через двумерные наноструктуры : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. Н. Пичугин, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный. Игонина Т.И. Технологическое обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств / Т. И. Игонина, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный. Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный. Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный. Моряков О.С. Сборка / О. С. Моряков, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный. Мартынов В.В. Литографические процессы / В. В. Мартынов, Т. Е. Базаров, 1990. - 128 c. - Текст : непосредственный. Nastasi M. Ion implantation and synthesis of materials / M. Nastasi, J. W. Mayer, 2006 r=on-line Пак М.М. Моделирование элементов нейронных сетей на основе твердотельных нанообъектов : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / М. М. Пак, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный. Смирнов А.Д. Технология приборов на арсениде галия / А. Д. Смирнов, 1994. - 48 c. - Текст : непосредственный. Анищенко Л.М. Автоматизированное проектирование и моделирование технологических процессов микроэлектроники / Л. М. Анищенко, С. Ю. Лавренюк, В. В. Петрухин, 1995. - 177 c. - Текст : непосредственный. Бондаренко Л.В. Структура и поверхностная проводимость металлических и металл-фуллереновых систем на реконструированных поверхностях Si(111) / Л. В. Бондаренко, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный. Жук С.В. Исследование процессов лазерного отжига полупроводников методами имитационного моделирования : специальность 05.27.05 "", 05.13.16 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. В. Жук, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный. Экспериментально-теоретическое исследование процесса формирования системы кислородосодержащий преципитат-дислокационные петли / Р. В. Гольдштейн, К. Б. Устинов, П. С. Шушпанников [и др.], 2007. - 29 с. - Текст : непосредственный. Гиндин П.Д. Разработка новых технологий и оборудования на основе метода лазерного управляемого термораскалывания для обработки деталей приборостроения, микро- и оптоэлектроники : специальность 05.11.14 "Технология приборостроения" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / П. Д. Гиндин, 2010. - 43 с. - Текст : непосредственный. Herstellung beweglicher LIGA-Mikrostrukturen durch positionierte Abformung / A. Both, W. Bacher, M. Heckele, R. Ruprecht, 1995. - III,103 S. S. - Текст : непосредственный. Бабанов Ю.Е. Механизмы поверхностных процессов при травлении кремния / Ю. Е. Бабанов, В. Б. Световой, 1990. - 47 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Акуленок М.В. Исследование и разработка процесса формирования эпитаксиальных структур "кремний на диэлектрике" для совершенствования технологии СБИС : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / М. В. Акуленок, 1990. - 17 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Бокша В.В. Разработка основ технологии создания маскирующих слоев для БИС методом лазерной вакуумной проекционной литографии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / В. В. Бокша, 1992. - 21 с. - Текст : непосредственный. Kahler J.D. Selektive Wolframauffullung fur CoSi2-Kontakte in grossintegrierten Schaltungen : Diss. / J.D.K@:ahler, 1999. - 124 S. - Текст : непосредственный. Козлитин А.И. Моделирование изображений в растровом электронном микроскопе и разработка метода прецизионных измерений топологических размеров интегральных схем : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / А. И. Козлитин, 1994. - 34 с. - Текст : непосредственный. Епимахов И.Д. Оптимизация условий выращивания и использование "третьего" компонента в процессах получения совершенных монокристаллов кремния методом Чохральского для СБИС : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / И. Д. Епимахов, 2003. - 22 с. - Текст : непосредственный. Редичев Е.Н. Размерный эффект плавления тонких медных пленок и его использование для формирования межсоединений кремниевых СБИС : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / Е. Н. Редичев, 2006. - 26 с. - Текст : непосредственный. Булыгина Е.В. Повышение выхода годных СБИС путем удаления привнесенных микрочастиц в вакууме : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.07 / Е. В. Булыгина, 1997. - 16 с. - Текст : непосредственный. Путря М.Г. Физико-технологические основы формирования трехмерных микроструктур УБИС плазменными методами : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук :05.27.01 / М. Г. Путря, 2002. - 53 с. - Текст : непосредственный. Каратунов Ю.В. Моделирование и оптимизация параметров технологических процессов химического осаждения тонких пленок из газовой фазы в производстве приборов электронной техники : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / Ю. В. Каратунов, 2003. - 27 с. - Текст : непосредственный. Красников Г.Я. Физико-технологические принципы и методы обеспечения качества КМОП БИС массового производства : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.27.01 / Г. Я. Красников, 1996. - 49 с. - Текст : непосредственный. Niewohner L. ITM-prozessierte CoSi2-Kontakte fur grossintegrierte CMOS-Schaltungen : Diss. / L.Niew@:ohner, 1991. - 112 S. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
