Полное описание
> Емельянов, В. А. Конструктивно-технологические методы и средства микромонтажа кристаллов конкурентоспособных изделий микроэлектроники : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.27.01 / В. А. Емельянов. - Минск, 1998. - 44 с. - Текст : непосредственный. В надзаг. : Белорус.гос. ун-т информатики и радиоэлектроники. Библиогр.:с. 33-41(102назв.)
ГРНТИ УДК 47.13.11 621.3.049.76.002.72(043)
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР99-сф128)>
Шифр в сводном ЭК: 597ed10e75756ce5b0abfca1861f29ad
Емельянов В.А. Диэлектрические свойства растворов нематических жидких кристаллов при высоких давлениях : специальность 01.04.14 "Теплофизика и теоретическая теплотехника" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / В. А. Емельянов, 1999. - 18 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Хмыль А.А. Гальванические покрытия в изделиях электроники / А. А. Хмыль, В. Л. Ланин, В. А. Емельянов, 2017. - 475 с. - Текст : непосредственный. Емельянов В.А. Химия в НГУ. Неорганическая химия : учеб. пособие / В. А. Емельянов, Н. Г. Наумов, Т. Д. Федотова, 2011. - 224 с. - Текст : непосредственный. Емельянов В.А. Интеллектуализация информационных систем мониторинга и технической диагностики футерованного оборудования : монография / В. А. Емельянов, Н. Ю. Емельянова, 2015. - 159 с. - Текст : непосредственный. Емельянов В.А. Образование и превращения нитритных комплексов родия (Ш) и рутения (П) в водных растворах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.хим.наук:02.00.01 / В. А. Емельянов, 1994. - 24 с. - Текст : непосредственный. Зенин В.В. Монтаж кристаллов и внутренних выводов в производстве полупроводниковых изделий / В. В. Зенин, В. А. Емельянов, В. Л. Ланин, 2015. - 379 с. - Текст : непосредственный. Белоус А.И. Основы схемотехники микроэлектронных устройств / А. И. Белоус, В. А. Емельянов, А. С. Турцевич, 2012. - 471 с. - Текст : электронный. Емельянов В.А. Методологические основы создания автоматизированных систем управления эксплуатацией футерованного оборудования : автореф. дис. .. д-ра техн. наук: 05.13.06 / В. А. Емельянов, 2016. - 50 с. - Текст : непосредственный. Плевако В.С. Экономика повышения качества доменного сырья / В. С. Плевако, И. М. Сальников, В. А. Емельянов, 1993. - 142 c. - Текст : непосредственный. Ланин В. Л. Электромонтажные соединения в электронике: технология, оборудование, контроль качества / В. Л. Ланин, В. А. Емельянов, 2013. - 409 с. - Текст : непосредственный. Емельянов В.А. Рыночная активность предприятия / В.А. Емельянов, Н.П. Беляцкий, П.А. Достанко, 2005. - 190 с. - Текст : непосредственный. Емельянов В.А. Конструктивно-технологические методы и средства микромонтажа кристаллов конкурентоспособных изделий микроэлектроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.27.01 / В. А. Емельянов, 1998. - 44 с. - Текст : непосредственный. Космический мусор : в 2 кн. / под науч. ред. Г. Г. Райкунова. Кн. 1 : Методы наблюдения и модели космического мусора / В. М. Агапов [и др.], 2014. - 244 с. - Текст : непосредственный. Емельянов В.А. Методы обработки результатов измерений в лаборатории физпрактикума : Учеб. пособие для естеств. и техн. спец. высш. учеб. заведений / В.А.Емельянов,Д.Г.Лин,В.Ф.Шолох, 1997. - 90 с. - Текст : непосредственный. Ввоз товаров. Ставки таможенных пошлин : Сб. нормат. документов / Коммент. В.А.Емельянова, 1997. - 341 с. - Текст : непосредственный. Ланин, В. Л. Общие принципы проектирования технологических процессов производства радиоэлектронных средств : Конспект лекций по дисциплине "Технология РЭС и автоматизация пр-ва" для студентов спец. "Конструирование и технология РЭС". Ч. 1, 1995. - 62 с. - Текст : непосредственный. Горлов М.И. Геронтология кремниевых интегральных схем / М. И. Горлов, В. А. Емельянов, А. В. Строгонов, 2004. - 239 с. Показать все результаты Виноградов М.И. Вакуумные процессы оборудование ионно-и электронно- лучевой технологии / М. И. Виноградов, Ю. П. Маишев, 1989. - 53 с. - Текст : непосредственный. Полтавцев Ю.Г. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике / Ю. Г. Полтавцев, А. С. Князев, 1990. - 206 c. - Текст : непосредственный. Моносилан в технологии полупроводниковых материалов / Е. П. Белов, Е. Н. Лебедев, Ю. П. Григораш [и др.], 1989. - 66 с. - Текст : непосредственный. Голод С.В. Методы формирования трехмерных микро- и наноструктур на основе напряженных SiGe/Si пленок : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Голод, 2006. - 23 с. - Текст : непосредственный. Пичугин К.Н. Эффекты квантовой интерференции в электронном транспорте через двумерные наноструктуры : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. Н. Пичугин, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный. Игонина Т.И. Технологическое обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств / Т. И. Игонина, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный. Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный. Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный. Моряков О.С. Сборка / О. С. Моряков, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный. Мартынов В.В. Литографические процессы / В. В. Мартынов, Т. Е. Базаров, 1990. - 128 c. - Текст : непосредственный. Nastasi M. Ion implantation and synthesis of materials / M. Nastasi, J. W. Mayer, 2006 r=on-line Пак М.М. Моделирование элементов нейронных сетей на основе твердотельных нанообъектов : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / М. М. Пак, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный. Смирнов А.Д. Технология приборов на арсениде галия / А. Д. Смирнов, 1994. - 48 c. - Текст : непосредственный. Анищенко Л.М. Автоматизированное проектирование и моделирование технологических процессов микроэлектроники / Л. М. Анищенко, С. Ю. Лавренюк, В. В. Петрухин, 1995. - 177 c. - Текст : непосредственный. Бондаренко Л.В. Структура и поверхностная проводимость металлических и металл-фуллереновых систем на реконструированных поверхностях Si(111) / Л. В. Бондаренко, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный. Жук С.В. Исследование процессов лазерного отжига полупроводников методами имитационного моделирования : специальность 05.27.05 "", 05.13.16 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. В. Жук, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный. Экспериментально-теоретическое исследование процесса формирования системы кислородосодержащий преципитат-дислокационные петли / Р. В. Гольдштейн, К. Б. Устинов, П. С. Шушпанников [и др.], 2007. - 29 с. - Текст : непосредственный. Гиндин П.Д. Разработка новых технологий и оборудования на основе метода лазерного управляемого термораскалывания для обработки деталей приборостроения, микро- и оптоэлектроники : специальность 05.11.14 "Технология приборостроения" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / П. Д. Гиндин, 2010. - 43 с. - Текст : непосредственный. Herstellung beweglicher LIGA-Mikrostrukturen durch positionierte Abformung / A. Both, W. Bacher, M. Heckele, R. Ruprecht, 1995. - III,103 S. S. - Текст : непосредственный. Бабанов Ю.Е. Механизмы поверхностных процессов при травлении кремния / Ю. Е. Бабанов, В. Б. Световой, 1990. - 47 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽