Приложение
для AndroidПолное описание
Гафуров, О. В. Исследование влияния радиации на дефектообразование и электрофизические свойства полупроводниковых структур и приборов : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / О. В. Гафуров. - Душанбе, 2002. - 20 с. : ил. - Текст : непосредственный.
Библиогр.: с. 20(8 назв.)
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.382:539.16(043) | |
| 29.19.31 | 537.311.322:539.16(043) | |
| 537.311.322:537(043) |
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар03-4745)
Шифр в сводном ЭК: 3f293d4b728991405f4fcb5d2b2fc6b6
Куртев Н.Д. Электронные цепи и устройства / Н. Д. Куртев, В. И. Нефедов, 1990. - 53 с. - Текст : непосредственный.Захаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный.Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный.Физика и техника полупроводников / Российская академия наук, Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1967г. - Текст : непосредственный.Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный.Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Воскресенский В.В. Применение туннельных диодов в импульсной технике, 1974. - 120 с. - Текст : непосредственный.Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный.Полупроводниковая микроэлектроника : сборник научных трудов / Новосибирский электротехнический ин-т, 1989. - 113,5 c. c. - Текст : непосредственный.Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный.Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный.Кравченко А.Ф. Магнитная электроника / А. Ф. Кравченко ; Ред. И. Г. Неизвестный, 2002. - 398 с. - Текст : непосредственный.Зотов А.А. Физические основы устройств функциональной электроники / А. А. Зотов, Т. И. Чернышова, В. Н. Чернышов, 1993. - 208 c. - Текст : непосредственный.Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный.Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный.Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный.Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный.Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыМедведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный.Осипов П.А. Влияние гетеровалентного легирования на электрофизические свойства Sn Pb Ge Te и самокомпенсацию примесей в PbSe : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. А. Осипов, 2000. - 18 с. - Текст : непосредственный.Ибрагимова А.С. Теоретические и вычислительные аспекты исследования одного варианта метода прямых для системы моментных уравнений переноса заряда в полупроводниках : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Ибрагимова, 2009. - 22 с. - Текст : непосредственный.Алалыкин А.С. Формирование дефектной структуры и свойства арсенида галлия, облученного ионами аргона низких энергий : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Алалыкин, 2004. - 23 с. - Текст : непосредственный.Шаршунов Д.В. Проводимость алмаза, индуцированная оптическим и ионизирующим излучением : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Д. В. Шаршунов, 2003. - 14 с. - Текст : непосредственный.Королев Ф.А. Импеданс нанопористых оксидов алюминия и титана с адсорбированной водой вблизи фазового перехода вода - лед / Ф. А. Королев, 2008. - 21 с. - Текст : непосредственный.Пешев В.В. Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / В. В. Пешев, 1999. - 37 с. - Текст : непосредственный.Ярашюнас К.Ю. Динамические решетки в изучении светоиндуцированных оптических и электрических явлений и параметров полупроводников : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / К. Ю. Ярашюнас, 1990. - 47 с. - Текст : непосредственный.Демарина Н.В. Электронный транспорт в GaAs в структурах при радиационном воздействии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Н. В. Демарина, 2000. - 18 с. - Текст : непосредственный.Зимин С.П. Электрофизика пористого кремния и структур на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / С. П. Зимин, 2003. - 32 с. - Текст : непосредственный.Скаляух О.В. Дефектообразование в кремнии при облучении альфа-частицами с энергией 5,4 МэВ : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / О. В. Скаляух, 2005. - 24 c. - Текст : непосредственный.Тралле И.Е. Процессы переноса заряда в полупроводниках и структурах полупроводник-диэлектрик в условиях воздействия электромагнитного поля : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / И. Е. Тралле, 1996. - 32 с. - Текст : непосредственный.Мартинович В.А. ЭПР дефектов в алмазе и кремнии, облученных ионами высоких энергий : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / В. А. Мартинович, 1996. - 19 с. - Текст : непосредственный.Штанько В.Ф. Неравновесные процессы в диэлектриках и полупроводниках при импульсном электронном возбуждении : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / В. Ф. Штанько, 2000. - 39 с. - Текст : непосредственный.Лифенко В.М. Процессы переноса и рекомбинации неравновесных зарядов в поликристаллах халькогенидов цинка : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. М. Лифенко, 1998. - 22 с. - Текст : непосредственный.Коротаев А.Г. Исследование радиационных дефектов в кристаллах H Cd Te ядернофизическими методами : специальность 01.40.10 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Г. Коротаев, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Летенко Д.Г. Исследование времен жизни носителей тока в узкозонных полупроводниках интерференционным методом : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Д. Г. Летенко, 1991. - 21 с. - Текст : непосредственный.Муминов А.А. Некоторые особенности магнитных и электрических свойств органических полупроводников на основе полиакрилонитрила : специальность 01.04.11 "Физика магнитных явлений", 01.04.13 "Электрофизика, электрофизические установки" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. А. Муминов, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Глушков В.В. Зарядовый транспорт и магнетизм в сильно коррелированных полупроводниках и полуметаллов с переходом металл-диэлектрик : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / В. В. Глушков, 2012. - 41 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽