Полное описание
> Герловин, И. Я. Спиновая динамика носителей в полупроводниковых наноструктурах : учеб. пособие / И. Я. Герловин, И. В. Игнатьев, И. А. Югова. - СПб. : [б. и.], 2007 (СПб.). - 180 с. : ил. - Библиогр.: с. 173-180. - 100 экз. - ISBN 978-5-98340-148-8. - Текст : непосредственный.
В надзаг.: С.-Петерб. гос. ун-т, Физ. фак., Каф. фотоники и др.
| ГРНТИ | УДК | |
| 29.19.31 | 621.315.592.9-022.532 |
Рубрики:
Полупроводники
Аннотация: Рассмотрены процессы оптической ориентации спинов, когерентной и некогерентной спиновой динамики и спиновой релаксации в наноструктурах с квантовыми точками и квантовыми ямами.
Доп. точки доступа:
Игнатьев, И.В.
Югова, И.А.
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д9-07/60951)>
Шифр в сводном ЭК: e097462f54c76331c961ae9f6c6c6d7e
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный.Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный.Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный.Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный.Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный.Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный.Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный.La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный.Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный.Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный.Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыПотапов М.А. Электротехнические материалы.Полупроводниковые и магнитные материалы / М. А. Потапов, 1993. - 92 c. - Текст : непосредственный.Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный.Юбилейный сборник избранных трудов Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (1964-2014) / Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова (Новосибирск), 2014. - 843 с.Братов В.А. Физика полупроводников и полупроводниковых приборов. Физика полупроводников / В. А. Братов, 1995. - 94 с. - Текст : непосредственный.Gobel A. Effects of the isotopic composition on vibronic and electronic properties of semiconductors / A. Gobel, 1998. - XVII,235 p. p. - Текст : непосредственный.-V semiconductor materials and devices / Ed. R. J. Malik, 1989. - IX,727 p. p. - Текст : непосредственный. Шалимова К.В. Физика полупроводников : учебное пособие / К. В. Шалимова, 2010. - 391 с. - Текст : непосредственный.Гантимуров А.Г. Электродинамические характеристики проводящих и полупроводящих сред / А. Г. Гантимуров, Ю. Б. Башкуев, 2006. - 96 с. - Текст : непосредственный.Беляев А.И. Физико-химические основы очистки металлов и полупроводниковых материалов, 1973. - 223 с. - Текст : непосредственный.Structure and bonding / ed. D. M. P. Mingos. 118 : Semiconductor nanocrystals and silicate nanoparticles / ed. X. Peng [et al.]; with contributions by A. J. Bard, Z. Ding, P. Guyot-Sionnest, F. Liebau, N. Myung [et al.], 2005. - X, 189 p. - Текст : непосредственный.Магомедов Х.А. Физика полупроводников : Учеб.пособие. Ч. 1 : Зонная теория полупроводников, 1992. - 48 с. - Текст : непосредственный.Магомедов Х.А. Физика полупроводников : Учеб.пособие. Ч. 2 : Физика полупроводников, 1992. - 113 с. - Текст : непосредственный.Rockett A. materials science of semiconductors / A. Rockett, 2008. - 622 p. - Текст : непосредственный. Неупорядоченные полупроводники / А. А. Айвазов, Б. Г. Будягин, С. П. Вихров, А. И. Попов, 1995. - 352 с. - Текст : непосредственный.Горелик С.С. Материаловедение полупроводников и диэлектриков / С. С. Горелик, М. Я. Дашевский, 2003. - 480 с. - Текст : непосредственный.Парменов Ю.А. Физика полупроводников / Ю. А. Парменов, 2002. - 131 с. - Текст : непосредственный.Крапухин В.В. Технология материалов электронной техники.Теория процессов полупроводниковой технологии : выставочные материалы / В. В. Крапухин, И. А. Соколов, Г. Д. Кузнецов, 1995. - 492 с. - Текст : непосредственный.Леонов В.В. Композиционные материалы на основе полупроводников : учебное пособие / В. В. Леонов, 2002. - 143 с. - Текст : непосредственный.Аждаров Г.Х. Подвижность электронов и дырок в кристаллах твердых растворов германий-кремний при рассеянии на беспорядках сплава / Г. Х. Аждаров, Н. А. Агеев, Э. С. Гусейнова, 1989. - 16 с. - Текст : непосредственный.Эффекты возбуждения и релаксации в полупроводниках и диэлектриках : сборник научных трудов / Московский инженерно-физ. ин-т, 1992. - 91 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыДмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Schuller C. Inelastic light scattering of semiconductor nanostructures / C. Schuller, 2006 r=on-line. - Текст : электронный.Пономарев Д.С. Электронный транспорт в составных квантовых ямах InAlAs/InGaAs/InAlAs, содержащих наноразмерные вставки InAs / Д. С. Пономарев, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный.Рыбковский Д.В. Электронная структура двумерных и нульмерных нанообъектов селенида галлия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Д. В. Рыбковский, 2014. - 21 с. - Текст : непосредственный.Степанов А.С. Исследование электронного транспорта в планарных наноструктурах молекулярного масштаба : специальность 01.04.04 "Физическая электроника", 01.0401 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Степанов, 2014. - 23 с. - Текст : непосредственный.Алам Махмудул.Получение и исследование наноструктурированных гибридных материалов InSb-MnSb с высокими критическими температурами : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Алам Махмудул, 2013. - 20 с. - Текст : непосредственный.Бурдов В.А. Процессы релаксации и энергообмена в массивах кремниевых нанокристаллов : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / В. А. Бурдов, 2013. - 36 с. - Текст : непосредственный.Румянцев В.В. Фотопроводимость и фотолюминесценция эпитаксиальных пленок и структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe в среднем и дальнем инфракрасном диапазоне / В. В. Румянцев, 2014. - 19 с. - Текст : непосредственный.Рыжов И.И. Спектроскопия спиновых шумов полупроводниковых наноструктур / И. И. Рыжов, 2016. - 16 с. - Текст : непосредственный.Ворох А.С. Неупорядоченная атомная структура наночастиц сульфида кремния : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Ворох, 2009. - 23 с. - Текст : непосредственный.Садовников С.И. Нанокристаллический сульфид свинца: синтез, структура и свойства / С. И. Садовников, 2011. - 23 с. - Текст : непосредственный.Андроников Д.А. Отрицательно заряженные экситонные комплексы в модулированно-легированных квантовых ямах на основе CdTe в присутствии внешнего магнитного поля / Д. А. Андроников, 2013. - 16 с. - Текст : непосредственный.Тхумронгсилапа Папхави.Люминесценция и поглощение излучения среднего ИК диапазона в наноструктурах с квантовыми ямами в условиях разогрева носителей заряда / Тхумронгсилапа Папхави, 2010. - 18 с. - Текст : непосредственный.Шмидт Н.М. Полупроводниковые самоорганизованные наноматериалы - нелинейные системы с фрактальной размерностью : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Н. М. Шмидт, 2009. - 34 с. - Текст : непосредственный.Quantum Dot Molecules / Ed. J. Wu, 2014 r=on-line. - Текст : электронный.Герт А.В. Моделирование электронных состояний и оптических процессов в кремниевых наноструктурах / А. В. Герт, 2016. - 20 с. - Текст : непосредственный.Size Effects in Nanostructures. Basics and Applications / Ed. V. Kuncser, 2014 r=on-line. - Текст : электронный.Graphene Quantum Dots / A. D. Güçlü, P. Potasz, M. Korkusinski, P. Hawrylak, 2014 r=on-line. - Текст : электронный.Карпов Д.В. Резонансные явления в активных и нелинейных наноструктурах фотоники / Д. В. Карпов, 2017. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽