Приложение
для AndroidПолное описание
Суровцев, И. С. Высокочастотная индукционная и плазменная обработка кремния и гетероструктур : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.27.01 / И. С. Суровцев. - Воронеж, 1998. - 82 с. : ил. - Текст : непосредственный.
В надзаг. :Воронеж.гос.техн.ун-т. Библиогр.:с. 72-82 (81 назв.)
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.13.11 | 621.315.592.002(043) | |
| 47.09.29 | 621.315.592.9.002(043) |
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР98-043)
Шифр в сводном ЭК: a2d718eb84cc010c56241275e4b313b1
Суровцев И.С. Нейронные сети.Введение в современную информационную технологию / И. С. Суровцев, В. И. Клюкин, Р. П. Пивоварова ; Ред. И. С. Суровцев, 1994. - 224 c. - Текст : непосредственный.Модели и методы управления проектами при организационно-технологическом проектировании строительства / С. А. Баркалов, П. Н. Курочка, Л. Р. Маилян, И. С. Суровцев, 2013. - 533 с. - Текст : непосредственный.Головинский П. А. Системный анализ : выставочные материалы / П. А. Головинский, И. С. Суровцев, 2013. - 171 с. - Текст : непосредственный.
Сканирующая туннельная микроскопия : Руководство пользователя / И.С.Суровцев,Л.А.Битюцкая,Д.С.Долгих,М.В.Мамута, 1997. - 42 с. - Текст : непосредственный.Как подготовить Бизнес-план : Руководство для предпринимателей. Пер. с англ. / Сост.:И.С.Суровцев, С.М.Павлов, 1996. - 36 c. - Текст : непосредственный.Высшее строительное образование и современное строительство в России и зарубежных странах : сб. ст. по материалам международ.науч.-практ. конф. / Воронежский гос. архитектурно-строит. ун-т, 2007. - 155 с. - Текст : непосредственный.Головинский П.А. Интеллектуальные информационные системы: теоретические основы и приложения / П. А. Головинский, И. С. Суровцев, 2015. - 204 с. - Текст : непосредственный.Суровцев И.С. Инновационный менеджмент : учеб. пособие / И. С. Суровцев, С. Н. Дьяконова, М. А. Карпович, 2014. - 188 с. - Текст : непосредственный.Суровцев И.С. Высокочастотная индукционная и плазменная обработка кремния и гетероструктур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.27.01 / И. С. Суровцев, 1998. - 82 с. - Текст : непосредственный.Системный анализ и принятие решений : учеб. пособие / С. А. Баркалов [и др.], 2010. - 651 с. - Текст : непосредственный.Суровцев И.С. Информационные системы и цифровые технологии в аналитике и контроле биологически активных веществ / И. С. Суровцев, Л. В. Рудакова, О. Б. Рудаков, 2013. - 298 с. - Текст : непосредственный.Суровцев И.С. Прогноз научно-технического развития Воронежской области до 2030 г. (Строительство и стройиндустрия) : проект / И. С. Суровцев, М. А. Шибаева, 2013. - 96 с. - Текст : непосредственный.Колоночная аналитическая хроматография как объект математического моделирования / А. М. Долгоносов [и др.], 2013. - 397 с. - Текст : непосредственный.Суровцев И.С. Инновации и инновационная деятельность (толковый терминологический словарь) : учеб. пособие / И. С. Суровцев, С. Н. Дьяконова, 2015. - 72 с. - Текст : непосредственный.Университетский отраслевой комплекс: проблемы и перспективы развития непрерывного профессионального образования : Сб. ст. по материалам регион. науч.-метод. конф. / Воронежский гос. архитектурно-строит. ун-т, 2004. - 150 с. - Текст : непосредственный.Суровцев И.С. Опыт проведения рекреационных работ по экологическому оздоровлению искусственных и естественных водоемов в России и за рубежом / И.С. Суровцев, И.И. Косинова, В.В. Ильяш. - Текст : непосредственный // Научный вестник Воронежского государственного архитектурно-строительного университета. Сер. Инженерные системы зданий и сооружений. - Воронеж. - 2005. - Вып. 2. - с. 119-121Суровцев И.С. Разработка математической модели оценки экологического риска при воздействии выбросов предприятий строительной индустрии на окружающую среду при возникновении аварийной ситуации / И.С. Суровцев, А.И. Скрыпник, М.Н. Жерлыкина. - Текст : непосредственный // Научный вестник Воронежского государственного архитектурно-строительного университета. Сер. Инженерные системы зданий и сооружений. - Воронеж. - 2005. - Вып. 2. - с. 121-126Колодяжный С.А. Формирование строительного кластера в Воронежской области / С. А. Колодяжный, И. С. Суровцев, М. А. Шибаева, 2015. - 103 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
Виноградов М.И. Вакуумные процессы оборудование ионно-и электронно- лучевой технологии / М. И. Виноградов, Ю. П. Маишев, 1989. - 53 с. - Текст : непосредственный.Полтавцев Ю.Г. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике / Ю. Г. Полтавцев, А. С. Князев, 1990. - 206 c. - Текст : непосредственный.Моносилан в технологии полупроводниковых материалов / Е. П. Белов, Е. Н. Лебедев, Ю. П. Григораш [и др.], 1989. - 66 с. - Текст : непосредственный.Голод С.В. Методы формирования трехмерных микро- и наноструктур на основе напряженных SiGe/Si пленок : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Голод, 2006. - 23 с. - Текст : непосредственный.Перминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Пичугин К.Н. Эффекты квантовой интерференции в электронном транспорте через двумерные наноструктуры : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. Н. Пичугин, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.Игонина Т.И. Технологическое обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств / Т. И. Игонина, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Кажева О.Н. Синтез и строение новых молекулярных проводников на основе катион-радикальных солей с анионами, содержащими ртуть и редкоземельные элементы : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / О. Н. Кажева, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный.Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Егоров А.Ю. Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Ю. Егоров, 2011. - 40 с. - Текст : непосредственный.Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный.Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный.Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный.Моряков О.С. Сборка / О. С. Моряков, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный.Мартынов В.В. Литографические процессы / В. В. Мартынов, Т. Е. Базаров, 1990. - 128 c. - Текст : непосредственный.Nastasi M. Ion implantation and synthesis of materials / M. Nastasi, J. W. Mayer, 2006 r=on-lineПак М.М. Моделирование элементов нейронных сетей на основе твердотельных нанообъектов : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / М. М. Пак, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Смирнов А.Д. Технология приборов на арсениде галия / А. Д. Смирнов, 1994. - 48 c. - Текст : непосредственный.Анищенко Л.М. Автоматизированное проектирование и моделирование технологических процессов микроэлектроники / Л. М. Анищенко, С. Ю. Лавренюк, В. В. Петрухин, 1995. - 177 c. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЦырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный.Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный.Столяров С.М. Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А В с заданными свойствами : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. М. Столяров, 1998. - 15 с. - Текст : непосредственный.Kamp M. Metallorganische Molekularstrahlepixtaxie im Heterosystem GaAs/AlGaAs / M. Kamp, 1992. - 124 S. - Текст : непосредственный.Смирнова Н.А. Разработка технологии изготовления подложек CdZnTe для выращивания гетероструктур CdHgTe/CdZnTe методом жидкофазной эпитаксии : специальность 05.17.01 "Технология неорганических веществ" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / Н. А. Смирнова, 2007. - 24 с. - Текст : непосредственный.Джаманбалин К.К. Радиационная модификация поверхности полупроводниковых материалов : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / К. К. Джаманбалин, 2002. - 51 с. - Текст : непосредственный.Садофьев С.Ю. Особенности формирования самоорганизующихся наноостровков при эпитаксии германия на профилированные кремниевые подложки в условиях электропереноса : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. Ю. Садофьев, 2002. - 16 с. - Текст : непосредственный.Фарид Нассур ибн Ханна.Влияние технологических примесей на оптические и электрические свойства монокристаллов Si,подвергнутых термообработке : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Фарид Нассур ибн Ханна, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.Трофим В.Г. Жидкостная эпитаксия гетероструктур AlGaAs - GaAS из ограниченного объема расплава и создание фотопреобразователей излучения на их основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / В. Г. Трофим, 1990. - 34 с. - Текст : непосредственный.Варнаков С.Н. Сверхвысоковакуумное термическое напыление мультислоев Fe/Si и изучение влияния условий роста на их химические, структурные и магнитные свойства : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. Н. Варнаков, 2005. - 19 с. - Текст : непосредственный.Злотникова И.Я. Теоретическое и экспериментальное исследование процесса термического окисления кремниевых структур : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук / И. Я. Злотникова, 1995. - 16 с. - Текст : непосредственный.Балашев В.В. Формирование поверхности SI(III) при молекулярно-лучевой эпитаксии кремния и адсорбции бора : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. В. Балашев, 2002. - 24 с. - Текст : непосредственный.Баранник А.А. Исследование кристаллогенезиса полупроводников AIIIBV из висмутсодержащих расплавов (на примере InSbBi, AllnSbBi) : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / А. А. Баранник, 2003. - 19 с. - Текст : непосредственный.Разумовский П.И. Разработка физико-химических основ получения пятикомпонентных твердых растворов InGaAsSbP в поле температурного градиента : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / П. И. Разумовский, 2000. - 13 с. - Текст : непосредственный.Жаринова Н.Н. Исследование явлений самоорганизации при эпитаксии гетероструктур : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Н. Н. Жаринова, 2001. - 25 с. - Текст : непосредственный.Кочковая Н.В. Математическое моделирование роста многокомпонентных твердых растворов А В : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / Н. В. Кочковая, 2001. - 18 с. - Текст : непосредственный.Яновицкая З.Ш. Кинетика атомных преобразований кристаллической поверхности при эпитаксиальном росте и сопутствующих процессах (моделирование) : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / З. Ш. Яновицкая, 2003. - 31 . - Текст : непосредственный.Попов А.И. Формирование структуры многокомпонентных твердых растворов замещения в гетеросистемах с резко различающимися ковалентными радиусами : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. И. Попов, 2004. - 26 с. - Текст : непосредственный.Шагаров Б.А. Исследование и разработка процессов термообработки полупроводниковых материалов для специального применения : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / Б. А. Шагаров, 2000. - 21 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽