Полное описание
Чернов, В. М.
ГРНТИ УДК 29.19.31 537.311.322:530.145(04)
Рубрики: Полупроводники
Кл.слова (ненормированные): ПОЛУПРОВОДНИК
Доп. точки доступа: Мельничук, С.В.
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): М/14605/ИТФ-90-34Р)
Шифр в сводном ЭК: 5c5478fba5e28b869f75dfeb226f19f8
Камаева О.В. Дислокационное внутреннее трение, обусловленное совместным действием периодической и случайной внешних сил / О. В. Камаева, В. М. Чернов, 2000. - 15 с. - Текст : непосредственный. Чернов В.М. Алгоритмы дискретных ортогональных преобразований с рекуррентным базисом в цифровой обработке сигналов : специальность 05.13.16 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / В. М. Чернов, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный. Блажков А.Е. Нормирование летной годности самолетов / А. Е. Блажков, В. И. Корольков, В. М. Чернов, 2003. - 87 с. - Текст : непосредственный. Мельничук С.В. Поляризационная спектроскопия плазмы и диагностика функции распределения электронов в электрическом поле : специальность 01.04.05 "Оптика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Мельничук, 1997. - 22 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Закономерности пластической деформации в высокопрочных и нанокристаллических металлических материалах / А. Н. Тюменцев, А. Д. Коротаев, И. А. Дитенберг [и др.]; ответственный редактор В. А. Старенченко, 2018. - 254, [1] с. - Текст : непосредственный. Ульянов А.В. Электронный газ в металлической пластине: одночастичные состояния / А.В.Ульянов,В.М.Чернов, 1997. - 23 с. - Текст : непосредственный. Лысова Г.В. Структурно-фазовые изменения и эффект "дальнодействия" в феррито-мартенситных сталях при имплантации гелия / Г. В. Лысова, Л. С. Гудкова, В. М. Чернов, 1992. - 21 с. - Текст : непосредственный. Камаева О.В. Пространственно-неоднородное движение дислокации при случайном внешнем воздействии / О.В.Камаева,В.М.Чернов, 1999. - 17 с. - Текст : непосредственный. Камаева О.В. Динамическое поведение дислокации при случайном внешнем воздействии. Ч. Дислокация со свободными концами / О.В.Камаева,В.М.Чернов, 1999. - 31 с. - Текст : непосредственный. Чернов В.М. Теоретико-числовые преобразования в задачах цифровой обработки сигналов : учеб. пособие / В. М. Чернов, А. О. Корепанов, 2006. - 111 с. - Текст : непосредственный. Фотоионизация и безызлучательный захват носителей в полупроводниках A2B6 С3d-примесями замещения / С.В.Косяченко,С.В.Мельничук,В.М.Чернов,В.А.Шендеровский, 1991. - 26 c. - Текст : непосредственный. Чернов В.М. Быстрые алгоритмы многомерного дискретного преобразования Фурье : учеб. пособие / В. М. Чернов, 2007. - 79 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный. Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный. Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный. Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный. Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный. Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный. Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный. Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный. Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный. Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный. JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный. Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный. Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный. Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный. Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный. Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный. La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный. Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный. Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный. Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Потапов М.А. Электротехнические материалы.Полупроводниковые и магнитные материалы / М. А. Потапов, 1993. - 92 c. - Текст : непосредственный. Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный. Юбилейный сборник избранных трудов Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (1964-2014) / Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова (Новосибирск), 2014. - 843 с. Братов В.А. Физика полупроводников и полупроводниковых приборов. Физика полупроводников / В. А. Братов, 1995. - 94 с. - Текст : непосредственный. Gobel A. Effects of the isotopic composition on vibronic and electronic properties of semiconductors / A. Gobel, 1998. - XVII,235 p. p. - Текст : непосредственный. -V semiconductor materials and devices / Ed. R. J. Malik, 1989. - IX,727 p. p. - Текст : непосредственный. Шалимова К.В. Физика полупроводников : учебное пособие / К. В. Шалимова, 2010. - 391 с. - Текст : непосредственный. Гантимуров А.Г. Электродинамические характеристики проводящих и полупроводящих сред / А. Г. Гантимуров, Ю. Б. Башкуев, 2006. - 96 с. - Текст : непосредственный. Беляев А.И. Физико-химические основы очистки металлов и полупроводниковых материалов, 1973. - 223 с. - Текст : непосредственный. Structure and bonding / ed. D. M. P. Mingos. 118 : Semiconductor nanocrystals and silicate nanoparticles / ed. X. Peng [et al.]; with contributions by A. J. Bard, Z. Ding, P. Guyot-Sionnest, F. Liebau, N. Myung [et al.], 2005. - X, 189 p. - Текст : непосредственный. Магомедов Х.А. Физика полупроводников : Учеб.пособие. Ч. 1 : Зонная теория полупроводников, 1992. - 48 с. - Текст : непосредственный. Магомедов Х.А. Физика полупроводников : Учеб.пособие. Ч. 2 : Физика полупроводников, 1992. - 113 с. - Текст : непосредственный. Rockett A. materials science of semiconductors / A. Rockett, 2008. - 622 p. - Текст : непосредственный. Неупорядоченные полупроводники / А. А. Айвазов, Б. Г. Будягин, С. П. Вихров, А. И. Попов, 1995. - 352 с. - Текст : непосредственный. Горелик С.С. Материаловедение полупроводников и диэлектриков / С. С. Горелик, М. Я. Дашевский, 2003. - 480 с. - Текст : непосредственный. Парменов Ю.А. Физика полупроводников / Ю. А. Парменов, 2002. - 131 с. - Текст : непосредственный. Крапухин В.В. Технология материалов электронной техники.Теория процессов полупроводниковой технологии : выставочные материалы / В. В. Крапухин, И. А. Соколов, Г. Д. Кузнецов, 1995. - 492 с. - Текст : непосредственный. Леонов В.В. Композиционные материалы на основе полупроводников : учебное пособие / В. В. Леонов, 2002. - 143 с. - Текст : непосредственный. Аждаров Г.Х. Подвижность электронов и дырок в кристаллах твердых растворов германий-кремний при рассеянии на беспорядках сплава / Г. Х. Аждаров, Н. А. Агеев, Э. С. Гусейнова, 1989. - 16 с. - Текст : непосредственный. Эффекты возбуждения и релаксации в полупроводниках и диэлектриках : сборник научных трудов / Московский инженерно-физ. ин-т, 1992. - 91 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Оруджев Г.С. Зонные структуры TlFеSe2; TlFeS2 и струны непрерывности зон / Г. С. Оруджев, Н. А. Алиева, З. А. Джахангиров, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный. Исаев А.И. Некоторые электронные процессы в аморфной системе Se - As / А. И. Исаев, С. И. Мехтиев, Р. Б. Султанов, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный. Маркова Н.В. Correlation energy of dirac electron gas in marrow-gap semiconductor / Н.В.Маркова, 1994. - 43 p. - Текст : непосредственный. Овчинников И.Ф. Квазирелятивистский поляризационный оператор и спектр плазмонов одномерного электронного газа / И.Ф.Овчинников,А.П.Силин, 1994. - 8 с. - Текст : непосредственный. Чернов В.М. Колебательный спектр полупроводников группы А2В6 со структурой вюрцита / В.М.Чернов,С.В.Мельничук, 1990. - 33 с. - Текст : непосредственный. Климова Л.С. О зонной структуре TiSbTe'2 / Л.С.Климова,Э.Т.Кулатов, 1989. - 16 с. - Текст : непосредственный. Бирюкова Л.Ю. О формулировке уравнений в "температурных" моделях электронно-дырочной плазмы полупроводников / Л.Ю.Бирюкова, 1990. - 22 с. - Текст : непосредственный. Шека Д.И. K - Р -метод в физике полупроводников / Д.И.Шека,А.М.Воскобойников, 1990. - 52 c. - Текст : непосредственный. Исследование зонной структуры вырожденных полупроводников Te Bi S и Te Sb Te / Л.И.Винокурова,А.В.Власов,В.Ю.Иванов и др., 1990. - 29 с. - Текст : непосредственный. Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
