Приложение
для AndroidПолное описание
Синис, В. П. Стимулирование дальнее ИК излучение в одноосно деформированном p-Ge и напряженных петероструктурах SiGe/Si : специальность "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени / В. П. Синис. - М., 2002. - 32 с. - Текст : непосредственный.
Библиогр.: с. 30-31(23 назв.)
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.315.592.9:535(043) | |
| 621.373.826.038.825.5(043) |
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар03-953)
Шифр в сводном ЭК: 5edb3985cc3c1cd4513c738e36a71ab4
Куртев Н.Д. Электронные цепи и устройства / Н. Д. Куртев, В. И. Нефедов, 1990. - 53 с. - Текст : непосредственный.Захаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный.Физика и техника полупроводников / Российская академия наук, Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1967г. - Текст : непосредственный.Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный.Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Воскресенский В.В. Применение туннельных диодов в импульсной технике, 1974. - 120 с. - Текст : непосредственный.Полупроводниковая микроэлектроника : сборник научных трудов / Новосибирский электротехнический ин-т, 1989. - 113,5 c. c. - Текст : непосредственный.Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный.Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный.Кравченко А.Ф. Магнитная электроника / А. Ф. Кравченко ; Ред. И. Г. Неизвестный, 2002. - 398 с. - Текст : непосредственный.Зотов А.А. Физические основы устройств функциональной электроники / А. А. Зотов, Т. И. Чернышова, В. Н. Чернышов, 1993. - 208 c. - Текст : непосредственный.Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный.Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный.Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный.Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Щука А. А. Наноэлектроника / А. А. Щука, 2007. - 463 с. - Текст : непосредственный.Малинаускас К.К. Разработка математического и программного обеспечения систем топологического проектирования СБИС с использованием диаграмм Вороного : специальность 05.13.11 "Математическое и программное обеспечение вычислительных машин,комплексов и компьютерных сетей" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. К. Малинаускас, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный.Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 1, 2007. - 450 с. - Текст : непосредственный.Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 2, 2007. - 310 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыАбрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Свиридов Д.Е. Сканирующая зондовая микроскопия наноразмерных гетероструктур для полупроводниковых лазеров / Д. Е. Свиридов, 2011. - 17 с. - Текст : непосредственный.Наливко С.В. Генерационные характеристики многослойных квантоворазмерных лазерных гетероструктур : специальность 01.04.21 "Лазерная физика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Наливко, 1999. - 21 с. - Текст : непосредственный.Борзистая Е.Л. Прогнозирование условий жидкофазной гетероэпитаксии профилированных структур InP/Ga In P, As /nP для излучателей с 1,6 мкм : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / Е. Л. Борзистая, 1998. - 27 с. - Текст : непосредственный.Дракин А.Е. Оптические свойства мезаполосковых гетеролазеров на основе твердых растворов А В : специальность 01.04.21 "Лазерная физика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Е. Дракин, 1996. - 23 с. - Текст : непосредственный.Ву Ван Лык.Фотоэлектрический эффект в полупроводниковых лазерах и оптических усилителях : специальность 01.04.21 "Лазерная физика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / Ву Ван Лык, 1996. - 33 с. - Текст : непосредственный.Ременный М.А. Перестраиваемые ИК-лазеры на основе InAs и его твердых растворов : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / М. А. Ременный, 1998. - 18 с. - Текст : непосредственный.Ластовкин А.А. Исследование спектров излучения импульсных квантовых каскадных лазеров терагерцового диапазона и их применение для спектроскопии гетероструктур на основе HgTe/CdTe с квантовыми ямами. А. Ластовкин : специальность 01.04.03 "Радиофизика", 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. А. Ластовкин, 2014. - 18 с. - Текст : непосредственный.Павлов С.Г. Лазеры терагерцового диапазона частот на примесных центрах в кремнии и германии : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния", 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / С. Г. Павлов, 2010. - 34 с. - Текст : непосредственный.Альперович В.Л. Оптическая спектроскопия поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных структур на основе соединений А В : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / В. Л. Альперович, 1998. - 33 с. - Текст : непосредственный.Лазаренкова О.Л. Моделирование спектров фотопропускания и фотоотражения квантоворазмерных гетероструктур : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / О. Л. Лазаренкова, 1999. - 16 с. - Текст : непосредственный.Мамаев А.Н. Взаимодействие волн в активной среде полупроводникового лазера при инжекции внешнего излучения : специальность 01.04.21 "Лазерная физика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / А. Н. Мамаев, 1992. - 15 с. - Текст : непосредственный.Коренев В.В. Исследование одноуровневого и многоуровневого режимов генерации в полупроводниковых лазерах на основе квантовых точек InAs/InGaAs / В. В. Коренев, 2013. - 17 с. - Текст : непосредственный.Павлов С.Г. Узкополосный перестраиваемый лазер длинноволнового инфракрасного диапазона на р-Ge : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах", 05.27.03 "Квантовая электроника" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / С. Г. Павлов, 1995. - 20 с. - Текст : непосредственный.Жигулин С.Н. Исследование инжекционных квантоворазмерных лазеров в системе InGaAsP/GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук / С. Н. Жигулин, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Костко И.А. Статические, динамические и пороговые характеристики быстродействующих гетеролазеров : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / И. А. Костко, 2002. - 18 с. - Текст : непосредственный.Котельников Е.Ю. Физические принципы увеличения мощности излучения инжекционных лазеров : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. Ю. Котельников, 2002. - 18 с. - Текст : непосредственный.Wang J. Intrinsic dynamics of low-dimensional semiconductor quantum-well, wire and box lasers / J. Wang, 1997. - VII,170 p. p. - Текст : непосредственный.Гавриленко Л.В. Оптические свойства резонансных состояний мелких доноров в полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами и объемных полупроводниках / Л. В. Гавриленко, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Жуков А.Е. Инжекционные лазеры на основе самоорганизующихся квантовых точек : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Е. Жуков, 2002. - 35 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽