Приложение
для AndroidПолное описание
Шапошников, В. Л. Зонная структура и оптические свойства полупроводниковых узкозонных силицидов : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / В. Л. Шапошников. - Минск, 2000. - 20 с. : ил. - Текст : непосредственный.
В надзаг. : Нац, АН Баларуси. Ин-т физики твердого тела и полупроводников. Библиогр.:с. 16-17(14 назв.)
| ГРНТИ | УДК | |
| 29.19.31 | 537.311.322(043) |
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР01-4152)
Шифр в сводном ЭК: 6859f0aa0197a327f865863d8e184061
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный.Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный.Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный.Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный.Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный.Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный.Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный.La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный.Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный.Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный.Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыФилатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный.Ефимкин Д.К. Коллективные и транспортные явления в графене и топологических изоляторах / Д. К. Ефимкин, 2012. - 28 с. - Текст : непосредственный.Суховеев В.А. Выращивание кристаллов и эпитаксиальных слоев нитрида галлия из растворов-расплавов и исследование их физических свойств : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Суховеев, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный.Палажченко В.И. Особенности внутрикристаллического строения монокристаллов твердых растворов висмута с элементами 1У и У1 групп таблицы Д.И.Менделеева : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. И. Палажченко, 1998. - 21 с. - Текст : непосредственный.Ананичев В.А. Получение халькогенидных стекол и исследование их строения методом объемной дилатометрии : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. А. Ананичев, 2004. - 34 c. - Текст : непосредственный.Басалаев Ю.М. Электронное строение, химическая связь и оптические свойства некоторых рядов алмазоподобных соединений : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Ю. М. Басалаев, 2009. - 44 с. - Текст : непосредственный.Gobel A. Effects of the isotopic composition on vibronic and electronic properties of semiconductors / A. Gobel, 1998. - XVII,235 p. p. - Текст : непосредственный.Куокштис Э.П. Динамика коллективных эффектов в сильно возбужденных полупроводниках : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Э. П. Куокштис, 1990. - 30 с. - Текст : непосредственный.Будагян Б.Г. Структурно-релаксационные процессы и закономерности эволюции физических свойств неупорядоченных полупроводников : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / Б. Г. Будагян, 1992. - 40 с. - Текст : непосредственный.Кузнецова Т.А. Синтез и свойства кристаллов теллурида свинца, легированных переходными металлами (Со,Ni) : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.хим.наук / Т. А. Кузнецова, 1994. - 13 с.:ил. - Текст : непосредственный.Титов А.А. Электронные свойства и моделирование разбавленных магнитных полупроводников: Ga1-xMnxN, Ga1-xMnxAs, Ge1-xMnx : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. А. Титов, 2006. - 21 с. - Текст : непосредственный.Антонова Н.Е. Электродные и электрорезистивные свойства халькогенидных стеклообразных сплавов систем As - Ge - Te, Tl - Ge - Te, Cu - As - Te, Cu - As - Se в условиях их коррозии : специальность 05.17.03 "Технология электрохимических процессов и защита от коррозии" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Н. Е. Антонова, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный.Богатов Н.М. Влияние объемных неоднородностей на параметры полупроводниковых структур : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / Н. М. Богатов, 1999. - 31 с. - Текст : непосредственный.Суворова Н.А. Влияние изоэлектронного легирования оловом и кислородом на энергетический спектр селенида свинца по данным оптического поглощения : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Н. А. Суворова, 1996. - 16 с. - Текст : непосредственный.Веденеев А.С. Явления переноса и локализации носителей заряда в квазидвумерных электронных системах с концентрационно-контролируемой статистической неупорядоченностью : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / А. С. Веденеев, 1995. - 44 с. - Текст : непосредственный.Герман Е.П. Хвосты плотности состояний и эффект Холла в некристаллических веществах : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Герман, 1995. - 22 с. - Текст : непосредственный.Лифшиц М.Б. Влияние анизотропии упругих свойств на спинодальный распад в твердых растворах полупроводников типа А В и А В : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / М. Б. Лифшиц, 2002. - 18 с. - Текст : непосредственный.Решанов С.А. Получение и исследование полуизолирующего монокристаллического карбида кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. А. Решанов, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный.Зиновьева А.Ф. Спиновая релаксация в массивах туннельно-связанных Ge/Si квантовых точек : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ф. Зиновьева, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽