Приложение
для AndroidПолное описание
Лукашин, В. М. Увеличение удельной выходной мощности и коэффициента усиления DpHEMT-транзисторов за счет повышения степени локализации горячих электронов в канале : автореф. дис. ... канд. техн. наук: 05.27.01 / В. М. Лукашин. - 2015. - 26 с. - Библиогр.: с. 22-26. - 50 экз. - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 29.35.47 | 621.382.3.029.6(043) |
Кл.слова (ненормированные): (DA)-DPHEMT ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- ЛОКАЛИЗУЮЩИЕ БАРЬЕРЫ -- ОМИЧЕСКИЕ КОНТАКТЫ -- ПОЛЕВЫЕ СВЧ ТРАНЗИСТОРЫ
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар15-4343)
Шифр в сводном ЭК: df02960df6529f68e4d6c59cfd423992
Богданов Ю.И. Вынужденное излучение трубчатого электронного пучка в ондуляторе с переменным периодом / Ю. И. Богданов, 1990. - 10 с. - Текст : непосредственный.Баранов А.В. Транзисторные усилители-ограничители мощности в ключевых режимах с улучшенными частотными и энергетическими характеристиками : специальность 05.12.04 "Радиотехника, в том числе системы и устройства телевидения " : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. В. Баранов, 2013. - 36 с. - Текст : непосредственный.Малков Н.А. Микроэлектронные устройства СВЧ / Н. А. Малков, В. П. Шелохвостов, 2000. - 123 с. - Текст : непосредственный.Мартынов Я.Б. Разработка методов моделирования и исследование лавинно-инжекционной неустойчивости в мощных полевых транзисторах СВЧ диапазона с целью повышения их выходной мощности : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / Я. Б. Мартынов, 2014. - 24 с. - Текст : непосредственный.Чапкевич А.Л. Исследование имплантационных методов формирования структур полупроводниковых СВЧ и фотодиодов : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. Л. Чапкевич, 2004. - 42 c. - Текст : непосредственный.Усанов Д.А. Физика работы полупроводниковых приборов в схемах СВЧ / Д. А. Усанов, А. В. Скрипаль, 1999. - 373 с. - Текст : непосредственный.Григорьева Н.Ю. Дипольно-обменные спиновые волны в периодических структурах на основе тонких ферромагнитных пленок : специальность 01.04.03 "Радиофизика" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Н. Ю. Григорьева, 2009. - 18 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 3(1428) : Селективные СВЧ устройства на основе волноводно-планарных структур : По дан.отеч.и зарубеж.печати,1981-1988 гг. / А.В.Старунский,Г.Н.Шеламов, 1989. - 64 с. - Текст : непосредственный.Горбачев А.И. Полупроводниковые СВЧ диоды / А. И. Горбачев, С. В. Кукарин, 1968. - 64 c. - Текст : непосредственный.Васильев А.Г. СВЧ транзисторы на широкозонных полупроводниках : выставочные материалы / А. Г. Васильев, Ю. В. Колоковский, Ю. А. Концевой, 2011. - 254 с. - Текст : непосредственный.Фадеев А.В. Ближнеполевая СВЧ - микроскопия и ее использование для определения характеристик элементов твердотельной СВЧ электроники / А. В. Фадеев, 2014. - 18 с. - Текст : непосредственный.Фролов А.П. Структуры с фотонной запрещенной зоной и их использование в ближнеполевой СВЧ-микроскопии / А. П. Фролов, 2014. - 20 с. - Текст : непосредственный.Градобоев А.В. Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. В. Градобоев, 2003. - 35 с. - Текст : непосредственный.Костров В.В. Y-параметры транзисторов для приемно-усилительной техники / В. В. Костров, В. В. Ромашов, С. С. Кривандин, 1995. - 64 c. - Текст : непосредственный.Данильцев В.М. Металлоорганическая газофазная эпитаксия гетероструктур на основе соединений Al-In-Ga-As для приборов миллиметрового диапазона длин волн : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. М. Данильцев, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Щука А.А. Микроэлектроника СВЧ-диапазона волн / А. А. Щука, 1998. - 78 с. - Текст : непосредственный.Балябин А.Н. Твердотельные приборы СВЧ, 1973. - 132 с. - Текст : непосредственный.Вызулин С.А. Обобщенные плоские волны в задачах электродинамики магнитогиротропных сред : специальность 01.04.03 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / С. А. Вызулин, 2000. - 38 с. - Текст : непосредственный.Вайнштейн Л.А. Лекции по сверхвысокочастотной электронике, 1973. - 399 с. - Текст : непосредственный.Чиненков М.Ю. Процессы намагничивания, спинового транспорта и спиновой динамики в наноразмерных планарных структурах с ферромагнитными слоями / М. Ю. Чиненков, 2009. - 25 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыТкачев А.Ю. Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические параметры мощных СВЧ LDMOS транзисторов / А. Ю. Ткачев, 2011. - 16 с. - Текст : непосредственный.Селезнев Б.И. Формирование ионно-легированных и тонкопленочных структур для СВЧ транзисторов и микросхем : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук / Б. И. Селезнев, 1994. - 32 с. - Текст : непосредственный.
Семейкин И.В. Влияние конструктивных особенностей ВЧ и СВЧ мощных ДМОП транзисторов на входной импеданс и коэффициент усиления мощности : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / И.В. Семейкин, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Гуков П.О. Электродинамические эффекты в мощных СВЧ биполярных и МДП-транзисторах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / П. О. Гуков, 1994. - 17 с. - Текст : непосредственный.Хребтов И.В. Моделирование и оптимизация характеристик субмикронных одно- и двухканальных НЕМТ транзисторов и усилителей СВЧ на их основе : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.03 / И. В. Хребтов, 2005. - 16 с. - Текст : непосредственный.Лукашин В.М. Увеличение удельной выходной мощности и коэффициента усиления DpHEMT-транзисторов за счет повышения степени локализации горячих электронов в канале : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / В. М. Лукашин, 2015. - 26 с. - Текст : непосредственный.Виноградова Н.С. Влияние состояния поверхности арсенида галлия на характеристики полевых транзисторов с барьером Шоттки СВЧ диапазона : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / Н. С. Виноградова, 1992. - 23 с. - Текст : непосредственный.Клецов А.А. Исследование влияния СВЧ-излучения высокого уровня мощности на лавинно-пролетные диоды и СВЧ-транзисторы с барьером Шоттки : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01, 01.04.03 / А. А. Клецов, 2003. - 15 с. - Текст : непосредственный.Рубаха Е.А. Физика отказов и обеспечение надежности мощных биополярных транзисторов ВЧ и СВЧ диапазона в режимах эксплуатации : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.27.01 / Е. А. Рубаха, 1992. - 72 с. - Текст : непосредственный.Курмачев В.А. Конструкции и технология СВЧ GaN транзисторов Х-диапазона для систем радиолокации : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / В. А. Курмачев, 2013. - 20 с. - Текст : непосредственный.Пушкарев С.С. Влияние дизайна метаморфного буфера на электрофизические и структурные свойства эпитаксиальных метаморфных немт наногетероструктур In0.7Al0.3As/In0.7Ga0.3As/In0.7Al0.3As на подложках GaAs и InP : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / С. С. Пушкарев, 2013. - 26 с. - Текст : непосредственный.Калинин Б.В. Разработка мощного полевого транзистора с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктур (Al, Ga)N/GaN : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / Б. В. Калинин, 2012. - 17 с. - Текст : непосредственный.Асессоров В.В. Физико-технологические основы создания мощных биполярных кремниевых транзисторов различного назначения в диапазоне частот 100-1000 МГц : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук: 05.27.01 / В. В. Асессоров, 1999. - 35 с. - Текст : непосредственный.Булгаков О.М. Электромагнитные взаимодействия во входных цепях мощных ВЧ- и СВЧ-транзисторов и их энергетические и частотные характеристики : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / О. М. Булгаков, 1993. - 18 с. - Текст : непосредственный.Климов Е.А. Электрофизические свойства и оптимизация параметров эпитаксиальных псевдоморфных HEMT структур с односторонним и двухсторонним дельта-легированием : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / Е. А. Климов, 2012. - 18 с. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽