Приложение
для AndroidПолное описание
Кудрявцев, Ю. А. Эмиссия вторичных нейтральных частиц при распылении полупроводниковых соединений ионами низких энергий : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10:01.04.04 / Ю. А. Кудрявцев. - СПб, 1998. - 22 с. : ил. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с. 20-22
| ГРНТИ | УДК | |
| 29.19.31 | 537.311.322:537.533(043) |
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР98-1144)
Шифр в сводном ЭК: a29d28396482522c005fcce40fcfb521
Кудрявцев Ю.А. Алгоритмы эффективной обработки MOLAP-кубов / Ю. А. Кудрявцев, 2009. - 17 с. - Текст : непосредственный.Кудрявцев Ю.А. Финансовое право : учебное наглядное пособие / Ю. А. Кудрявцев, С. Б. Гладкова, Н. Е. Соловьева, 2019. - 75 с. - Текст : непосредственный.Горев В.К. Образование в условиях рыночных отношений (зарубежный опыт) / В.К.Горев,Ю.А.Кудрявцев, 1994. - 165 c. - Текст : непосредственный.Кудрявцев Ю.А. Эмиссия вторичных нейтральных частиц при распылении полупроводниковых соединений ионами низких энергий : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10:01.04.04 / Ю. А. Кудрявцев, 1998. - 22 с. - Текст : непосредственный.Теневая экономика в системе вызовов и угроз экономической безопасности России : монография / Т. В. Волкова [и др.], 2018. - 210 с. - Текст : непосредственный.Финансово-кредитная система : учебное пособие / В. А. Титов, Л. В. Дончевская, А. Н. Литвиненко [и др.]; под редакцией О. В. Фроловой [и др.], 2019. - 251 с. - Текст : непосредственный.Кудрявцев Ю.А. Начертательная геометрия и машинная графика : Курс лекций для студентов спец. 22.02 / Ю.А.Кудрявцев,В.Л.Обручев, 1990. - 129 с. - Текст : непосредственный.Финансовое право : учебник / С. В. Игнатьева, С. Б. Гладкова, Ю. А. Кудрявцев [и др.], 2020. - 235 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Формирование правовой культуры и основ финансовой грамотности населения : коллективная монография / Ю. А. Кудрявцев, Т. О. Бозиев, В. Э. Кроливецкая [и др.], 2021. - 214 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Земельное право : учебник / А. В. Внуков, Ю. Н. Коряковцев, Ю. А. Кудрявцев [и др.]; под редакцией И. С. Уханова, 2020. - 195 с. - Текст : непосредственный.
Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный.Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный.Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный.Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный.Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный.Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный.Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный.La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный.Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный.Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный.Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽