Приложение
для AndroidПолное описание
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный.Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный.Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный.Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный.Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный.Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный.Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный.La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный.Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный.Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный.Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыГребенник А.В. Оптико-тензиметрическое исследование нестехиометрии CdTe, ZnSe и ZnTe : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / А. В. Гребенник, 1994. - 16 с. - Текст : непосредственный.Солтамурадов Г.Д. Фотохимические процессы в легированных кристаллах сульфоселенида кадмия и селенида цинка / Г. Д. Солтамурадов, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный.Блажнов П.А. Особенности распределения азота в азотсодержащих GaAs N и In Ga As N твердых растворах : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. А. Блажнов, 2003. - 20 с. - Текст : непосредственный.Гапанович М.В. Влияние изо- и гетеровалентного замещения на кинетику реакций с участием избыточных носителей тока в CdTe / М. В. Гапанович, 2010. - 20 с. - Текст : непосредственный.Блинов Л.Н. Стеклохимия халькогенидов: разработка, исследование, применение : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / Л. Н. Блинов, 1991. - 32 с. - Текст : непосредственный.
Гончаров Е.Г. Фазовые равновесия и физико-химическая природа полупроводниковых фаз в системах А -В : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук: 02.00.01 / Е. Г. Гончаров, 1989. - 45 с. - Текст : непосредственный.Мочалов Г.М. Физико-химические основы синтеза и глубокой очистки летучих соединений кремния, кадмия, теллура и цинка : автореф. дис. .. д-ра техн. наук: 02.00.04 / Г. М. Мочалов, 2009. - 38 с. - Текст : непосредственный.Харитонцев В.Б. Фазовые равновесия в системах Ln- Ln2Se3(Ln = Pr, Nd, Sm, Y, Er) и свойства фаз : автореф. дис. .. канд. хим. наук: 02.00.04 / В. Б. Харитонцев, 2013. - 19 с. - Текст : непосредственный.Гершанов В.Ю. Процессы кристаллизации и растворения в малых объемах растворов в расплавах : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.07 / В. Ю. Гершанов, 2011. - 48 с. - Текст : непосредственный.Проскурина Е.Ю. Фазовые равновесия в системах Sn-P, Sn-As-P, Sn-As-Ge : автореф. дис. .. канд. хим. наук: 02.00.01 / Е. Ю. Проскурина, 2016. - 18 с. - Текст : непосредственный.Сушкова Т.П. Дефектообразование и фазовые равновесия в системах In-As-P,In-As-Sb : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.хим.наук:02.00.01 / Т. П. Сушкова, 1994. - 23 с. - Текст : непосредственный.Во Тан Лонг.Количественный рентгеноспектральный микроанализ полупроводниковых материалов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Во Тан Лонг, 1995. - 16 с. - Текст : непосредственный.Морозова А.А. Фазовые равновесия и дефектообразование в тройных системах Ge(Si)-As-P : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук: 02.00.01 / А. А. Морозова, 1997. - 24 с. - Текст : непосредственный.Яшина Л.В. Взаимодействие халькогенидов германия, олова и свинца в твердофазных реакциях и в реакциях "твердое - газ" : автореф. дис. .. д-ра хим. наук: 02.00.21 / Л. В. Яшина, 2008. - 50 с. - Текст : непосредственный.Ромашин С.Н. Неравновесная хемопроводимость полупроводников и структур металл - полупроводник - металл : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / С. Н. Ромашин, 2005. - 19 с. - Текст : непосредственный.Пенской П.К. Термическое окисление GaAs под воздействием композиций хемостимуляторов Sb2Oз, BН2Oз, MnO, Mno2 с инертными компонентами Ga2Oз, Al2Oз, Y2Oз : автореф. дис. .. канд. хим. наук: 02.00.01 / П. К. Пенской, 2009. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽