Приложение
для AndroidПолное описание
Бондарева, Т. В. Численное моделирование диффузии примесей III и Y групп в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации / Т. В. Бондарева, В. И. Кольдяев, Л. Н. Александров. - Новосибирск : [б. и.], 1991. - 20 с. - (Препринт ; 4). - 100 экз. - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 29.19.31 | 537.311.322:548.4(04) |
Рубрики:
Полупроводники -- Примеси
Кл.слова (ненормированные): ПОЛУПРОВОДНИК -- ПРИМЕСЬ
Доп. точки доступа:
Кольдяев, В.И.
Александров, Л.Н.
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): М/19085/4)
Шифр в сводном ЭК: 2b0a66b2c5ef989b5c41d8b9e49536d5
Методологические подходы к оценке эффективности влияния государственных институтов развития на инвестиционную активность в России с учетом региональных особенностей субъектов Российской Федерации / Н. В. Королева, В. А. Королев, Т. В. Бондарева, А. Г. Шахназаров, 2011. - 170 с. - Текст : непосредственный.
Бондарева Т.В. Тормозное излучение электронов, проходящих через слой рассеивающих центров в квазиоднородном квазистационарном электрическом поле : автореф. дис. .. канд. фз.-мат. наук: 01.04.05 / Т. В. Бондарева, 2010. - 15 с. - Текст : непосредственный.Бондарева Т.В. Аудиовизуальные средства обучения : учебно-методическое пособие / Т. В. Бондарева; [научный редактор В. И. Римлянд], 2018. - 171 с. - Текст : непосредственный.Бондарева Т.В. Численное моделирование радиационно-ускоренной диффузии легирующих примесей в кремнии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Т. В. Бондарева, 1993. - 17 с. - Текст : непосредственный.Бондарева Т.В. Повышение эффективности лесопильных предприятий с пакетной технологией на основе гармонизации их производственных процессов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.21.05 / Т. В. Бондарева, 1999. - 25 с. - Текст : непосредственный.Пахнутова Л.В. Технология изделий из древесины. Упаковывание мебели : Учеб.пособие для студентов / Л. В. Пахнутова, Ю. В. Хлоптунова, Т. В. Бондарева, 2000. - 64 с. - Текст : непосредственный.Моделирование роста и легирования полупроводниковых пленок методом Монте-Карло / Л.Н.Александров,Р.В.Бочкова,А.Н.Коган,Н.П.Тихонова;Отв.ред.С.И.Стенин, 1991. - 167 с. - Текст : непосредственный.Александров Л.Н. Современные физические проблемы твердых пленок : Учеб. пособие для студентов IV-V курсов физ.-техн. фак. и фак. электрон. техники дневного и веч. отд-ний / Л.Н.Александров, 1990. - 99 с. - Текст : непосредственный.Бондарева Т.В. Численное моделирование диффузии примесей III и Y групп в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации / Т. В. Бондарева, В. И. Кольдяев, Л. Н. Александров, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Боднар О.Я. Динамическая симметрия / О. Я. Боднар, 1990. - 69 с. - Текст : непосредственный.Спектр спиновых возбуждений в негейзенбергских антиферромагнетиках со структурой La2 Ni O4 с учетом мультиплетности атомных состояний / М. Б. Гусейнов, Х. М. Пашаев, Н. Г. Гусейнов, М. Т. Касумов, 1991. - 34 с. - Текст : непосредственный.Кузнецов В.А. Метод вынуждения с точки зрения формальной системы G+ генценовского типа / В. А. Кузнецов, 1991. - 59 с. - Текст : непосредственный.Солдатенко Г.А. Постоянные магниты в осветителе электронного микроскопа высокого разрешения / Г. А. Солдатенко, 1988. - 16 c. - Текст : непосредственный.Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный.Герман-Галкин С.Г. Применение силовых полупроводниковых приборов в преобразовательной технике / С. Г. Герман-Галкин, В. А. Рудский, Н. Н. Юрченко, 1990. - 32 с. - Текст : непосредственный.Новицкий В.В. Декомпозиция линейных управляемых систем / В. В. Новицкий, 1990. - 27 с. - Текст : непосредственный.Новицкий В.В. Декомпозиция и модальное управление в линейных системах / В. В. Новицкий, 1990. - 27 с. - Текст : непосредственный.Федорин Я.В. Метод численного моделирования конвективного и адвективного тепломассопереноса для многослоистых сред / Я. В. Федорин, 1990. - 29 c. - Текст : непосредственный.Богданов Ю.И. Вынужденное излучение трубчатого электронного пучка в ондуляторе с переменным периодом / Ю. И. Богданов, 1990. - 10 с. - Текст : непосредственный.Сидоренко И.Н. Particle loss regions in phase space for torsatron configurations. 1 / И. Н. Сидоренко, А. А. Шишкин, 1990. - 16 p. - Текст : непосредственный.Чечкин В.В. On a mechanism of antenna phasing effect on impurity production during icrf plasma heating / В. В. Чечкин, Л. И. Григорьева, 1990. - 15 p. - Текст : непосредственный.Коллективное взаимодействие моноэнергетических РЭП большой энергии с плазмой / А. К. Березин, В. А. Киселев, И. Н. Онищенко, Я. Б. Файнберг, 1989. - 16 c. - Текст : непосредственный.Салеев В.А. J/ production in hadron-nucleus and nucleus-nucleus collisions at high energies / В. А. Салеев, Н. П. Зотов, 1990. - 17 p. - Текст : непосредственный.Многоцелевой детекторный модуль для регистрации нейтронов в околеземном пространстве / М. И. Панасюк, П. И. Шаврин, О. Ю. Нечаев, 1990. - 23 с. - Текст : непосредственный.Возбуждение колебаний при взаимодействии электронного пучка с создаваемой им плазмой / Ю. П. Блиох, Н. М. Землянский, М. Г. Любарский, 1990. - 7 c. - Текст : непосредственный.Качаловская Н.Е. Равновесие упругой среды с эллипсоидальной неоднородностью при условии гладкого контакта на ее границе / Н. Е. Качаловская, А. Ф. Улитко, 1989. - 34 с. - Текст : непосредственный.Информационная система "ГИС-сейсморазведка" при детальном изучении строения нефтегазовых объектов / Е. А. Галаган, П. Г. Гильберштейн, Л. В. Кузнецова, 1989. - 81 c. - Текст : непосредственный.Рыков В.А. Передача импульса молекулам газа дрейфовыми потоками ионов и электронов / В. А. Рыков, А. В. Худяков, 1999. - 13 с. - Текст : непосредственный.Беляев Ю.Э. Моделирование роста фрактальных кластеров в газовой фазе / Ю. Э. Беляев, Ю. Е. Лозовик, А. А. Пурецкий, 1991. - 31 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыРоманов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный.Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный.Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный.Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный.Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный.Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный.Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный.La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный.Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный.Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный.Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыКорреляция малоуглового рассеяния света с типом ростовых микродефектов структуры в бездислокационном бестигельном кремнии / В. В. Воронков, Г. И. Воронкова, В. П. Калинушкин, 1989. - 7 с. - Текст : непосредственный.Юлдшев Н.Х. Временная кинетика поляризованного вторичного излучения при резонансном импульсном возбуждении экситонов / Н. Х. Юлдшев, 1992. - 29 с. - Текст : непосредственный.Особенности формирования отрицательным мюоном акцепторного центра в алмазе и поведение его поляризации / А. С. Батурин, В. Н. Горелкин, Т. Н. Мамедов [и др.], 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный.
Взаимодействие центра MnGaBGaA3 с электромагнитным и акустическим излучением / Н.С.Аверкиев,А.А.Гуткин,О.Г.Максимова и др., 1991. - 49 с. - Текст : непосредственный.Исследование акцепторной примеси бора в искусственном алмазе - SR-методом / Т. Н. Мамедов [и др.], 2007. - 10 с. - Текст : непосредственный.Дзюбенко А.Б. Энергии примесно-связанных состояний двумерных магнитоплазменных и спиновых возбуждений в сильном магнитном поле / А.Б.Дзюбенко,Ю.Е.Лозовик, 1992. - 38 с. - Текст : непосредственный.Лебедев А.А. Свойства уровней хрома в кремнии / А.А.Лебедев,Н.А.Султанов, 1991. - 10 с. - Текст : непосредственный.Кикоин К.А. Crystal fields and ligand fields for 3d impurities in CdTe / К. А. Кикоин, I. G. Kurek, S. V. Melnichuk, 1990. - 20 p. - Текст : непосредственный.Авруцкий И.А. Расчет энергии связи экситона в напряженных КЯ-структурах / И. А. Авруцкий, В. А. Сычугаев, Б. А. Усиевич, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Исследование температурной зависимости скорости релаксации акцепторного центра в кремнии -SR-методом / Т.Н.Мамедов,К.И.Грицай,А.В.Стойков и др., 2000. - 11 с. - Текст : непосредственный.Аждаров Г.Х. Легирование твердых растворов германий-кремний медью и определение энергии связи первого акцепторного состояния этой примеси в кристаллах / Г. Х. Аждаров, Р. З. Кязимзаде, В. В. Мир-Багиров, 1991. - 21 с. - Текст : непосредственный.Бондарева Т.В. Численное моделирование диффузии примесей III и Y групп в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации / Т. В. Бондарева, В. И. Кольдяев, Л. Н. Александров, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Зависимость скорости релаксации магнитного момента мелкого акцепторного центра от концентрации примеси в кремнии / Т.Н.Мамедов,Д.Г.Андрианов,Д.Герлах и др., 2000. - 8 с. - Текст : непосредственный.Шемелина О.С. Экспериментальное определение равновесных параметров доминирующих глубоких уровней в антимониде индия / О.С.Шемелина,Ю.Ф.Новотоцкий-Власов, 1989. - 54 с. - Текст : непосредственный.Низкотемпературная фотолюминесценция как метод для исследования взаимодействия примесей в Ga As / А.В.Квит,С.Р.Октябрьский,Б.Г.Журкин и др., 1990. - 19 c. - Текст : непосредственный.Investigation of acceptor centers in semiconductors with diamond crystal structure by the SR-method / T.N.Mamedov,I.L.Chaplygin,V.N.Duginov и др., 1998. - 15 p. - Текст : непосредственный.Релаксация магнитного момента мелкого акцепторного центра в сильно легированном кремнии / Т.Н.Мамедов,Д.Г.Андрианов,Д.Герлах и др., 2001. - 14 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽