Полное описание
Сибатов, Р. Т.
ГРНТИ УДК 29.19.31 537.311.322:536(043) 29.19.33 537.226:536(043)
Кл.слова (ненормированные): БИПОЛЯРНАЯ ДИФФУЗИЯ -- ЗАПОЛНЯЕМОСТЬ -- ЛОКАЛИЗОВАННЫЕ СОСТОЯНИЯ -- РЕКОМБИНАЦИЯ -- РЕЛАКСАЦИЯ
Аннотация: Разработка и апробация теории переноса релаксации носителей заряда в неупорядоченных полупроводниковых и диэлектрических системах на основе кинетических уравнений с производными дробного порядка с учётом различных типов рекомбинации, биполярной диффузии, заполняемости локализованных состояний, пространственных корреляций, кулоновской блокады.
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар12-6329)
Шифр в сводном ЭК: 0f9b7a37e3d4e64e10fb6c910c6d7681
Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный. Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный. Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный. Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный. Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный. Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный. Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный. Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный. Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный. Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный. JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный. Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный. Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный. Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный. Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный. Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный. La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный. Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный. Сельдюгаев О.Б. Влияние химического строения на процессы миграции носителей заряда в органических высокомолекулярных диэлектриках : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / О. Б. Сельдюгаев, 2002. - 18 с. - Текст : непосредственный. Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Арапова И.Ю. Кинетические явления в кристаллах HgSe, содержащих примеси железа со смешанной валентностью : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / И. Ю. Арапова, 2000. - 28 с. - Текст : непосредственный. Егоров Г.В. Низкотемпературные теплофизические свойства кристаллических диэлектриков сложного состава : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Г. В. Егоров, 1998. - 22 с. - Текст : непосредственный. Хабарова Т.В. Эффекты магнитного поля в теплопроводности парамагнитных диэлектриков / Т. В. Хабарова, 2010. - 20 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Черноусов И.В. Особенности кинетики носителей заряда в кристаллах со структурой алмаза / И. В. Черноусов, 2018. - 19 с. - Текст : непосредственный. Баландина Н.В. Исследование особенностей и расчет теплового сопротивления широкозонных полупроводников и реальных кристаллов с дефектами, и кластерами и фазовыми переходами : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / Н. В. Баландина, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный. Кожанов А.Е. Явления переноса в твердых растворах Pb1-xSnxTe(In) в переменных электрических полях : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.09 / А. Е. Кожанов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный. Зейналов С.А. Электрофизические и тепловые свойства систем In Teз - Crз Te и In Teз - CuзTe : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / С. А. Зейналов, 2003. - 21 с. - Текст : непосредственный. Камарли Фаик Махмуд.Кинетические свойства слаболегированных редкоземельными элементами монотеллуридов олова и германия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.18 / Камарли Фаик Махмуд, 1993. - 18 с. - Текст : непосредственный. Пономарев А.И. Электронные кинетические явления в полупроводниковых и ВТСП соединениях с примесями замещения и собственными дефектами : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 01.04.07 / А. И. Пономарев, 1998. - 42 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
