• ВХОД
  •  

    Полное описание

    Дагесян, С. А. Одноэлектронные транзисторы с высокой зарядовой энергией : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук: 01.04.04 / С. А. Дагесян. - 2017. - 23 с. : ил. - Библиогр.: с. 21-23 (30 назв.). - 100 экз. - Текст : непосредственный.

    ГРНТИ УДК
    47.33621.382.3(043)

    Кл.слова (ненормированные): ОДНОЭЛЕКТРОННЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
    Держатели документа:
    Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар17-8902)

    Шифр в сводном ЭК: d61eeb21556cde9d4225b27b8d0b4f79



    Заказ фрагмента документа ₽