Приложение
для AndroidПолное описание
Моргун, А. И. Влияние легирующих примесей висмута, иттребия и олова на поведение собственных точечных дефектов и электрофизические свойства эпитаксиальных слоев антимонида галлия : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.06 / А. И. Моргун. - М., 1990. - 22 с. : ил. - Текст : непосредственный.
В надзаг. : Моск. ин-т тонкой хим. технологии им.М.В.Ломоносова. Библиогр.:с. 20-22(11 назв.)
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.09.29 | 621.315.592.3-416(043) |
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР90-019980)
Шифр в сводном ЭК: c10bd8d74c1e66b89858a03a1c3c21a0
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Перминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Кажева О.Н. Синтез и строение новых молекулярных проводников на основе катион-радикальных солей с анионами, содержащими ртуть и редкоземельные элементы : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / О. Н. Кажева, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный.Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Егоров А.Ю. Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Ю. Егоров, 2011. - 40 с. - Текст : непосредственный.Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный.Варлачев В.А. Нейтронное трансмутационное легирование кремния в бассейновом исследовательском ядерном реакторе / В. А. Варлачев, 2015. - 48 с. - Текст : непосредственный.Кремний-2004 : материалы временных коллективов / Институт геохимии им. А. П. Виноградова (Иркутск), 2004. - 244 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1506) : Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1970-1988 гг. / К.П.Николаев,Л.И.Немировский, 1989. - 60 с. - Текст : непосредственный.Талипов Н.Х. Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xTe радиационно-термическими воздействиями / Н. Х. Талипов, 2015. - 46 с. - Текст : непосредственный.Новые магнитные материалы микроэлектроники, 2000. - 889 с. - Текст : непосредственный.Столяров С.М. Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А В с заданными свойствами : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. М. Столяров, 1998. - 15 с. - Текст : непосредственный.Воробьев В.В. Нерасходящееся излучение пучков заряженных частиц в присутствии планарных и объемных периодических структур из параллельных проводников / В. В. Воробьев, 2016. - 19 с. - Текст : непосредственный.INFOS 2007 : материалы временных коллективов / Conference on insulating films on semiconductors (15th ; 2007 ; Glyfada Athens), 2007. - XII, 1845-2439 p. - Текст : непосредственный.Усеинов А.С. Измерение модуля упругости высокотемпературных полупроводниковых материалов и других твердых тел методом сканирующей силовой микроскопии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Усеинов, 2004. - 25 с. - Текст : непосредственный.Карасева Т.В. Размерная обработка кремния и оценка технологических погрешностей : выставочные материалы / Т. В. Карасева, 2014. - 126 с. - Текст : непосредственный.Земцов А.Е. Создание новой полупроводниковой системы GaAs-CdS и изучение ее поверхностных физико-химических свойств : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / А. Е. Земцов, 2004. - 19 с. - Текст : непосредственный.Новоселова А.В. Термодинамика и материаловедение полупроводников / А. В. Новоселова, А. В. Новоселова, В. М. Глазов, Н. А. Смирнова ; карт. В. М. Глазов, 1992. - 391 с. - Текст : непосредственный.-V semiconductor materials and devices / Ed. R. J. Malik, 1989. - IX,727 p. p. - Текст : непосредственный. Фарид Нассур ибн Ханна.Влияние технологических примесей на оптические и электрические свойства монокристаллов Si,подвергнутых термообработке : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Фарид Нассур ибн Ханна, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЛарина Э.В. Метастабильные состояния в легированных бором и фосфором пленках а-Si:H, возникающие под влиянием внешних воздействий : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Э. В. Ларина, 1999. - 15 с. - Текст : непосредственный.Комарницкая Е.А. Особенности дефектообразования в ионноимплантированных слоях арсенида галлия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Е. А. Комарницкая, 2000. - 27 с. - Текст : непосредственный.Моргун А.И. Влияние легирующих примесей висмута, иттребия и олова на поведение собственных точечных дефектов и электрофизические свойства эпитаксиальных слоев антимонида галлия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.06 / А. И. Моргун, 1990. - 22 с. - Текст : непосредственный.Шенгуров Д.В. Структура и электрические свойства легированных пленок поликристаллического кремния, полученных методом молекулярно-лучевого осаждения : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат.наук:01.04.10 / Д. В. Шенгуров, 1998. - 18 с. - Текст : непосредственный.Суворова А.А. Электронная микроскопия имплантированных структур на основе карбида кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / А. А. Суворова, 1999. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Заказ фрагмента документа ₽