Приложение
для AndroidПолное описание
Эфендиев, Э. Г. Определение ближнего порядка в аморфных пленках Ybз As Sg / Э.Г.Эфендиев,Э.Ш.Гаджиев. - Баку : [б. и.], 1990. - 7 с. : ил. - (Препринт ; 371). - 100 экз. - Текст : непосредственный.
Библиогр.: с. 7 (6 назв.)
| ГРНТИ | УДК | |
| 29.19.31 | 537.311.322:539.216.2(04) |
Рубрики:
Полупроводниковые пленки
Доп. точки доступа:
Гаджиев, Э.Ш.
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): М/22788/371)
Шифр в сводном ЭК: 84a93cdac9b5052cce7da6cbabf484d0
Эфендиев Э.Г. Определение ближнего порядка в аморфных пленках Ybз As Sg / Э.Г.Эфендиев,Э.Ш.Гаджиев, 1990. - 7 с. - Текст : непосредственный.Гаджиев Э.Ш. Фазообразование и структура тонких аморфных пленок на основе Yb-As-S (Se) : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Э. Ш. Гаджиев, 1992. - 21 с. - Текст : непосредственный.
Боднар О.Я. Динамическая симметрия / О. Я. Боднар, 1990. - 69 с. - Текст : непосредственный.Спектр спиновых возбуждений в негейзенбергских антиферромагнетиках со структурой La2 Ni O4 с учетом мультиплетности атомных состояний / М. Б. Гусейнов, Х. М. Пашаев, Н. Г. Гусейнов, М. Т. Касумов, 1991. - 34 с. - Текст : непосредственный.Кузнецов В.А. Метод вынуждения с точки зрения формальной системы G+ генценовского типа / В. А. Кузнецов, 1991. - 59 с. - Текст : непосредственный.Солдатенко Г.А. Постоянные магниты в осветителе электронного микроскопа высокого разрешения / Г. А. Солдатенко, 1988. - 16 c. - Текст : непосредственный.Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный.Герман-Галкин С.Г. Применение силовых полупроводниковых приборов в преобразовательной технике / С. Г. Герман-Галкин, В. А. Рудский, Н. Н. Юрченко, 1990. - 32 с. - Текст : непосредственный.Новицкий В.В. Декомпозиция линейных управляемых систем / В. В. Новицкий, 1990. - 27 с. - Текст : непосредственный.Новицкий В.В. Декомпозиция и модальное управление в линейных системах / В. В. Новицкий, 1990. - 27 с. - Текст : непосредственный.Федорин Я.В. Метод численного моделирования конвективного и адвективного тепломассопереноса для многослоистых сред / Я. В. Федорин, 1990. - 29 c. - Текст : непосредственный.Богданов Ю.И. Вынужденное излучение трубчатого электронного пучка в ондуляторе с переменным периодом / Ю. И. Богданов, 1990. - 10 с. - Текст : непосредственный.Сидоренко И.Н. Particle loss regions in phase space for torsatron configurations. 1 / И. Н. Сидоренко, А. А. Шишкин, 1990. - 16 p. - Текст : непосредственный.Чечкин В.В. On a mechanism of antenna phasing effect on impurity production during icrf plasma heating / В. В. Чечкин, Л. И. Григорьева, 1990. - 15 p. - Текст : непосредственный.Коллективное взаимодействие моноэнергетических РЭП большой энергии с плазмой / А. К. Березин, В. А. Киселев, И. Н. Онищенко, Я. Б. Файнберг, 1989. - 16 c. - Текст : непосредственный.Салеев В.А. J/ production in hadron-nucleus and nucleus-nucleus collisions at high energies / В. А. Салеев, Н. П. Зотов, 1990. - 17 p. - Текст : непосредственный.Многоцелевой детекторный модуль для регистрации нейтронов в околеземном пространстве / М. И. Панасюк, П. И. Шаврин, О. Ю. Нечаев, 1990. - 23 с. - Текст : непосредственный.Возбуждение колебаний при взаимодействии электронного пучка с создаваемой им плазмой / Ю. П. Блиох, Н. М. Землянский, М. Г. Любарский, 1990. - 7 c. - Текст : непосредственный.Качаловская Н.Е. Равновесие упругой среды с эллипсоидальной неоднородностью при условии гладкого контакта на ее границе / Н. Е. Качаловская, А. Ф. Улитко, 1989. - 34 с. - Текст : непосредственный.Информационная система "ГИС-сейсморазведка" при детальном изучении строения нефтегазовых объектов / Е. А. Галаган, П. Г. Гильберштейн, Л. В. Кузнецова, 1989. - 81 c. - Текст : непосредственный.Рыков В.А. Передача импульса молекулам газа дрейфовыми потоками ионов и электронов / В. А. Рыков, А. В. Худяков, 1999. - 13 с. - Текст : непосредственный.Беляев Ю.Э. Моделирование роста фрактальных кластеров в газовой фазе / Ю. Э. Беляев, Ю. Е. Лозовик, А. А. Пурецкий, 1991. - 31 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыРоманов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный.Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный.Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный.Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный.Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный.Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный.Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный.La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный.Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный.Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный.Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыАверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный.
Scheller K. Entstehung eines Nichtgleichgewichtszustandes in einem gekoppelten System aus Elektron-Loch Plasma und akustischen Phononen nach optischer Anregung in einer Halbleiterschicht : Diss. / K.Scheller, 1992. - 85 S. - Текст : непосредственный. Искендеров С.О. Физические свойства пленочных систем Bi Те -Bi Se / С. О. Искендеров, Г. М. Ахмедов, Н. М. Абдуллаев, 1991. - 13 c. - Текст : непосредственный.Курило И.В. Структура и физико-механические свойства кристаллов и пленок соединений АII ВVI / И. В. Курило, В. П. Алехин, 2011. - 570 с. - Текст : непосредственный.Металлооксидные пленки: синтез, свойства и применение : монография / С. И. Рембеза [и др.], 2018. - 171 с. - Текст : непосредственный.Ершов И.В. Введение в физику и технологию планарных наноструктур : учебное пособие / И. В. Ершов, В. В. Илясов, 2018. - 99 с. - Текст : непосредственный.Эфендиев Э.Г. Определение ближнего порядка в аморфных пленках Ybз As Sg / Э.Г.Эфендиев,Э.Ш.Гаджиев, 1990. - 7 с. - Текст : непосредственный.Экситон Ванье - Мотта в тонкой пленке анизотропного полупроводника / В.И.Бойчук,А.Т.Гамарник,Р.И.Пазюк,Н.И.Стасив, 1992. - 16 с. - Текст : непосредственный.Ткач Н.В. Размерное квантование спектраквазичастиц в сферической микропленке / Н.В.Ткач,В.А.Головацкий, 1990. - 12 с. - Текст : непосредственный.Атакулов Ш.Б. Термические и радиационно-стимулированные процессы в поликристаллических пленках халькогенидов свинца / Ш.Б.Атакулов,И.М.Конанбаев, 1992. - 96 с. - Текст : непосредственный.Свойства пленок Cd Zn и Cu S Cd Zn S -гетероструктур на их основе / А.И.Байремов,Т.Д.Джафаров,Х.И.Наджафов и др., 1991. - 31 с. - Текст : непосредственный.Палатник Л.С. Основы пленочного полупроводникового материаловедения : учеб. пособие / Л. С. Палатник, В. К. Сорокин, 1973. - 295 с. - Текст : непосредственный.Carmona M.I.A. Herstellung und Ramanspektroskopische Untersuchungen epitaktischer Schichten von Ge, Si Ge-Mischkristallen und Si/Ge Ubergittern : Diss. / M.I.A.Carmona, 1989. - 197 S. - Текст : непосредственный.Nebel C.E. Ladungstragertransprt und Rekombination in a-SiGe:H : Diss. / C.E.Nebel, 1990. - 174 S. - Текст : непосредственный.Венгер Е.Ф. Фотостимулированные процессы в халькогенидных стеклообразных полупроводниках и их практическое применение / Е.Ф.Венгер, 2007. - 283 с. - Текст : непосредственный.Милехин А.Г. О повышении точности определения плазменной частоты по ИК-спектрам отражения эпитаксиальных пленок / А. Г. Милехин, О. А. Макаров, М. П. Синюков, 1990. - 26 с. - Текст : непосредственный.Максимов С.К. Диссипативные структуры в эпитаксиальных слоях композиций А В 1. Атомное упорядочение в GaAlAs. Структурный аспект / С.К.Максимов,К.С.Максимов, 1996. - 19 c. - Текст : непосредственный.Максимов С.К. Диссипативные структуры в эпитаксиальных слоях композиций А В 3. Возможный механизм формирования диссипативных структур / С.К.Максимов,К.С.Максимов, 1995. - 19 c. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Жерихин А.Н. Нелинейная спектроскопия узкозонных полупроводниковых пленок Pr-Ba-Cu-O методом бигармонической накачки / А. Н. Жерихин, В. А. Лобастов, В. М. Петникова, 1992. - 8 с. - Текст : непосредственный.
Неактивационный характер проводимости в неупорядоченных средах / О.А.Гудаев,В.К.Малиновский,Э.Э.Пауль,В.А.Трещихин, 1989. - 12 с. - Текст : непосредственный.Искендеров С.О. Физические свойства пленочных систем Bi Те -Bi Se / С. О. Искендеров, Г. М. Ахмедов, Н. М. Абдуллаев, 1991. - 13 c. - Текст : непосредственный.Энерговыделение в тонких слоях арсенида галлия под действием высокоэнергетических частиц / В.С.Барашенков,А.Полянски,А.Н.Соснин,С.Ю.Шмаков, 1991. - 3 с. - Текст : непосредственный.Эфендиев Э.Г. Определение ближнего порядка в аморфных пленках Ybз As Sg / Э.Г.Эфендиев,Э.Ш.Гаджиев, 1990. - 7 с. - Текст : непосредственный.Маркова Н.В. Dispersion of collective excitations in narrow-gap semiconductor quantized film / Н.В.Маркова, 1994. - 19 p. - Текст : непосредственный.Экситон Ванье - Мотта в тонкой пленке анизотропного полупроводника / В.И.Бойчук,А.Т.Гамарник,Р.И.Пазюк,Н.И.Стасив, 1992. - 16 с. - Текст : непосредственный.Ткач Н.В. Размерное квантование спектраквазичастиц в сферической микропленке / Н.В.Ткач,В.А.Головацкий, 1990. - 12 с. - Текст : непосредственный.Свойства пленок Cd Zn и Cu S Cd Zn S -гетероструктур на их основе / А.И.Байремов,Т.Д.Джафаров,Х.И.Наджафов и др., 1991. - 31 с. - Текст : непосредственный.Гусейнов Р.Р. Самодействие носителей заряда в полупроводниковой пленке / Р.Р.Гусейнов, 1991. - 8 с. - Текст : непосредственный.Максимов С.К. Диссипативные структуры в эпитаксиальных слоях композиций А В 1. Атомное упорядочение в GaAlAs. Структурный аспект / С.К.Максимов,К.С.Максимов, 1996. - 19 c. - Текст : непосредственный.Максимов С.К. Диссипативные структуры в эпитаксиальных слоях композиций А В 3. Возможный механизм формирования диссипативных структур / С.К.Максимов,К.С.Максимов, 1995. - 19 c. - Текст : непосредственный.Диссипативные структуры в эпитаксиальных слоях композиций А В 2. Неравновесное упорядочение и физические параметры слоев GaAlAs / Э.А.Ильичев,С.К.Максимов,К.С.Максимов и др., 1996. - 16 c. - Текст : непосредственный.Калинин В.С. Фрактальная модель фотопроводимости поликристаллических пленок / В. С. Калинин, В. В. Мезенцев, Г. И. Смирнов, 1990. - 20 c. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽