• ВХОД
  •  

    Полное описание

    Черникова, А. Г. Структурные и электрофизические свойства аморфных HfxAl1-xOy и сегнетоэлектрических HfxLa1-xOy, HfxZr1-xOy тонкопленочных оксидов, формируемых методом атомно-слоевого осаждения : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук: 01.04.04 / А. Г. Черникова. - 2017. - 22 с. : ил. - Библиогр.: с. 21-22 (10 назв.). - 100 экз. - Текст : непосредственный.

    ГРНТИ УДК
    47.09621.38-03(043)

    Кл.слова (ненормированные): АТОМНО-СЛОЕВОЕ ОСАЖДЕНИЕ -- ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СИСТЕМЫ
    Держатели документа:
    Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар17-1469)

    Шифр в сводном ЭК: 25a3ecf942160314e69fb34aa2e913b0



    Заказ фрагмента документа ₽