Приложение
для AndroidПолное описание
Чжан Хай-Ин. Физико-технологические основы ионно-плазменного травления карбида кремния : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / Чжан Хай-Ин. - СПб., 1993. - 12 с. - Текст : непосредственный.
В надзаг.: С.-Петербург.гос. электротехн.ун-т. Библиогр.: с.12(2назв.)
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.09.29 | 621.315.592.002:621.794(043) |
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР93-6444)
Шифр в сводном ЭК: 1832b91ba9aa4a4bae499b9689908b1d
Перминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Кажева О.Н. Синтез и строение новых молекулярных проводников на основе катион-радикальных солей с анионами, содержащими ртуть и редкоземельные элементы : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / О. Н. Кажева, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный.Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Егоров А.Ю. Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Ю. Егоров, 2011. - 40 с. - Текст : непосредственный.Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный.Варлачев В.А. Нейтронное трансмутационное легирование кремния в бассейновом исследовательском ядерном реакторе / В. А. Варлачев, 2015. - 48 с. - Текст : непосредственный.Кремний-2004 : материалы временных коллективов / Институт геохимии им. А. П. Виноградова (Иркутск), 2004. - 244 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1506) : Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1970-1988 гг. / К.П.Николаев,Л.И.Немировский, 1989. - 60 с. - Текст : непосредственный.Талипов Н.Х. Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xTe радиационно-термическими воздействиями / Н. Х. Талипов, 2015. - 46 с. - Текст : непосредственный.Новые магнитные материалы микроэлектроники, 2000. - 889 с. - Текст : непосредственный.Столяров С.М. Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А В с заданными свойствами : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. М. Столяров, 1998. - 15 с. - Текст : непосредственный.Воробьев В.В. Нерасходящееся излучение пучков заряженных частиц в присутствии планарных и объемных периодических структур из параллельных проводников / В. В. Воробьев, 2016. - 19 с. - Текст : непосредственный.INFOS 2007 : материалы временных коллективов / Conference on insulating films on semiconductors (15th ; 2007 ; Glyfada Athens), 2007. - XII, 1845-2439 p. - Текст : непосредственный.Усеинов А.С. Измерение модуля упругости высокотемпературных полупроводниковых материалов и других твердых тел методом сканирующей силовой микроскопии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Усеинов, 2004. - 25 с. - Текст : непосредственный.Карасева Т.В. Размерная обработка кремния и оценка технологических погрешностей : выставочные материалы / Т. В. Карасева, 2014. - 126 с. - Текст : непосредственный.Земцов А.Е. Создание новой полупроводниковой системы GaAs-CdS и изучение ее поверхностных физико-химических свойств : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / А. Е. Земцов, 2004. - 19 с. - Текст : непосредственный.Новоселова А.В. Термодинамика и материаловедение полупроводников / А. В. Новоселова, А. В. Новоселова, В. М. Глазов, Н. А. Смирнова ; карт. В. М. Глазов, 1992. - 391 с. - Текст : непосредственный.-V semiconductor materials and devices / Ed. R. J. Malik, 1989. - IX,727 p. p. - Текст : непосредственный. Фарид Нассур ибн Ханна.Влияние технологических примесей на оптические и электрические свойства монокристаллов Si,подвергнутых термообработке : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Фарид Нассур ибн Ханна, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыКлебанова И.В. Синтез самонастраивающихся систем управления технологическими процессами сухого травления кремния : специальность 05.13.07 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук / И. В. Клебанова, 1994. - 13 с. - Текст : непосредственный.
Аракчеева Е.М. Полупроводниковые микроструктуры на основе соединений А В, полученные методом реактивного ионного травления : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Е. М. Аракчеева, 2008. - 23 с. - Текст : непосредственный.Кушхов А.Р. Особенности ионно-плазменного травления арсенида галлия и фосфида индия применительно к элементам твердотельной электроники : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / А. Р. Кушхов, 2004. - 18 с. - Текст : непосредственный.Чжан Хай-Ин.Физико-технологические основы ионно-плазменного травления карбида кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / Чжан Хай-Ин, 1993. - 12 с. - Текст : непосредственный.Горбатов Ю.Б. Исследование процессов травления ионными и атомными пучками, стимулированных потоком фторсодержащих радикалов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / Ю. Б. Горбатов, 1990. - 11 с. - Текст : непосредственный.Багрий И.П. Исследование и разработка способов повышения эффективности плазмохимической микрообработки материалов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / И. П. Багрий, 1990. - 16 с. - Текст : непосредственный.Апполонов С.В. Механизмы модификации электронной структуры, светоизлучающих свойств и состава поверхности пористого кремния в процессе водного дотравливания : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / С. В. Апполонов, 2005. - 22 с. - Текст : непосредственный.Абрамова Е.А. Размерное травление кремния и диоксида кремния высокочастотным газовым тлеющим микроразрядом : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / Е. А. Абрамова, 2003. - 16 с. - Текст : непосредственный.Панчук О.О. Взаимодействие теллурида кадмия с водными растворами бихромата калия в минеральных кислотах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук: 02.00.01 / О. О. Панчук, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный.Беневоленский С.Б. Повышение эффективности травления арсенида галлия в низкотемпературной плазме с использованием гетерогенного катализа и пассивации боковых поверхностей профиля травления продуктами полимеризации : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.12.13 / С. Б. Беневоленский, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Сытов И.П. Моделирование процесса фотостимулированного травления кремния в среде хлора : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / И. П. Сытов, 1993. - 18 с. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽