Полное описание
Соболев, Н. А.
ГРНТИ УДК 47.13.11 621.382.026.002(043) 47.33.33 621.383.52.002(043)
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар09-7107)
Шифр в сводном ЭК: de88478e937b56a4dd1599d96becbe7d
Соболев Н.А. Проективные основания теории изображений / Н. А. Соболев, 1989. - 91 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Мамедли Э.М. Методы восстановления вычислительного процесса в отказоустойчивых цифровых системах управления реального времени : Препринт / Э. М. Мамедли, Р. Я. Самедов, Н. А. Соболев, 1998. - 74 с. - Текст : непосредственный. Соболев Н.А. Предпринимательская деятельность в сфере коммерциализации инноваций : автореф. дис. .. канд. экон. наук: 08.00.05 / Н. А. Соболев, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный. Соболев Н.А. Физические основы инженерии дефектов в технологии кремниевых силовых высоковольтных и светоизлучающих структур : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / Н. А. Соболев, 2009. - 34 с. - Текст : непосредственный. Исследование содержания тяжелых металлов в снеговом покрове г. Архангельска и оценка их влияния на здоровье населения / Н. Б. Чагина [и др.]. - Текст : непосредственный // Вестник Северного (Арктического) федерального университета. - Архангельск : САФУ им. М. В. Ломоносова, 2016. - № 4. - с. 57-68 Соболев Н.А. От "трансляции знания" к "менеджменту знания" / Н. А. Соболев. - Текст : непосредственный // Вестн. ун-та. - М. - 2014. - № 12. - с. 228--233 Оценка загрязнения торфа некоторыми тяжелыми металлами в зависимости от глубины залегания / С. А. Сыпалов , А. Ю. Кожевников, Н. Л. Иванченко [и др.]. - Текст : непосредственный // Химия твердого топлива. - Москва : Российская академия наук, 2020. - № 1. - с. 38-42 Соболев Н.А. Динамический потенциал предприятия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. экон. наук :08.00.05 / Н. А. Соболев, 2001. - 23 с. - Текст : непосредственный. Соболев Н.А. Neutron transmutation doping of silicon by magnesium / Н. А. Соболев, E. I. Shek, E. P. Shabalin, 1993. - 9 p. - Текст : непосредственный. Соболев Н.А. Красная книга как инструмент защиты экосистем в эпоху антропоцена / Н. А. Соболев, Л. Б. Волкова. - Текст : непосредственный // Использование и охрана природных ресурсов в России. - Москва : НИА-Природа, 2023. - N 2. - с. 13-18 Виноградов М.И. Вакуумные процессы оборудование ионно-и электронно- лучевой технологии / М. И. Виноградов, Ю. П. Маишев, 1989. - 53 с. - Текст : непосредственный. Полтавцев Ю.Г. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике / Ю. Г. Полтавцев, А. С. Князев, 1990. - 206 c. - Текст : непосредственный. Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный. Моносилан в технологии полупроводниковых материалов / Е. П. Белов, Е. Н. Лебедев, Ю. П. Григораш [и др.], 1989. - 66 с. - Текст : непосредственный. Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный. Голод С.В. Методы формирования трехмерных микро- и наноструктур на основе напряженных SiGe/Si пленок : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Голод, 2006. - 23 с. - Текст : непосредственный. Пичугин К.Н. Эффекты квантовой интерференции в электронном транспорте через двумерные наноструктуры : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. Н. Пичугин, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный. Игонина Т.И. Технологическое обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств / Т. И. Игонина, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный. Иванов В.Ю. Поляризационно-оптические методы исследования и контроля физико-технических характеристик поверхностных слоев элементов оптотехники / В. Ю. Иванов, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный. Круглов О.В. Разработка и исследование приборов для измерения оптических параметров и характеристик светодиодов / О. В. Круглов, 2011. - 22 с. - Текст : непосредственный. Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный. Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный. Моряков О.С. Сборка / О. С. Моряков, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный. Мартынов В.В. Литографические процессы / В. В. Мартынов, Т. Е. Базаров, 1990. - 128 c. - Текст : непосредственный. Progress in nano-electro-optics IV / SpringerLink (Online service), 2005 r=on-line. - Текст : электронный. Photonic crystals / J. Lourtioz, V. Benisty, J. Berger [et al.], 2005 r=on-line. - Текст : электронный. Optical imaging sensors and systems for homeland security applications / SpringerLink (Online service), 2006 r=on-line Mid-infrared semiconductor optoelectronics / SpringerLink (Online service), 2006 r=on-line Nastasi M. Ion implantation and synthesis of materials / M. Nastasi, J. W. Mayer, 2006 r=on-line Progress in nano-electro-optics V / SpringerLink (Online service), 2006 r=on-line. - Текст : электронный. Показать все результаты Борзистая Е.Л. Прогнозирование условий жидкофазной гетероэпитаксии профилированных структур InP/Ga In P, As /nP для излучателей с 1,6 мкм : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / Е. Л. Борзистая, 1998. - 27 с. - Текст : непосредственный. Чапкевич А.Л. Исследование имплантационных методов формирования структур полупроводниковых СВЧ и фотодиодов : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. Л. Чапкевич, 2004. - 42 c. - Текст : непосредственный. Мармалюк А.А. Исследование и разработка процесса МОС-гидридной эпитаксии нитрида галлия : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / А. А. Мармалюк, 1998. - 24 с. - Текст : непосредственный. Коновалов М.П. Применение высокоэнергетичных электронов в технологии силовых кремниевых приборов для улучшения их динамических и статических параметров : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / М. П. Коновалов, 2005. - 20 с. - Текст : непосредственный. Бокарев Д.И. Модификация процесса формирования внутренних соединений силовых полупроводниковых приборов : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / Д. И. Бокарев, 2002. - 18 с. - Текст : непосредственный. Болесов И.А. Исследования и разработка технологии изготовления PIN-фотодиодов на основе кремния с применением ионной имплантации : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / И. А. Болесов, 2004. - 22 с. - Текст : непосредственный. Борисов Б.А. Молекулярно-пучковая эпитаксия нитридов металлов для светодиодов ультрафиолетового диапазона : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.04 / Б. А. Борисов, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный. Жагиро П.В. Формирование и свойства пористого кремния и лавинных светоизлучающих структур на его основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.27.01 / П. В. Жагиро, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный. Glade M. Herstellung von Photodioden und Doppelheterostrukturlasern-eignung epitaktisch Abgeschiedener(InGa) (AsP)-Schichten : Diss. / M.Glade, 1991. - 85 S. - Текст : непосредственный. Ермошин И.Г. Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN, InxGa1-xN и AlxGa-xN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для светоизлучающих структур : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / И. Г. Ермошин, 2009. - 20 с. - Текст : непосредственный. Середин Б.М. Основы технологии жидкофазной эпитаксии кремния в поле температурного градиента на подложках повышенного диаметра : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / Б. М. Середин, 1990. - 19 с. - Текст : непосредственный. Соболев Н.А. Физические основы инженерии дефектов в технологии кремниевых силовых высоковольтных и светоизлучающих структур : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / Н. А. Соболев, 2009. - 34 с. - Текст : непосредственный. Орлова М.Н. Управление статическими и динамическими параметрами силовых кремниевых приборов методом радиационного технологического процесса : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / М. Н. Орлова, 2007. - 20 с. - Текст : непосредственный. Талимов А.В. Исследование процессов формирования и защиты поверхности планарных P-N переходов и модернизации базовой технологии изготовления фотодиодов на основе InSb : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.27.06 / А. В. Талимов, 2001. - 19 с. - Текст : непосредственный. Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
