Приложение
для AndroidПолное описание
Ковалев, А. Н. Гетероструктурная наноэлектроника : учеб. пособие / А. Н. Ковалев. - М. : Издат. Дом МИСиС, 2009 (М.). - 154 с. : ил. - Библиогр.: с. 154 (9 назв.). - 200 экз. - Текст : непосредственный.
В надзаг.: Моск. ин-т стали и сплавов (МИСиС), Каф. технологии материалов электроники
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.315.592.9 |
Рубрики:
Гетероструктуры
Аннотация: Описаны примеры реализации полевых и биполярных транзисторов на основе гетеросистем Ge/Si. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии.
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д9-09/65317)
Шифр в сводном ЭК: a743e3cd3eddfa1577f25daa7969ae40
Ковалев А.Н. Наноэлектроника: основные материалы, методы выращивания и приборы / А. Н. Ковалев, О. И. Рабинович, В. Н. Мурашев, 2015. - 254 с. - Текст : непосредственный.
Статистика : учебное пособие / Т. Н. Прижигалинская [и др.], 2018. - 365 с. - Текст : непосредственный.Ковалев А.Н. Физика и технология наноструктурных гетерокомпозиций : учебник / А. Н. Ковалев, О. И. Рабинович, М. И. Тимошина, 2015. - 459 с. - Текст : непосредственный.Ковалев А.Н. Определение волнового сопротивления движению судов на воздушной подушке над ледяным покровом водоемов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук:05.08.01:05.08.03 / А. Н. Ковалев, 1998. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ковалев А.Н. Ресурсный потенциал торговых организаций и эффективность его использования : автореф. дис. .. канд. экон. наук: 08.00.05 / А. Н. Ковалев, 2004. - 23 с. - Текст : непосредственный.Беззубцев О.А. Лицензирование и сертификация в области защиты информации : Учеб. пособие / О.А.Беззубцев,А.Н.Ковалев, 1996. - 105 c. - Текст : непосредственный.Ковалёв А.Н. Логика : учебное пособие / А. Н. Ковалёв, 2018. - 68 с. - Текст : непосредственный.Ковалев А.Н. Гетероструктурная наноэлектроника : учеб. пособие / А. Н. Ковалев, 2009. - 154 с. - Текст : непосредственный.Ковалев А.Н. Перспективные направления тушения лесных пожаров / А. Н. Ковалев, Л. А. Журавлева. - Текст : непосредственный // Техногенная и природная безопасность. - Саратов : КУБиК, 2013. - с. 92-97.Ковалев А.Н. Современная концепция прогноза лесной пожарной опасности / А. Н. Ковалев, Л. А. Журавлева. - Текст : непосредственный // Техногенная и природная безопасность. - Саратов : КУБиК, 2013. - с. 97-99.Журавлева Л.А. Оценка возможности прогнозирования распространения лесных пожаров / Л. А. Журавлева, А. Н. Ковалев. - Текст : непосредственный // Техногенная и природная безопасность. - Саратов : КУБиК, 2013. - с. 50-53.Статистические методы анализа рынка товаров и услуг : учеб. пособие / Т. Н. Прижигалинская [и др.], 2016. - 143 с. - Текст : непосредственный.Ковалев А.Н. Мелиорация эродированных земель в степных ландшафтах Приволжской возвышенности : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 06.01.02 / А. Н. Ковалев, 2012. - 21 с. - Текст : непосредственный.Ковалев А.Н. Твердотельная электроника : учеб. пособие / А. Н. Ковалев, 2010. - 211 с. (Введено оглавление). - Текст : электронный.Динамика влагозапасов в зоне аэрации под влиянием лесных и гидротехнических мелиораций в степных ландшафтах Приволжской возвышенности / П. Н. Проездов [и др.]. - Текст : непосредственный // Научная жизнь. - М. - 2013. - № 4. - с. 4-10Ковалев А.Н. Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур / А. Н. Ковалев, 2011. - 363 с. (Введено оглавление). - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Куртев Н.Д. Электронные цепи и устройства / Н. Д. Куртев, В. И. Нефедов, 1990. - 53 с. - Текст : непосредственный.Захаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный.Физика и техника полупроводников / Российская академия наук, Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1967г. - Текст : непосредственный.Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный.Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Воскресенский В.В. Применение туннельных диодов в импульсной технике, 1974. - 120 с. - Текст : непосредственный.Полупроводниковая микроэлектроника : сборник научных трудов / Новосибирский электротехнический ин-т, 1989. - 113,5 c. c. - Текст : непосредственный.Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный.Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный.Кравченко А.Ф. Магнитная электроника / А. Ф. Кравченко ; Ред. И. Г. Неизвестный, 2002. - 398 с. - Текст : непосредственный.Зотов А.А. Физические основы устройств функциональной электроники / А. А. Зотов, Т. И. Чернышова, В. Н. Чернышов, 1993. - 208 c. - Текст : непосредственный.Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный.Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный.Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный.Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Щука А. А. Наноэлектроника / А. А. Щука, 2007. - 463 с. - Текст : непосредственный.Малинаускас К.К. Разработка математического и программного обеспечения систем топологического проектирования СБИС с использованием диаграмм Вороного : специальность 05.13.11 "Математическое и программное обеспечение вычислительных машин,комплексов и компьютерных сетей" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. К. Малинаускас, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный.Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 1, 2007. - 450 с. - Текст : непосредственный.Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 2, 2007. - 310 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыBerichte / Hahn-Meitner-Inst. B 611 : Die elektronische Struktur des amorph-kristallinen Silizium-Heterostruktur-Kontakts : Diss. / L. Korte, 2006. - II, 170 S. - Текст : непосредственный.Demel Th. Ein-und nulldimensionale elektronische Systeme in AlGaAs/GaAs-Heterostrukturen / Th. Demel, 1990. - 120 S. - Текст : непосредственный.Кутвицкий В.А. Гетероструктуры на основе висмутсодержащих оксидных фаз и их использование в целях аналитического контроля. Ч. 2 : Гетероструктуры на основе висмутсодержащих стекловидных фаз и их использование в качестве образцов сравнения / В. А. Кутвицкий [и др.], 2013. - 151 с. - Текст : непосредственный.Dahmen M. Untersuchungen des Elektronentransports in Ge/GaAs-Heterostrukturen / M. Dahmen, 1993. - 112 S. - Текст : непосредственный.
Филиппов В.В. Особенности явлений электронного переноса в анизотропных полупроводниках : монография / В. В. Филиппов, 2015. - 257 с. - Текст : непосредственный.Tlaczala M. Epitaksja movpe w technologii heterostruktur zwiazkow aiiibv / M.Tlaczala, 2002. - 198 s. - Текст : непосредственный.Корольков В.И. Зонные энергетические диаграммы гетероструктур на основе материалов А3В3 и их твердых растворов / В. И. Корольков, 2005. - 25 с. - Текст : непосредственный.Ядерно-спектрометрические и фотоэлектрические свойства аморфно-кристаллических гетероструктур / Н.П.Афанасьева,А.М.Данишевский,А.В.Дербин и др., 1991. - 35 с. - Текст : непосредственный.Heberle A.P. Piko-und Femtosekundendynamik von Tunnelprozessen in Halbleiterheterostrukturen : Diss. / A.P.Heberle, 1993. - 106 S. - Текст : непосредственный.Notzel R. Direktsynthese und elektronische Eigenschaften von korrugierten Ubergittern und Heterostrukturen auf nicht-(100)- orientierten GaAs- Oberflachen : Diss. / R.N@:otzel, 1992. - 109 S. - Текст : непосредственный.Sutandi A. Electronic structure of dynamically two-dimensional hole gas in AlGaN/GaN heterostructures / A.Sutandi,P.P.Ruden,K.F.Brennan, 2002. - 3435-3443 p. p. - Текст : непосредственный.Шелованова Г.Н. Физические основы микроэлектроники. Полупроводниковые гетероструктуры в микро- и наноэлектронике : учеб. пособие / Г. Н. Шелованова, 2005. - 175 с. - Текст : непосредственный.Ковалев А.Н. Гетероструктурная наноэлектроника : учеб. пособие / А. Н. Ковалев, 2009. - 154 с. - Текст : непосредственный.Schapers T. Ablenkung ballistischer Elektronen in ALGaAs/GaAs-Heterostrukturen mittels elektrischer und magnetischer Felder : Diss. / T.Sch@:apers, 1992. - 113 S. - Текст : непосредственный.Бушуев В.А. Физические принципы рентгенодифрактометрического определения параметров реальной структуры многослойных эпитаксиальных пленок / В.А.Бушуев,Р.Н.Кютт,Ю.П.Хапачев;Под ред.Ю.П.Хапачева, 1996. - 280 c. - Текст : непосредственный.Мокеров В.Г. Научное наследие / В. Г. Мокеров, 2010. - 607 с. - Текст : непосредственный.Борухович А.С. Физика материалов и структур сверхпроводящей и полупроводниковой спиновой электроники / А.С. Борухович, 2004. - 175 с. - Текст : непосредственный.Карамов Ф.А. Суперионные проводники. Гетероструктуры и элементы функциональной электроники на их основе / Ф.А.Карамов, 2002. - 237 с. - Текст : непосредственный.Гутаковский А.К. Структура дефектов и границ раздела в полупроводниковых гетеросистемах / А. К. Гутаковский, А. В. Латышев, А. Л. Чувилин, 2016. - 261 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный.Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный.Муляров Е.А. Экситоны в диэлектрических наноструктурах на основе йодида свинца : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Е. А. Муляров, 1995. - 15 с. - Текст : непосредственный.Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный.Ормонт М.А. Энергетический спектр и вертикальная прыжковая проводимость сверхрешеток с контролируемым беспорядком : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / М. А. Ормонт, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный.Нарейко А.И. Влияние слабых магнитных полей на свойства границы кремний-оксид кремния : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. И. Нарейко, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный.Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный.Плюснин Н.И. Фазы, стабилизированные подложкой, и процессы формирования границы раздела в гетероструктурах на основе переходного 3d-металла(Cr,Co) и кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / Н. И. Плюснин, 2000. - 35 с. - Текст : непосредственный.Schubert M. Infrared ellipsometry on semiconductor layer structures / M. Schubert, 2005 r=on-line. - Текст : электронный.Schuller C. Inelastic light scattering of semiconductor nanostructures / C. Schuller, 2006 r=on-line. - Текст : электронный.Захарова А.А. Эффекты межзонного туннелирования в полупроводниковых гетероструктурах : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. А. Захарова, 1998. - 34 с. - Текст : непосредственный.Грунин А.Б. Магнитооптика квазиодномерных и квазинульмерных полупроводниковых структур с примесными центрами : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Б. Грунин, 2002. - 27 с. - Текст : непосредственный.Хабибуллин Р.А. Электронные свойства квантовых ям AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/AlxGa1-xAs с комбинированным и дельта-легированием / Р. А. Хабибуллин, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный.Пономарев Д.С. Электронный транспорт в составных квантовых ямах InAlAs/InGaAs/InAlAs, содержащих наноразмерные вставки InAs / Д. С. Пономарев, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный.Fabrication,properties and applications of low-dimensional semiconductors : материалы временных коллективов / Ed: M. Balkanski, I. Yanchev, 1995. - XIII,457 p. p. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽