Приложение
для AndroidПолное описание
Ермошин, И. Г. Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN, InxGa1-xN и AlxGa-xN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для светоизлучающих структур : автореф. дис. ... канд. техн. наук: 05.27.06 / И. Г. Ермошин. - М., 2009. - 20 с. : ил. - Библиогр.: с. 20(11 назв.). - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33.33 | 621.383.52.002(043) |
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар09-20291)
Шифр в сводном ЭК: b5596d352ed46fa724d6abf85720ad4d
Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный.Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный.Иванов В.Ю. Поляризационно-оптические методы исследования и контроля физико-технических характеристик поверхностных слоев элементов оптотехники / В. Ю. Иванов, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный.Круглов О.В. Разработка и исследование приборов для измерения оптических параметров и характеристик светодиодов / О. В. Круглов, 2011. - 22 с. - Текст : непосредственный.Progress in nano-electro-optics IV / SpringerLink (Online service), 2005 r=on-line. - Текст : электронный.Photonic crystals / J. Lourtioz, V. Benisty, J. Berger [et al.], 2005 r=on-line. - Текст : электронный.Optical imaging sensors and systems for homeland security applications / SpringerLink (Online service), 2006 r=on-lineMid-infrared semiconductor optoelectronics / SpringerLink (Online service), 2006 r=on-lineProgress in nano-electro-optics V / SpringerLink (Online service), 2006 r=on-line. - Текст : электронный.Ukita H. Micromechanical photonics / H. Ukita, 2006 r=on-line. - Текст : электронный.Frontiers in surface nanophotonics / SpringerLink (Online service), 2007 r=on-lineSurface plasmon nanophotonics / SpringerLink (Online service), 2007 r=on-lineМеркишин Г.В. Шумы и оптимизация параметров фотоприемников / Г. В. Меркишин, 2002. - 41 с. - Текст : непосредственный.Ващенко А.А. Органические преобразователи света и светоизлучающие диоды на основе металлоорганических комплексов тербия и цинка : специальность 01.04.21 "Лазерная физика" : диссертация на соискание ученой степени канд. фз.-мат. наук / А. А. Ващенко, 2009. - 26 с. - Текст : непосредственный.Калимуллин Р.И. Взаимодействие акустических волн и лазерных пучков с индуцированными решетками и доменными структурами в сегнетополупроводниковых кристаллах ниобата лития : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра фз.-мат. наук / Р. И. Калимуллин, 2009. - 32 с. - Текст : непосредственный.Новиков С.Г. Позиционно- и координатно-чувствительные полупроводниковые фотоприемники с отрицательной дифференциальной проводимостью / С. Г. Новиков, Н. Т. Гурин, 2012. - 151 с. - Текст : непосредственный.Электролюминесцентные органические светодиоды на основе координационных соединений металлов / А. С. Бурлов, В. Г. Власенко, Д. А. Гарновский [и др.], 2015. - 232 с. - Текст : непосредственный.Кузнецов С.В. Синтез монокристаллов и нанопорошков твердых растворов фторидов щелочноземельных и редкоземельных металлов для фотоники : специальность 05.17.02 "Технология редких, рассеянных и радиоактивных элементов" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / С. В. Кузнецов, 2007. - 19 с. - Текст : непосредственный.Гуревич С.Б. Проблемы информационной оптоэлектроники / С. Б. Гуревич, Б. С. Гуревич, К. М. Жумалиев, 2008. - 209 с. - Текст : непосредственный.Кижаев С.С. Создание и исследование источников спонтанного излучения на основе узкозонных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. С. Кижаев, 2004. - 17 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыБорзистая Е.Л. Прогнозирование условий жидкофазной гетероэпитаксии профилированных структур InP/Ga In P, As /nP для излучателей с 1,6 мкм : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / Е. Л. Борзистая, 1998. - 27 с. - Текст : непосредственный.Чапкевич А.Л. Исследование имплантационных методов формирования структур полупроводниковых СВЧ и фотодиодов : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. Л. Чапкевич, 2004. - 42 c. - Текст : непосредственный.Мармалюк А.А. Исследование и разработка процесса МОС-гидридной эпитаксии нитрида галлия : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / А. А. Мармалюк, 1998. - 24 с. - Текст : непосредственный.Болесов И.А. Исследования и разработка технологии изготовления PIN-фотодиодов на основе кремния с применением ионной имплантации : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / И. А. Болесов, 2004. - 22 с. - Текст : непосредственный.Борисов Б.А. Молекулярно-пучковая эпитаксия нитридов металлов для светодиодов ультрафиолетового диапазона : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.04 / Б. А. Борисов, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный.Жагиро П.В. Формирование и свойства пористого кремния и лавинных светоизлучающих структур на его основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.27.01 / П. В. Жагиро, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Glade M. Herstellung von Photodioden und Doppelheterostrukturlasern-eignung epitaktisch Abgeschiedener(InGa) (AsP)-Schichten : Diss. / M.Glade, 1991. - 85 S. - Текст : непосредственный.Ермошин И.Г. Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN, InxGa1-xN и AlxGa-xN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для светоизлучающих структур : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / И. Г. Ермошин, 2009. - 20 с. - Текст : непосредственный.Соболев Н.А. Физические основы инженерии дефектов в технологии кремниевых силовых высоковольтных и светоизлучающих структур : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / Н. А. Соболев, 2009. - 34 с. - Текст : непосредственный.Талимов А.В. Исследование процессов формирования и защиты поверхности планарных P-N переходов и модернизации базовой технологии изготовления фотодиодов на основе InSb : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.27.06 / А. В. Талимов, 2001. - 19 с. - Текст : непосредственный.
Заказ фрагмента документа ₽