Полное описание
Горнев, Е. С.
ГРНТИ УДК 47.33.31 621.3.049.771.14.002(043) 47.13.11
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР02-сф116)
Шифр в сводном ЭК: 0fcf5dd227c45fd5cb4df46c6af6d892
Труды Московского семинара по философии математики / МГУ им. М. В. Ломоносова. Филос. фак. Кн. 6 : Математика и реальность / под ред. В. А. Бажанова [и др.], 2014. - 502 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Горнев Е.С. Физические основы работы полупроводниковых электронных приборов : учебное пособие / Е. С. Горнев, Н. И. Плотникова, Ю. И. Плотников, 2019. - 132 с. - Текст : непосредственный. Горнев Е.С. Технология интегральных схем : учеб. пособие / Е. С. Горнев, В. П. Бокарев, А. А. Мельников, 2012. - 123 с. - Текст : непосредственный. Метрология в микроэлектронике, микросистемной технике и нанотехнологии : учеб. пособие / Е. С. Горнев [и др.], 2012. - 204 с. - Текст : непосредственный. Горнев Е.С. Разработка и внедрение промышленной субмикронной технологии СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук :05.27.01 / Е. С. Горнев, 2000. - 84 с. - Текст : непосредственный. Международный форум МИКРОЭЛЕКТРОНИКА, 2019. Школа молодых учёных, Республика Крым, г. Ялта, пгт. Гурзуф, ДЦО "Жемчужный берег", 23-25 сентября 2019 г. : сборник тезисов / ОНИТ РАН [и др.], 2019. - 378 с. - Текст : непосредственный. Международный форум "Микроэлектроника - 2020". Школа молодых ученых "Микроэлектроника - 2020" : XIII Международная конференция "Кремний-2020", XII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, Республика Крым, г. Ялта, пгт. Гурзуф, санаторий "Гурзуф Центр", 21-25 сентября 2020 г.: сборник тезисов / Отделение нанотехнологий и информационных технологий Российской академии наук (ОНИТ РАН) [и др.], 2020. - 321 с. - Текст (визуальный) : непосредственный. Захаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный. Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный. Виноградов М.И. Вакуумные процессы оборудование ионно-и электронно- лучевой технологии / М. И. Виноградов, Ю. П. Маишев, 1989. - 53 с. - Текст : непосредственный. Полтавцев Ю.Г. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике / Ю. Г. Полтавцев, А. С. Князев, 1990. - 206 c. - Текст : непосредственный. Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный. Моносилан в технологии полупроводниковых материалов / Е. П. Белов, Е. Н. Лебедев, Ю. П. Григораш [и др.], 1989. - 66 с. - Текст : непосредственный. Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный. Голод С.В. Методы формирования трехмерных микро- и наноструктур на основе напряженных SiGe/Si пленок : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Голод, 2006. - 23 с. - Текст : непосредственный. Малинаускас К.К. Разработка математического и программного обеспечения систем топологического проектирования СБИС с использованием диаграмм Вороного : специальность 05.13.11 "Математическое и программное обеспечение вычислительных машин,комплексов и компьютерных сетей" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. К. Малинаускас, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный. Пичугин К.Н. Эффекты квантовой интерференции в электронном транспорте через двумерные наноструктуры : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. Н. Пичугин, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный. Игонина Т.И. Технологическое обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств / Т. И. Игонина, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный. Баринов С.В. Разработка и исследование комплекса генетических алгоритмов разбиения схем с учетом временных задержек / С. В. Баринов, 2008. - 16 с. - Текст : непосредственный. Усикова М.А. Методы сверхлокального и селективного препарирования кремниевых интегральных схем / М. А. Усикова, 2011. - 16 с. - Текст : непосредственный. Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный. Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный. Моряков О.С. Сборка / О. С. Моряков, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный. Мартынов В.В. Литографические процессы / В. В. Мартынов, Т. Е. Базаров, 1990. - 128 c. - Текст : непосредственный. Nastasi M. Ion implantation and synthesis of materials / M. Nastasi, J. W. Mayer, 2006 r=on-line Венцов Н.Н. Исследование и разработка генетических алгоритмов и автоматов адаптации для повышения эффективности доступа к данным САПР СБИС : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)", 05.13.17 "Теоретические основы информатики" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / Н. Н. Венцов, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный. Пак М.М. Моделирование элементов нейронных сетей на основе твердотельных нанообъектов : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / М. М. Пак, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Акуленок М.В. Исследование и разработка процесса формирования эпитаксиальных структур "кремний на диэлектрике" для совершенствования технологии СБИС : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / М. В. Акуленок, 1990. - 17 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Бокша В.В. Разработка основ технологии создания маскирующих слоев для БИС методом лазерной вакуумной проекционной литографии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / В. В. Бокша, 1992. - 21 с. - Текст : непосредственный. Kahler J.D. Selektive Wolframauffullung fur CoSi2-Kontakte in grossintegrierten Schaltungen : Diss. / J.D.K@:ahler, 1999. - 124 S. - Текст : непосредственный. Козлитин А.И. Моделирование изображений в растровом электронном микроскопе и разработка метода прецизионных измерений топологических размеров интегральных схем : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / А. И. Козлитин, 1994. - 34 с. - Текст : непосредственный. Епимахов И.Д. Оптимизация условий выращивания и использование "третьего" компонента в процессах получения совершенных монокристаллов кремния методом Чохральского для СБИС : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / И. Д. Епимахов, 2003. - 22 с. - Текст : непосредственный. Редичев Е.Н. Размерный эффект плавления тонких медных пленок и его использование для формирования межсоединений кремниевых СБИС : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / Е. Н. Редичев, 2006. - 26 с. - Текст : непосредственный. Булыгина Е.В. Повышение выхода годных СБИС путем удаления привнесенных микрочастиц в вакууме : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.07 / Е. В. Булыгина, 1997. - 16 с. - Текст : непосредственный. Путря М.Г. Физико-технологические основы формирования трехмерных микроструктур УБИС плазменными методами : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук :05.27.01 / М. Г. Путря, 2002. - 53 с. - Текст : непосредственный. Каратунов Ю.В. Моделирование и оптимизация параметров технологических процессов химического осаждения тонких пленок из газовой фазы в производстве приборов электронной техники : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / Ю. В. Каратунов, 2003. - 27 с. - Текст : непосредственный. Красников Г.Я. Физико-технологические принципы и методы обеспечения качества КМОП БИС массового производства : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.27.01 / Г. Я. Красников, 1996. - 49 с. - Текст : непосредственный. Niewohner L. ITM-prozessierte CoSi2-Kontakte fur grossintegrierte CMOS-Schaltungen : Diss. / L.Niew@:ohner, 1991. - 112 S. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
