Полное описание
Обзоры по электронной технике / Ин-т "Электроника". - М. : [б. и.], 19 - . - Текст : непосредственный. Вып. 4(1666) : Современные достижения молекулярно-лучевой и лазерной эпитаксии в создании пленочных квантовых структур:По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1976-1990 гг. / С.С.Гельбух,А.С.Джумалиев,Ю.В.Ершова и др. - 1992. - 61 с. : ил. - (Сер.7.Технология,орг.пр-ва и оборудование)
ГРНТИ УДК 47.13.11 621.38-416
Рубрики: Эпитаксия
Доп. точки доступа: "Электроника", ин-т (Москва)
Экз-ры полностью 99ba3e7d53015a1299cb189c41686601 Нет сведений об экземплярах Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): М/15125/4(1666))
Шифр в сводном ЭК: 99ba3e7d53015a1299cb189c41686601
Нормативные и методические материалы..Серия 1, Научно-информационная деятельность. Вып. 4(158) : Экономический анализ научно-информационной деятельности органов НТИ. Опыт ценообразования в НИД, 1989. - 51 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 3(1481) : Сенсорные экраны : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1978-1988 гг. / Ю.А.Быстров,В.А.Степанов, 1989. - 39 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 14(1489) : Электролиты для гальванического меднения : По дан. отеч. и зарубеж. печати 1960-1989 гг. / И.Е.Шпак, 1989. - 86 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 2(1511) : Методы и средства измерений магнитной индукции импульсных магнитных полей : По дан. отеч. и зарубеж. печати 1969-1988 гг. / В.Н.Грудицин,В.Г.Тугарин, 1990. - 37 с. - Текст : непосредственный. Нормативные и методические материалы..Серия 1, Научно-информационная деятельность. Вып. 1(159) : Информационная продукция: Проблемы ценообразования и реализации, электронные выставки, полиэкранные установки, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 1(1657) : Технологическое оборудование для плазменного напыления : По даннным отеч. и зарубеж. печати за 1967-1991 гг. / В.Н.Лясников,В.М.Райгородский, 1992. - 55 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 6(1488) : Состояние и проблемы развития низковольтных керамических конденсаторов за рубежом : По дан. зарубеж. печати за 1982-1989 гг. / Н.А.Барсуков,В.С.Петропавловский,И.О.Трухина, 1989. - 71 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1506) : Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1970-1988 гг. / К.П.Николаев,Л.И.Немировский, 1989. - 60 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 6(1464) : Возможности применения волоконно-оптических датчиков для измерения параметров магнитного поля : По дан. отеч. и зарубеж. печати 1975-1988 гг. / О.А.Бузова,Е.ГДерюгина,А.С.Донецкий и др., 1989. - 72 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 3(1433) : Особенности эпитаксии и свойства гетеропереходов типа СIV /AIII BV : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1966-1989 гг. / А.В.Ерошкин,И.В.Закурдаев,Ю.Г.Садофьев и др., 1989. - 68 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 10(1460) : Автоматизация производства с помощью современных роботов : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1985-1988 гг. / Г.А.Дементиевская, 1989. - 62 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 8(1485) : Электрический тестовый контроль на этапах создания интегральных схем : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1972-1988 гг. / С.М.Кузин,В.Н.Панасюк,В.Г.Мокеров,В.В.Исаев, 1989. - 32 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1513) : Зарубежные полимерные материалы для радиодеталей / И.А.Шентенкова,Н.И.Просвирова,Н.А.Нехороших, 1989. - 43 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 21(1505) : Многофункциональные генераторые СВЧ-устройства с использованием диэлектрических резонаторов : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1985-1989 гг. / Ю.М.Безбородов,Н.И.Лелюх,Б.Н.Севергин, 1989. - 46 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 20(1503) : Лампы бегущей волны : По описаниям зарубеж. изобретей и дан. зарубеж. печати за 1976-1988 гг.ч. 1. Конструкции ЛБВ, электронно-оптических замедляющих систем, направления работ зарубежных фирм по усовершенствованию ЛБВ / Л.Ф.Тесленко,А.В.Иванова,И.К.Лысова и др., 1989. - 68 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 8(1507) : Состояние и перспективы развития лазерной промышленности в капиталистических странах : По дан. зарубеж. печати за 1986-1989 гг. / Ю.Г.Дьякова,Е.К.Белоногова,Т.С.Калачева и др., 1989. - 76 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 1(1512) : Параметрическая оптимизация проектируемых устройств по критериям стоимости и качества / С.И.Дудов,В.П.Мещанов, 1990. - 42 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 5(1435) : Применение высокотемпературных тепловых труб в прецизионном термическом и ростовом оборудовании / А.Г.Томашевский, 1989. - 43 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 2(1509) : Высокотемпературная сверхпроводимостьч. 1. Природа сверхпроводимости, применение низкотемпературной сверхпроводимости: По дан.отеч.и зарубеж.печати за 1976-1989 гг. / Г.Н.Шведов, 1990. - 60 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 11(1544) : Лазерно-химические реакции для получения элементов ИЭТ : По дан.отеч.и зарубеж.печати за 1977-1990 гг. / Ю.В.Серянов,Л.В.Аравина, 1990. - 42 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Виноградов М.И. Вакуумные процессы оборудование ионно-и электронно- лучевой технологии / М. И. Виноградов, Ю. П. Маишев, 1989. - 53 с. - Текст : непосредственный. Полтавцев Ю.Г. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике / Ю. Г. Полтавцев, А. С. Князев, 1990. - 206 c. - Текст : непосредственный. Моносилан в технологии полупроводниковых материалов / Е. П. Белов, Е. Н. Лебедев, Ю. П. Григораш [и др.], 1989. - 66 с. - Текст : непосредственный. Голод С.В. Методы формирования трехмерных микро- и наноструктур на основе напряженных SiGe/Si пленок : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Голод, 2006. - 23 с. - Текст : непосредственный. Пичугин К.Н. Эффекты квантовой интерференции в электронном транспорте через двумерные наноструктуры : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. Н. Пичугин, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный. Игонина Т.И. Технологическое обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств / Т. И. Игонина, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный. Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный. Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный. Моряков О.С. Сборка / О. С. Моряков, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный. Мартынов В.В. Литографические процессы / В. В. Мартынов, Т. Е. Базаров, 1990. - 128 c. - Текст : непосредственный. Nastasi M. Ion implantation and synthesis of materials / M. Nastasi, J. W. Mayer, 2006 r=on-line Пак М.М. Моделирование элементов нейронных сетей на основе твердотельных нанообъектов : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / М. М. Пак, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный. Смирнов А.Д. Технология приборов на арсениде галия / А. Д. Смирнов, 1994. - 48 c. - Текст : непосредственный. Анищенко Л.М. Автоматизированное проектирование и моделирование технологических процессов микроэлектроники / Л. М. Анищенко, С. Ю. Лавренюк, В. В. Петрухин, 1995. - 177 c. - Текст : непосредственный. Бондаренко Л.В. Структура и поверхностная проводимость металлических и металл-фуллереновых систем на реконструированных поверхностях Si(111) / Л. В. Бондаренко, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный. Жук С.В. Исследование процессов лазерного отжига полупроводников методами имитационного моделирования : специальность 05.27.05 "", 05.13.16 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. В. Жук, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный. Экспериментально-теоретическое исследование процесса формирования системы кислородосодержащий преципитат-дислокационные петли / Р. В. Гольдштейн, К. Б. Устинов, П. С. Шушпанников [и др.], 2007. - 29 с. - Текст : непосредственный. Гиндин П.Д. Разработка новых технологий и оборудования на основе метода лазерного управляемого термораскалывания для обработки деталей приборостроения, микро- и оптоэлектроники : специальность 05.11.14 "Технология приборостроения" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / П. Д. Гиндин, 2010. - 43 с. - Текст : непосредственный. Herstellung beweglicher LIGA-Mikrostrukturen durch positionierte Abformung / A. Both, W. Bacher, M. Heckele, R. Ruprecht, 1995. - III,103 S. S. - Текст : непосредственный. Бабанов Ю.Е. Механизмы поверхностных процессов при травлении кремния / Ю. Е. Бабанов, В. Б. Световой, 1990. - 47 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Попов В.Ф. Установки молекулярно-пучковой эпитаксии / В. Ф. Попов, 1991. - 48 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Tlaczala M. Epitaksja movpe w technologii heterostruktur zwiazkow aiiibv / M.Tlaczala, 2002. - 198 s. - Текст : непосредственный. Головнев И.Ф. Квантовая модель элементарных процессов в молекулярно-лучевой эпитаксии. 1.Решение нестационарного уравнения Шредингера в потенциалах, моделирующих взаимодействие с поверхностью / И.Ф.Головнев,О.В.Хохлов, 1992. - 36 с. - Текст : непосредственный. Ayers J.E. Heteroepitaxy of semiconductors. Theory, growth and characterization / J. E. Ayers, 2007. - 455 p. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 7(1530) : Применение осцилляций зеркально-отраженного пучка в дифракции быстрых электронов на отражение для кинетических исследований в молекулярно-лучевой эпитаксии : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1979-1988 гг. / Г.С.Дорджин,Л.Г.Елисеенко,В.А.Игнатюк,Н.Н.Ставнистый, 1990. - 29 с. - Текст : непосредственный. Ефимов А.Н. Геометрические аспекты гетероэпитаксии / А. Н. Ефимов, А. О. Лебедев, 2012. - 109 с. - Текст : непосредственный. Сысоев И.А. Градиентная эпитаксия для получения микро- и наноструктур твердых растворов АIII BV через тонкую газовую зону : монография / И. А. Сысоев, Л. С. Лунин, 2015. - 96 с. - Текст : непосредственный. Бетеров И.М. Методы диагностики молекулярных пучков / И.М.Бетеров,А.С.Яценко, 1991. - 49 c. - Текст : непосредственный. Advances in epitaxy and endotaxy / Ed. H. G. Schneider, 1990. - 460 p. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / Ин-т "Электроника". Вып. 4(1666) : Современные достижения молекулярно-лучевой и лазерной эпитаксии в создании пленочных квантовых структур:По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1976-1990 гг. / С.С.Гельбух,А.С.Джумалиев,Ю.В.Ершова и др, 1992. - 61 с. - Текст : непосредственный. Городниченко О.К. Высокотемпературные пластичность и прочность эпитаксиальных структур арсенида галлия / О.К.Городниченко, 1993. - 142 c. - Текст : непосредственный. Калашников А.Н. Аппроксимация интегралов столкновения для потенциалов Леннарда-Джонса m-6 в интервале приведенных температур Т = 0,4 200 и показателей m=8 / А.Н.Калашников,Л.Р.Фокин, 1997. - 39 c&. - Текст : непосредственный. Лойко Н.Н. Введение в молекулярно-лучевую эпитаксию / Н.Н.Лойко;Под ред.Ю.В.Копаева, 2000. - 47 с. - Текст : непосредственный. Курицын Е.М. Изменение кинетики роста слоев при жидкофазной эпитаксии в поле -облучения / Е.М.Курицын, 1990. - 16 с. - Текст : непосредственный. Дубровский В.Г. Теория формирования эпитаксиальных наноструктур / В. Г. Дубровский, 2009. - 350 с. - Текст : непосредственный. Herman M.A. Molecular beam epitaxy : Fundamentals and current status / M.A.Herman,H.Sitter, 1989. - XII,382 p. p. - Текст : непосредственный. Bonner mathematische Schriften. Nr. 385 : Modelling and numerical treatment of diffuse-interface models with applications in epitaxial growth : Diss. / A. Ratz, 2007. - VI, 94 p. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Ермолаев Ю.П. Конструкторско-технологические возможности повышения качества пленочных элементов : выставочные материалы / Ю. П. Ермолаев, И. К. Саттаров, 2001. - 147 с. - Текст : непосредственный. Евстифеев Е.В. Получение и исследование физических свойств металлических покрытий на диэлектриках : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / Е. В. Евстифеев, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный. Манукянц А.Р. Поверхностные свойства металлических систем / А. Р. Манукянц, В. А. Созаев, 2017. - 219 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Токнова В.Ф. Структура и свойства бинарных и многокомпонентных покрытий на основе оксида титана и оксида гафния, формируемых атомно-слоевым осаждением из алкоксидов титана и этилметиламида гафния : автореф. дис. .. канд. хим. наук: 02.00.21 / В. Ф. Токнова, 2013. - 18 с. - Текст : непосредственный. Шишов М.А. Самоорганизованные слои полианилина для применения в электронике : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / М. А. Шишов, 2013. - 16 с. - Текст : непосредственный. Наноматериалы / "Техномаш",открытое АО. 4 : Тонкие пленки как наноструктурированные системы / А. Ф. Белянин, М. И. Самойлович, 2008. - 254 с. - Текст : непосредственный. Бобрович О.Г. Физико-химические процессы при ионно-ассистированном формировании металлосодержащих покрытий на кремнии и графите : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / О. Г. Бобрович, 2004. - 22 с. - Текст : непосредственный. Сборник научных трудов XXI Международной научно-технической конференции "Высокие технологии в промышленности России" (материалы и устройства функциональной электроники и микрофотоники), XVIII Международного симпозиума "Тонкие пленки в электронике", VIII Международной научно-технической конференции "Наноинженерия" / Моск. гос. техн. ун-т им. Н. Э. Баумана [и др.], 2016. - 399 с. - Текст : непосредственный. Тонкие пленки в электронике : Материалы 7 Международного симпоз. / Международная академия информатизации, 1996. - 326 c. - Текст : непосредственный. Комлев А.Е. Технология осаждения пленок оксида тантала методом реактивного магнетронного распыления : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.02 / А. Е. Комлев, 2011. - 16 с. - Текст : непосредственный. Ильин А.С. Упругие и неупругие свойства тонких пленок Si3N4, SiO2-SnO2, SiO2-B2O3 и системы Cu-Se, обусловленные включениями второй фазы : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / А. С. Ильин, 2005. - 17 с. - Текст : непосредственный. Тонкие пленки в электронике : Материалы IV Межрегион.совещ., 1993 г. / Центральный науч.-исследовательский технологический ин-т (Москва), 1993. - 255 c. - Текст : непосредственный. Бейсенханов Н.Б. Структурные и физические свойства пленок SiCx и SnOx, синтезированных различными методами : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 05.27.01 / Н. Б. Бейсенханов, 2011. - 31 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
