Полное описание
Борзенков, С. С.
ГРНТИ УДК 29.19.31 537.311.322:539.16(04)
Рубрики: Кремний -- Влияние ионизирующих излучений
Доп. точки доступа: Миронов, П.М.
Рязанов, А.И.
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Н/12013/ИАЭ-6629/11)
Шифр в сводном ЭК: c551a5b05c866032bc3ea60c34e1f773
Васильев Я.С. Теоретические исследования влияния размеров пучка высокоэнергетичных протонов БАК на интенсивность образующихся ударных волн в меди при облучении ее пучками протонов с энергией 450 ГэВ / Я. С. Васильев, А. И. Рязанов, 2012. - 37 с. - Текст : непосредственный. Рязанов А.И. Использование кинетических уравнений Больцмана для описания ансамбля движущихся атомов, выбитых из узлов кристаллической решетки, для исследования образования каскадов и субкаскадов атомных столкновений в облучаемых твердых частях / А. И. Рязанов, Е. В. Метелкин, Е. В. Семенов, 2008. - 30 с. - Текст : непосредственный. Рязанов А.И. Параметрическое твердотельное CAD моделирование в Siemens NX / А. И. Рязанов, Е. С. Горячкин, В. С. Мелентьев, 2017. - 162 с. - Текст : непосредственный. Анализ образования дислокационных петель в облученном графите с помощью рассеяния синхротронного излучения / А. И. Рязанов [и др.], 2007. - 24 с. - Текст : непосредственный. Рязанов А.И. Разработка теоретических моделей и проведение численных расчетов образования первичных радиационных дефектов в материалах коллиматоров большого адронного коллайдера в ЦЕРНе при взаимодействии с ними пучков протонов с энергиями 7 ТэВ / А. И. Рязанов, Е. В. Семенов, 2007. - 50 с. - Текст : непосредственный. Рязанов А.И. Исследование образования ударных волн в материалах коллиматоров большого адронного коллайдера в ЦЕРНе при облучении их пучками протонов с энергией 7 ТэВ / А. И. Рязанов, О. А. Козлова, А. В. Степаков, 2007. - 54 с. - Текст : непосредственный. Рязанов А.И. Разработка теоретической модели для расчета образования каскадов размножения выбитых электронов в кремнии при облучении его быстрым и электронами / А. И. Рязанов, Е. В. Семенов, Т. И. Могилюк, 2010. - 15 с. - Текст : непосредственный. Рязанов А.И. Влияние учета физических процессов в электронной подсистеме материалов коллиматоров большого адронного коллайдера на распространение в них ударных волн и изменения термодинамических характеристик в этих материалах при облучении их пучками 7 ТэВ-ных протонов / А. И. Рязанов, А. В. Степаков, А. А. Швец, 2010. - 15 с. - Текст : непосредственный. Владимиров П.В. Радиационно-стимулированная диффузия кислорода в сверхпроводящей керамике GdBa Cu O при нейтронном облучении / П. В. Владимиров, В. А. Бородин, А. И. Рязанов, 1994. - 12 c. - Текст : непосредственный. Владимиров П.В. Влияние рождения вторичных электронов и диэлектрической поляризации среды на скорость образования первичных радиационных дефектов при электронном облучении / П.В.Владимиров,А.И.Рязанов, 1990. - 17 c. - Текст : непосредственный. Рязанов А.И. Моделирование влияния облучения гамма-квантами и быстрыми нейтронами на изменения электрофизических свойств МДП-транзистора / А. И. Рязанов, Я. С. Васильев, 2012. - 21 с. - Текст : непосредственный. Борзенков С.С. Разработка теоретических моделей для расчетов профилей распределения точечных дефектов (вакансий и межузлий) в кремнии при больших временах отжига и облучении его быстрыми частицами с учетом зарядовых состояний точечных радиационных дефектов / С. С. Борзенков, П. М. Миронов, А. И. Рязанов, 2010. - 10 с. - Текст : непосредственный. Рязанов А.И. Микроскопическая теория радиационно-стимулированных процессов в твердых телах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / А. И. Рязанов, 1997. - 89 с. - Текст : непосредственный. Буланова Е.А. Основы квалиметрии, стандартизации и сертификации : учебное пособие / Е. А. Буланова, А. И. Рязанов, 2019. - 87 с. - Текст : непосредственный. Рязанов А.И. Расчеты скоростей образования точечных дефектов в графитовых материалах коллиматоров большого адронного коллайдера при взаимодействии с вторичными нейтронами и.. мезонами, образующими в результате облучения 450 ГэВ протонами материала коллиматоров / А. И. Рязанов, Е. В. Семенов, 2009. - 10 с. - Текст : непосредственный. Владимиров П.В. Расчеты скорости образования точечных дефектов при нейтронном и ионном облучении ВТСП керамик / П. В. Владимиров, Ю. Д. Лизунов, А. И. Рязанов, 1993. - 22 с. - Текст : непосредственный. Скуратов Д.Л. Технологии моделирования, проектирования техпроцессов и изготовления деталей типа тел вращения на малоразмерных токарных станках с ЧПУ : учеб. пособие / Д. Л. Скуратов, А. И. Рязанов, И. А. Чигринев, 2013. - 101 с. - Текст : непосредственный. Миронов П.М. Экономическая реформа и управление трудом / П.М.Миронов, 1990. - 146 с. - Текст : непосредственный. Нормирование точности и метрологическое обеспечение машиностроительного производства : лабораторный практикум / Е. А. Буланова [и др.], 2018. - 167 с. - Текст : непосредственный. Технологии подготовки и вывоза на переработку отработавшего ядерного топлива исследовательских реакторов национального исследовательского центра "Курчатовский институт" / В. Г. Волкович, А. А. Дроздов, Ю. А. Зверков [и др.], 2011. - 71 с. - Текст : непосредственный. Абалин С.С. Роботы на объекте "Укрытие" Чернобыльской АЭС / С. С. Абалин, А. А. Боровой, А. В. Перфилов, 2011. - 44 с. - Текст : непосредственный. Первый результат эксперимента ШООЗ-2 (Double Chooz) / Е. А. Литвинович, И. Н. Мачулин, Л. А. Мкаэлян [и др.], 2011. - 8 с. - Текст : непосредственный. Зизин М.Н. Обращенное уравнение кинетики и пространственно-временные расчеты эффективности аварийной защиты ВВЭР-1000 / М. Н. Зизин, Л. Д. Иванов, 2010. - 28 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Показать все результаты Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный. Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный. Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный. Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный. Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный. Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный. Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный. Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный. Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный. Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный. JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный. Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный. Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный. Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный. Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный. Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный. La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный. Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный. Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный. Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Эффекты кластеризации радиационных дефектов в полупроводниках под облучением / В. Т. Маслюк, А. А. Колб, А. П. Бутурлаки, Д. Б. Гоер, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный. Влияние условий облучения, типа и концентрации легирующих примесей на характеристики радиационных дефектов в антимониде индия при электронном облучении / Г. А. Вихлий, А. Я. Карпенко, П. Г. Литовченко, 1991. - 39 с. - Текст : непосредственный. Ахмадалиев А. Исследование кинетики образования и отжига радиационных дефектов в кремнии, легированном иридием / А. Ахмадалиев, К. А. Бегматов, Э. А. Мусаев, 1989. - 12 с. - Текст : непосредственный. Рудько В.Н. Резонансное плоскостное деканалирование в сверхрешетках с напряженными слоями / В. Н. Рудько, 1990. - 51 с. - Текст : непосредственный. Дидык А.Ю. Особенности взаимодействия нейтронов спектра деления реактора на быстрых нейтронах ИБР-2 с борсодержащими полупроводниковыми монокристаллами BN, BP (AIIIBV) и B4C (AIIIBIV) / А. Ю. Дидык, А. Х. Хофман, 2007. - 8 с. - Текст : непосредственный. Маслюк В.Т. Статистика радиационных дефектов в стационарных полях излучений / В. Т. Маслюк, 1991. - 11 с. - Текст : непосредственный. Радиационное дефектообразование в кристаллах при электронном облучении / Е. Ю. Брайловский, Д. Б. Гоер, Ю. И. Гутич, И. Г. Мегела, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный. Измерение длин деканалирования протонов с энергией 70 ГэВ в кристаллах кремния ориентации (110) и (111) / В. М. Бирюков, Н. А. Галяев, М. А. Гордеева, 1992. - 8 с. - Текст : непосредственный. Объемный захват протонов с энергией 70 ГэВ в режим каналирования изогнутыми монокристаллами кремния / Н. А. Галяев, В. Н. Запольский, В. И. Котов, 1990. - 13 c. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Объемное отражение 1 ГэВ протонов изогнутым кристаллом кремния / Ю. М. Иванов [и др.], 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный. Множественность заряженных частиц в ливнях от электронов, развивающихся в ориентированных кристаллах кремния и вольфрама / В. А. Басков [и др.], 2012. - 9 с. - Текст : непосредственный. Множественность заряженных частиц в ливнях от гамма-квантов, развивающихся в ориентированном кристалле вольфрама / В. А. Басков [и др.], 2005. - 11 с. - Текст : непосредственный. Применение электронной эмиссии на краях поглощения рентгеновского излучения для исследования профилей состава в GaAs, образующихся при бомбардировке ионами Ar+ / К.Ю.Погребицкий,И.П.Сошников,Н.А.Берт,Д.Ж.Сайфудинов, 1997. - 21 с. - Текст : непосредственный. Наблюдение отражения протонного пучка от изогнутых атомных плоскостей / Ю. М. Иванов [и др.], 2005. - 21 с. - Текст : непосредственный. Рязанов А.И. Разработка теоретической модели для расчета образования каскадов размножения выбитых электронов в кремнии при облучении его быстрым и электронами / А. И. Рязанов, Е. В. Семенов, Т. И. Могилюк, 2010. - 15 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
