Полное описание

Физическая химия наноструктурных материалов электроники и спинтроники на основе полупроводниковых соединений AIIIBV / Л. В. Фомина [и др.]. - Барнаул : Изд-во Алт. гос. ун-та, 2013. - 169 с. : ил. - Библиогр. в конце глав. - 100 экз. - ISBN 978-5-7904-1382-7. - Текст : непосредственный.
В надзаг.: Алт. гос. ун-т.

ГРНТИ	УДК
47.09	621.38-03-022.532:54

Рубрики:
Электронные материалы -- Физико-химические свойства

Аннотация: Полупроводниковые соединения типа A^IIIB^V - базовые материалы электроники. Гетерограницы и гетероструктуры на основе полупроводников A^IIIB^V. Моделирование релаксации наноструктур на основе полупроводниковых соединений типа A^IIIB^V методом молекулярной механики. Моделирование наноструктурных материалов на основе полупроводниковых соединений A^IIIB^V методами компьютерной нанотехнологии. Компьютерное моделирование устойчивости нанослоев арсенида галлия и его изоэлектронных аналогов, легированных марганцем.
Доп. точки доступа:
Фомина, Л.В.
Земцова, Ю.В.
Комаровских, Н.В.
Безносюк, С.А.

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д10-13/2786)

Шифр в сводном ЭК: f8a195000e8340dd649a1825a692cde9

Заказать
Заказ фрагмента документа ₽