Полное описание
> Thermal Sensors. Principles and Applications for Semiconductor Industries / ed. Chandra Mohan Jha ; Ed. Chandra Mohan Jha. - New York, NY : Springer, 2015. - on-line. - URL: https://link.springer.com/book/10.1007/978-1-4939-2581-0#editorsandaffiliations . - Загл. с экрана. - ISBN 978-1-4939-2581-0. - Текст : электронный.
ГРНТИ УДК 59.37.71 681.586'36 47.09.29 621.315.592-047.84
Кл.слова (ненормированные): ДАТЧИКИ ТЕМПЕРАТУРЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ПРОИЗВОДСТВО -- ТЕПЛОВЫЕ ДАТЧИКИ -- ТЕПЛОИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ ПРИБОРЫ
Доп. точки доступа: Chandra Mohan Jha\ed.\
https://link.springer.com/book/10.1007/978-1-4939-2581-0#editorsandaffiliations
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): ???-525246)>
Шифр в сводном ЭК: 40507d13f9c8fcbdc92b62f69cfb60fd
Перминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный. Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный. Кажева О.Н. Синтез и строение новых молекулярных проводников на основе катион-радикальных солей с анионами, содержащими ртуть и редкоземельные элементы : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / О. Н. Кажева, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный. Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный. Егоров А.Ю. Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Ю. Егоров, 2011. - 40 с. - Текст : непосредственный. Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный. Варлачев В.А. Нейтронное трансмутационное легирование кремния в бассейновом исследовательском ядерном реакторе / В. А. Варлачев, 2015. - 48 с. - Текст : непосредственный. Кремний-2004 : материалы временных коллективов / Институт геохимии им. А. П. Виноградова (Иркутск), 2004. - 244 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1506) : Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1970-1988 гг. / К.П.Николаев,Л.И.Немировский, 1989. - 60 с. - Текст : непосредственный. Талипов Н.Х. Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений Cdx Hg1-x Te радиационно-термическими воздействиями / Н. Х. Талипов, 2015. - 46 с. - Текст : непосредственный. Новые магнитные материалы микроэлектроники, 2000. - 889 с. - Текст : непосредственный. Столяров С.М. Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А В с заданными свойствами : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. М. Столяров, 1998. - 15 с. - Текст : непосредственный. Воробьев В.В. Нерасходящееся излучение пучков заряженных частиц в присутствии планарных и объемных периодических структур из параллельных проводников / В. В. Воробьев, 2016. - 19 с. - Текст : непосредственный. INFOS 2007 : материалы временных коллективов / Conference on insulating films on semiconductors (15th ; 2007 ; Glyfada Athens), 2007. - XII, 1845-2439 p. - Текст : непосредственный. Усеинов А.С. Измерение модуля упругости высокотемпературных полупроводниковых материалов и других твердых тел методом сканирующей силовой микроскопии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Усеинов, 2004. - 25 с. - Текст : непосредственный. Карасева Т.В. Размерная обработка кремния и оценка технологических погрешностей : выставочные материалы / Т. В. Карасева, 2014. - 126 с. - Текст : непосредственный. Земцов А.Е. Создание новой полупроводниковой системы GaAs-CdS и изучение ее поверхностных физико-химических свойств : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / А. Е. Земцов, 2004. - 19 с. - Текст : непосредственный. Новоселова А.В. Термодинамика и материаловедение полупроводников / А. В. Новоселова, А. В. Новоселова, В. М. Глазов, Н. А. Смирнова ; карт. В. М. Глазов, 1992. - 391 с. - Текст : непосредственный. -V semiconductor materials and devices / Ed. R. J. Malik, 1989. - IX,727 p. p. - Текст : непосредственный. Фарид Нассур ибн Ханна.Влияние технологических примесей на оптические и электрические свойства монокристаллов Si,подвергнутых термообработке : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Фарид Нассур ибн Ханна, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Соколов Л.В. Основы проектирования кремниевых микроэлектромеханических интегральных тензопреобразователей давления и микросистем с профилированной трехмерной мембранной структурой : монография / Л. В. Соколов, 2009. - 167 с. - Текст : непосредственный. Фаррахов Р.Г. Информационно-измерительная система с оптическим преобразователем для контроля температуры объектов : специальность 05.11.16 "Информационно-измерительные и управляющие системы (по отраслям)" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / Р. Г. Фаррахов, 2007. - 19 с. - Текст : непосредственный. Лазарев В.А. Быстродействующая система измерения деформации и температуры на основе волоконно-оптических брэгговских датчиков / В. А. Лазарев, 2013. - 16 с. - Текст : непосредственный. Бохов О.С. Физико-технологические основы разработки теплофизических микросистем на основе периодических тепловых процессов / О. С. Бохов, 2010. - 16 с. - Текст : непосредственный. Соколов Л.В. Физико-технологические основы проектирования кремниевых интегральных мультисенсоров давления-температуры, пьезорезистивных сенсоров давления с трехмерными микромеханическими мембранными структурами для микросистемной техники : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / Л. В. Соколов, 2003. - 45 с. - Текст : непосредственный. Тарасов Р.Ю. Исследование и моделирование функциональных и эксплуатационных характеристик приборов и оборудования для высокоточных температурных технологий : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / Р. Ю. Тарасов, 2003. - 25 с. - Текст : непосредственный. Фаррахов Р.Г. Оптико-электронные преобразователи температуры для систем контроля технологических процессов / Р. Г. Фаррахов, М. А. Ураксеев, А. А. Мухамадиев, 2010. - 105 с. - Текст : непосредственный. Дорфман В.Ф. Газофазная микрометаллургия полупроводников, 1974. - 190 с. - Текст : непосредственный. Pertijs M.A. PRECISION temperature sensors in CMOS technology / M. A. Pertijs, J. H. Huijsing, 2006 r=on-line. - Текст : электронный. Мильвидский М.Г. Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений (на примере арсенида галлия) / М. Г. Мильвидский, О. В. Пелевин, Б. А. Сахаров, 1974. - 391 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Оксидные полупроводники в технологии тонкопленочных транзисторов : учебное пособие для обучающихся по техническим направлениям бакалавриата / Министерство образования и науки Российской Федерации, Петрозаводский государственный университет, 2017. - 20 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Просмотр издания