Приложение
для AndroidПолное описание
Glade, M. Herstellung von Photodioden und Doppelheterostrukturlasern-eignung epitaktisch Abgeschiedener(InGa) (AsP)-Schichten : Diss. / M.Glade. - Aachen, 1991. - 85 S. : Ill. - Текст : непосредственный.
Библиогр. в конце статей
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.35.31 | 621.383.52.002(043) | |
| 47.33.33 | 621.373.826.038.825.5.002(043) |
Рубрики:
Фотодиоды -- Производство
Лазеры полупроводниковые -- Производство
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): G2/17008)
Шифр в сводном ЭК: f02cc212acf559e377f91da3455bfdaa
Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный.Дудкин В.А. Сероуглеродные пламена как активные среды химических СО лазеров / В. А. Дудкин, 1999. - 67 с. - Текст : непосредственный.Орловский Ю.В. Наносекундная безызлучательная релаксация энергии электронного возбуждения в лазерных кристаллах, активированных РЗ ионами : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Ю. В. Орловский, 1998. - 28 с. - Текст : непосредственный.Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный.Вахдани Могаддам Мехран.Динамика формирования нелинейного отклика и "обучение" самонакачивающихся ОВФ зеркал: петлевое и двойное ОВФ зеркала на титанате бария : специальность 01.04.21 "Лазерная физика" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Вахдани Могаддам Мехран, 2005. - 18 с. - Текст : непосредственный.Легкий В.Н. Малогабаритные генераторы накачки полупроводниковых лазеров / В. Н. Легкий, И. Д. Миценко, Б. В. Галун, 1990. - 215 с. - Текст : непосредственный.JAXA research and development report / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). RR-06-014E : High quality InxGa1-xAs (X:0.1-0.13) platy crystal growth for semiconductor laser substrates / K. Kinoshita [et al.], 2007. - 7 p. - Текст : непосредственный.Кадиева П.Г. Исследование влияния импульсно-периодической ионизации на характеристики непрерывного технологического СO -лазера с самостоятельным поперечным разрядом : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Г. Кадиева, 2002. - 18 с. - Текст : непосредственный.Ткачев А.Н. Кинетические модели релаксации плазмы и динамика многих частиц в лазерной физике : специальность 01.04.21 "Лазерная физика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-техн. наук / А. Н. Ткачев, 2002. - 47 с. - Текст : непосредственный.Прохождение оптического излучения через лазерно-активную жидкость, возбужденную осколками деления / А. Ф. Добровольский, В. В. Калинин, Е. А. Серегина, 1996. - 12 с. - Текст : непосредственный.Иванов В.Ю. Поляризационно-оптические методы исследования и контроля физико-технических характеристик поверхностных слоев элементов оптотехники / В. Ю. Иванов, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный.Жарихина Л.П. Кинетические, спектральные и пороговые характеристики перестраиваемых лазеров с сосредоточенной и распределенной обратной связью : специальность 01.04.21 "Лазерная физика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Л. П. Жарихина, 1993. - 20 с. - Текст : непосредственный.Круглов О.В. Разработка и исследование приборов для измерения оптических параметров и характеристик светодиодов / О. В. Круглов, 2011. - 22 с. - Текст : непосредственный.Свиридов Д.Е. Сканирующая зондовая микроскопия наноразмерных гетероструктур для полупроводниковых лазеров / Д. Е. Свиридов, 2011. - 17 с. - Текст : непосредственный.Наливко С.В. Генерационные характеристики многослойных квантоворазмерных лазерных гетероструктур : специальность 01.04.21 "Лазерная физика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Наливко, 1999. - 21 с. - Текст : непосредственный.Laser applications in life sciences : Book of abstracts:Moscow,USSR / The 3-rd International conference on laser scatering spectroscopy and diagnostics of biological objects. Vol. 1 : Invited papers, 1990. - 113 c. - Текст : непосредственный.Laser applications in life sciences : Book of abstracts:Moscow,USSR / The 3-rd International conference on laser scatering spectroscopy and diagnostics of biological objects. Vol. 2 : Posters, 1990. - 142 с. - Текст : непосредственный.Progress in nano-electro-optics IV / SpringerLink (Online service), 2005 r=on-line. - Текст : электронный.Photonic crystals / J. Lourtioz, V. Benisty, J. Berger [et al.], 2005 r=on-line. - Текст : электронный.Jaegle P. Coherent sources of XUV radiation / P. Jaegle, 2006 r=on-line. - Текст : электронный.
Показать все результатыБорзистая Е.Л. Прогнозирование условий жидкофазной гетероэпитаксии профилированных структур InP/Ga In P, As /nP для излучателей с 1,6 мкм : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / Е. Л. Борзистая, 1998. - 27 с. - Текст : непосредственный.Чапкевич А.Л. Исследование имплантационных методов формирования структур полупроводниковых СВЧ и фотодиодов : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. Л. Чапкевич, 2004. - 42 c. - Текст : непосредственный.Мармалюк А.А. Исследование и разработка процесса МОС-гидридной эпитаксии нитрида галлия : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / А. А. Мармалюк, 1998. - 24 с. - Текст : непосредственный.Болесов И.А. Исследования и разработка технологии изготовления PIN-фотодиодов на основе кремния с применением ионной имплантации : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / И. А. Болесов, 2004. - 22 с. - Текст : непосредственный.Чельный А.А. Исследование влияния легирования эмиттерных слоев на параметры диодных лазеров на основе твердых растворов AlGaAs и AlGaInP : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.03 / А. А. Чельный, 2005. - 18 c. - Текст : непосредственный.Забежайлов А.О. Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур A2B6 для лазеров видимого и среднего инфракрасного диапазонов : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / А. О. Забежайлов, 2008. - 16 с. - Текст : непосредственный.Борисов Б.А. Молекулярно-пучковая эпитаксия нитридов металлов для светодиодов ультрафиолетового диапазона : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.04 / Б. А. Борисов, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный.Жагиро П.В. Формирование и свойства пористого кремния и лавинных светоизлучающих структур на его основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.27.01 / П. В. Жагиро, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Glade M. Herstellung von Photodioden und Doppelheterostrukturlasern-eignung epitaktisch Abgeschiedener(InGa) (AsP)-Schichten : Diss. / M.Glade, 1991. - 85 S. - Текст : непосредственный.Ермошин И.Г. Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN, InxGa1-xN и AlxGa-xN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для светоизлучающих структур : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / И. Г. Ермошин, 2009. - 20 с. - Текст : непосредственный.Соболев Н.А. Физические основы инженерии дефектов в технологии кремниевых силовых высоковольтных и светоизлучающих структур : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / Н. А. Соболев, 2009. - 34 с. - Текст : непосредственный.Беришев И.Э. Разработка жидкофазной технологии изготовления мощных низкопороговых зарощенных InGaAsP/InP лазеров : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / И. Э. Беришев, 1993. - 18 с. - Текст : непосредственный.Талимов А.В. Исследование процессов формирования и защиты поверхности планарных P-N переходов и модернизации базовой технологии изготовления фотодиодов на основе InSb : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.27.06 / А. В. Талимов, 2001. - 19 с. - Текст : непосредственный.Moser M. Ordnungseffekte bei der Gasphasenepitaxie von GaInP/AlGaInP-Halbleiterlasern : Diss. / M.Moser, 1994. - 134 S. - Текст : непосредственный.Токранов В.Е. Молекулярно-лучевая эпитаксия низкоразмерных лазерных InGaAs/AlGaAs гетероструктур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / В. Е. Токранов, 2000. - 22 с. - Текст : непосредственный.Zundel M.K. MBE-Wachstum selbstorganisierender InP Quantenpunkte fur rot-emittierende LASER : Diss. / M.K.Zundel, 1999. - 122 S. - Текст : непосредственный.Трубенко П.А. Молекулярно-пучковая эпитаксия квантово-размерных структур на основе Zn-Se-содержащих соединений : Автореферет диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.21 / П. А. Трубенко, 1999. - 21 с. - Текст : непосредственный.Хвостиков В.П. Низкотемпературная жидкофазная эпитаксия А В - наногетероструктур и оптоэлектронных приборов на их основе : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / В. П. Хвостиков, 2003. - 38 с. - Текст : непосредственный.
Заказ фрагмента документа ₽