Полное описание
> Шипатов, Э. Т. Имплантация ионов в полупроводники : учеб.пособие для вузов / Э.Т.Шипатов. - Ульяновск : [б. и.], 1998. - 199 с. : ил. - 200 экз. - ISBN 5-88855-020-5. - Текст : непосредственный. В надзаг.:Ульян.гос.ун-т.Библиогр.:с.196-197 (28 назв.)
ГРНТИ УДК 47.13.33 621.315.592.002:669.046.516
Рубрики: Полупроводники -- Ионное внедрение
Кл.слова (ненормированные): ИОННОЕ ВНЕДРЕНИЕ
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д8-98/42621)>
Шифр в сводном ЭК: 6cab10e7b8d5fafd16431f59edc0edbd
Шипатов Э.Т. Ионно-лучевая модификация свойств металлов, сверхпроводников и пленок ферритов-гранатов : учебное пособие / Э. Т. Шипатов, 2007. - 111 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Калашников Е.Г. Взаимодействие жестких излучений с веществом. Рассеяние, торможение и пробеги заряженных частиц в веществе : Учеб. пособие для студентов вузов / Е.Г.Калашников,Э.Т.Шипатов, 1997. - 142 с. - Текст : непосредственный. Калашников, Е. Г. Взаимодействие жестких излучений с веществом : Учеб. пособие для студентов вузов. Ч. 2 : Ядерно-физические методы анализа твердых тел, 1998. - 148 с. - Текст : непосредственный. Шипатов Э.Т. Взаимодействие заряженных частиц с кристаллами : Учеб. пособие / Э.Т.Шипатов, 1997. - 123 с. - Текст : непосредственный. Шипатов Э.Т. Имплантация ионов в полупроводники : Учеб.пособие для вузов / Э.Т.Шипатов, 1998. - 199 с. - Текст : непосредственный. Андреевский, К. Н. История и методология физики : Учеб. пособие. Ч. 2 : Релятивистская и квантовая физика, 2004. - 237 с. - Текст : непосредственный. Калашников Е.Г. Ядерная физика твердого тела : Учеб. пособие для студентов вузов по физ. специальностям / Е.Г.Калашников,Э.Т.Шипатов, 2000. - 505 с. - Текст : непосредственный. Шипатов Э.Т. Методы ионной диагностики поверхности твердых тел и тонких пленок / Э.Т.Шипатов, 1999. - 216 с. - Текст : непосредственный. Андреевский, К. Н. История и методология физики : Учеб. пособие. 1 : Классическая механика, 2000. - 204 с. - Текст : непосредственный. Шипатов Э.Т. Ядерно-физические методы исследования взаимодействия точечных радиационных дефектов друг с другом и с атомами примесей в металлических кристаллах / Э. Т. Шипатов, 2011. - 158 с. - Текст : непосредственный. Frey H. Ionenstrahlgestutzte Halbleitertechnologie / H. Frey, 1992. - 131 S. - Текст : непосредственный. Зятьков И.И. Моделирование технологических процессов формирования полупроводниковых структур / И. И. Зятьков, Е. П. Юрченко, 1994. - 6 c. - Текст : непосредственный. Кривошеева А.Н. Процессы жидкостного химического травления в технологии микросистем. Жидкостное химическое травление полупроводниковых материалов : выставочные материалы / А. Н. Кривошеева, В. В. Лучинин, 2012. - 118 с. - Текст : непосредственный. Трунин Д.А. Физико-технические основы систем переноса изображения на эффекте обращения волнового фронта для микроэлектронной технологии : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Д. А. Трунин, 2003. - 22 с. - Текст : непосредственный. Смирнова Н.А. Разработка технологии изготовления подложек CdZnTe для выращивания гетероструктур CdHgTe/CdZnTe методом жидкофазной эпитаксии : специальность 05.17.01 "Технология неорганических веществ" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / Н. А. Смирнова, 2007. - 24 с. - Текст : непосредственный. Wissenschaftliche Berichte / FZKA. 7215 : Hochauflosende Rontgenlithografie zur Herstellung polymerer Submikrometerstrukturen mit grossem Aspektverhaltnis : Diss. / T.Mappes, S.Achenbach, J.Mohr, 2006. - IV, 71 S. - Текст : непосредственный. Молодечкина Т.В. Формирование легированных оксидов титана термолизом алкоксисоединений для компонентов электронной техники / Т. В. Молодечкина, 2004. - 21 с. - Текст : непосредственный. Рахматуллаев Х.Б. Процессы двухэлектронной локализации и делокализации на примесных атомах олова в узкозонных полупроводниках : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Х. Б. Рахматуллаев, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный. Кузнецов Г.Д. Ионно-плазменная обработка материалов : учебное пособие / Г. Д. Кузнецов, А. Р. Кушхов, 2008. - 179 с. - Текст : непосредственный. Смирнов В.А. Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе Si/SiO2/Ii : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / В. А. Смирнов, 2008. - 23 с. - Текст : непосредственный. Пархутик В.П. Плазменное анодирование : монография / В. П. Пархутик, В. А. Лабунов, 1990. - 280 c. - Текст : непосредственный. Бордусов С.В. Процессы и устройства СВЧ плазмохимиче ского удаления материалов при формировании изделий электронной техники : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / С. В. Бордусов, 2003. - 41 с. - Текст : непосредственный. Шипатов Э.Т. Ионно-лучевая модификация свойств металлов, сверхпроводников и пленок ферритов-гранатов : учебное пособие / Э. Т. Шипатов, 2007. - 111 с. - Текст : непосредственный. Ito H. Microlithography в· molecular imprinting / H. Ito, 2005 r=on-line. - Текст : электронный. Авдиенко А.А. Физико-технические принципы построения, разработка и применение высокоэнергетичных ионных имплантеров : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. А. Авдиенко, 2004. - 30 c. - Текст : непосредственный. Григорьев Д.В. Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структ урах Cd Hg Te, выращенных мет одом молекулярно-лучевой эпитаксии / Д. В. Григорьев, 2005. - 24 с. - Текст : непосредственный. Гниденко А.А. Исследование влияния давления на поведение гелия и водорода в кристаллическом кремнии / А. А. Гниденко, 2005. - 22 с. - Текст : непосредственный. Ion beam processing of advanced electronic materials : сборник научных трудов / Ed. N. W. Cheung, 1989. - XI, 401 p. 401 p. - Текст : непосредственный. Хмельницкий Р.А. Радиационное повреждение и графитизация алмаза при ионной имплантации / Р. А. Хмельницкий, 2008. - 19 с. - Текст : непосредственный. Дунаев А.В. Кинетика и механизмы взаимодействия неравновесной низкотемпературной плазмы хлора и хлороводорода с алюминием и арсенидом галлия / А. В. Дунаев, 2011. - 16 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Frey H. Ionenstrahlgestutzte Halbleitertechnologie / H. Frey, 1992. - 131 S. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Наумов В.И. Расчет режимов процесса легирования полупроводниковых материалов : Учеб.пособие для студ.спец."Материалы и компоненты твердотельной электроники"и"Электроника и микроэлектроника" / В.И.Наумов,Г.Л.Гольденберг, 1998. - 52 с. - Текст : непосредственный. Дефектообразование как механизм создания свободных и локализованных дырок в Na-легированных полупроводниках типа PbTe / Г.Т.Алексеева,Ю.А.Дегтярев,Т.В.Жукова и др., 1991. - 46 с. - Текст : непосредственный. Козловский В.В. Модифицирование полупроводников пучками протонов / В.В. Козловский; Отв. ред. Р.Ш. Малкович, 2003. - 268 с. - Текст : непосредственный. Шипатов Э.Т. Имплантация ионов в полупроводники : Учеб.пособие для вузов / Э.Т.Шипатов, 1998. - 199 с. - Текст : непосредственный. Суворинов А.В. Ионно-лучевая модификация материалов : Учеб. пособие / А.В.Суворинов, 1990. - 108 с. - Текст : непосредственный. Дмитриев Ю.Н. Термодинамика изовалентного легирования кристаллов полупроводниковых соединений типа A BYI / Ю. Н. Дмитриев, В. Д. Рыжиков, Л. П. Гальчинецкий, 1990. - 50 с. - Текст : непосредственный. Фотостимулированные процессы в светочувствительных системах ХСП-А / В.А.Данько,И.З.Индутный,О.П.Касярум и др., 1989. - 26 с. - Текст : непосредственный. Фистуль В.И. Атомы легирующих примесей в полупроводниках (состояние и поведение) : Монография / В.И.Фистуль, 2004. - 431 с. - Текст : непосредственный. Костикова Г.П. Химические процессы при легировании оксидов / Г.П.Костикова,Ю.П.Костиков, 1997. - 156 с. - Текст : непосредственный. Springer series in advanced microelectronics / ed. K. Itoh [et al.]. 19 : Gettering defects in semiconductors / V. A. Perevostchikov, V. D. Skoupov, 2005. - XV,386 p. - Текст : непосредственный. Реутов В.Ф. ПЭМ-изучение в геометрии "Cross-Section" структурных изменений в кремнии в результате последовательного облучения ионами N + He и Ar +He / В.Ф.Реутов,А.С.Сохацкий, 1997. - 10 с. - Текст : непосредственный. Козловский В.В. Легирование материалов А В радиационными дефектами : Препринт / В.В.Козловский,В.Н.Абросимова, 1991. - 31 с. - Текст : непосредственный. Марголин В.И. Основы нанотехнологии. Электронная литография и ионная имплантация : Учеб.пособие / В.И.Марголин,В.А.Тупик, 2000. - 55 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽