Полное описание
Дидык, А. Ю.
ГРНТИ УДК 29.19.31 537.311.322:539.16(04) 29.19.33 537.226:539.16(04)
Рубрики: Полупроводники -- Влияние ионизирующих излучений
Диэлектрики -- Влияние ионизирующих излучений
Доп. точки доступа: Сохацкий, А.С.
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Н/2509/Р14-2009-168)
Шифр в сводном ЭК: 8e24c6b5f1dee8c6a6ec902a0ed07d9a
Дидык А.Ю. Синтез микрочастиц в молекулярном водороде при давлении 1 КБАР в ядерных реакциях под действием тормозных v-квантов с пороговой энергией 10 МэВ. Химический состав и структуры на внутренних поверхностях компонентов камеры высокого давления / А. Ю. Дидык, Р. Вишневский, 2014. - 40 с. - Текст : непосредственный. Дидык А.Ю. Химический состав и структура синтезированных частиц на поверхности ННРС при ядерных реакциях при облучении тормозными v-квантами с пороговой энергией 10 МЭВ в молекулярном водороде при давлении 0.5 КБАР / А. Ю. Дидык, Р. Вишневский, 2014. - 23с. - Текст : непосредственный. Влияние облучения тяжелыми ионами высоких энергий на структурные изменения в аморфных сплавах / А. Ю. Дидык, Л. И. Иванов, В. К. Семина, А. Л. Суворов, 2002. - 11 с. - Текст : непосредственный. Дефектообразование в природном алмазе, облученном высокоэнергетичными ионами Ni / В. С. Вариченко, А. Ю. Дидык, В. А. Мартинович, 1995. - 11 c. - Текст : непосредственный. Микроструктура дефектов в имплантированных ионами высоких энергий слоях кремния при различных температурах отжига в вакууме / В. С. Вариченко, П. И. Гайдук, А. Ю. Дидык, Н. М. Казючиц, 1995. - 6 c. - Текст : непосредственный. Дидык А.Ю. Аналитическое сравнение эффектов непрерывного и импульсного воздействия ионного пучка при облучении металлов / А. Ю. Дидык, В. А. Кузьмин, 1995. - 12 c. - Текст : непосредственный. Микроструктура дефектов в имплантированных ионами высоких энергий слоях кремния при отжиге / В. С. Вариченко, П. И. Гайдук, А. Ю. Дидык, Н. М. Казючиц, 1995. - 10 c. - Текст : непосредственный. Дидык А.Ю. Синтез новых структур, образованных в результате ядерных реакций HHPC с давлением водорода 3,4 кбар, при облучении тормозными γ-квантами с пороговой энергией 10 МэВ / А. Ю. Дидык, Р. Вишневски, 2015. - 27 с. - Текст : непосредственный. Дидык А.Ю. Особенности взаимодействия нейтронов спектра деления реактора на быстрых нейтронах ИБР-2 с борсодержащими полупроводниковыми монокристаллами BN, BP (AIIIBV) и B4C (AIIIBIV) / А. Ю. Дидык, А. Х. Хофман, 2007. - 8 с. - Текст : непосредственный. Голубок Д.С. Расчет дозы повреждений в аморфном сплаве Fe Ni Si B, облученном нейтронами в реакторе ИБР / Д. С. Голубок, А. Ю. Дидык, А. Хофман, 2007. - 11 с. - Текст : непосредственный. Исследование температурных эффектов в модели термического пика в высокоориентированном пиролитическом графите при облучении тяжелыми ионами Kr и Bi высоких энергий / И. В. Амирханов, А. Ю. Дидык, Д. З. Музафаров [и др.], 2007. - 13 с. - Текст : непосредственный. Применение нелинейной модели термического пика для расчета температурных эффектов в двухслойных структурах при облучении их тяжелыми ионами высоких энергий / И. В. Амирханов, А. Ю. Дидык, Д. З. Музафаров [и др.], 2007. - 13 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Показать все результаты Модернизированная установка КОЛХИДА для исследования взаимодействия поляризованных нейтронов с поляризованными ядрами / М. И. Цулаиа, И. М. Саламатин, Д. Б. Бериков [и др.], 2016. - 16 с. - Текст : непосредственный. Пепелышев Ю.Н. Оценка параметров мощностной обратной связи реактора ИБР-2М с помощью прямоугольных колебаний реактивности / Ю. Н. Пепелышев, А. К. Попов, Д. Сумхуу, 2016. - 8 с. - Текст : непосредственный. Обнаружение магнитной нанорешетки в структуре Ta/V/Fe0,7 V0,3 /V/Fe0,7 V0,3 /Nb/Si с магнитными и сверхпроводящими слоями / Ю. В. Никитенко, Ю. Н. Хайдуков, Ф. Раду [и др.], 2014. - 12 с. - Текст : непосредственный. Савченко О.В. Рассмотрение возможности преобразования фазотрона ОИЯИ в сильноточных кольцевой циклотрон / О. В. Савченко, 2010. - 20 с. - Текст : непосредственный. Задача рассеяния для дифференциального уравнения четвертого порядка с малым параметром при старшей производной / И. В. Амирханов, Д. З. Музафаров, Н. Р. Саркар [и др.], 2010. - 8 с. - Текст : непосредственный. Зайцев Л.Н. Расчет и конструирование радиационной защиты нуклотрона-М на стадии технического задания на проектирование / Л. Н. Зайцев, 2010. - 8 с. - Текст : непосредственный. Фадеев Н.Г. Асимптотическая свобода в механике неупругих столкновений составных частиц при высоких энергиях / Н. Г. Фадеев, 2010. - 12 с. - Текст : непосредственный. Об эффекте ослабления пространственных флуктуационных колебаний оси лазерного луча в трубе с атмосферным воздухом / В. Ю. Батусов, Ю. А. Будагов, М. В. Ляблин, А. Н. Сисакян, 2009. - 12 с. - Текст : непосредственный. Численное моделирование испарения металлов под действием импульсных ионных пучков / И. В. Амирханов, Е. В. Земляная, И. В. Пузынин, Т. П. Пузынина, 2003. - 16 с. - Текст : непосредственный. Юревич В.И. Образование нейтронов в столкновениях ядер углерода с энергией 2 А ГэВ с ядрами С, А1, Cu, Cd и Pb / В. И. Юревич, Р. М. Яковлев ; , 2010. - 19 с. - Текст : непосредственный. Исследование решений краевых задач для квазипотенциального уравнения с использованием оператора сдвига / И. В. Амирханов, Д. З. Музафаров, Н. Р. Саркар [и др.], 2010. - 16 с. - Текст : непосредственный. Свинцово-графитовая установка "Гамма-3" для исследования трансмутации долгоживущих радионуклидов на пучках частиц нуклотрона ЛФВЭ ОИЯИ : препринт / И. Адам., В. А. Бабкин, Н. М. Владимирова [и др.], 2010. - 24 с. - Текст : непосредственный. Энергетическая зависимость полного сечения реакции ионов 4Не с кремнием / В. Ю. Угрюмов, И. В. Кузнецов, Э. Бялковский, А. Куглер, 2003. - 7 с. - Текст : непосредственный. Киселев М.А. Комбинированное применение нейтронного и синхротронного излучения для исследования влияния диметилсульфоксида на структуру и свойства везикул из дипальмитоилфосфатидилхолина / М. А. Киселев, 2003. - 16 с. - Текст : непосредственный. Лукьянов В.К. Полные сечения ядро-ядерных реакций в подходе Глаубера-Ситенко для реалистических распределений ядерной материи / В. К. Лукьянов, Е. В. Земляная, Б. Словинский, 2003. - 28 с. - Текст : непосредственный. Тимошенко Г.Н. Физические аспекты радиобиологических экспериментов на пучках релятивистских ядер нуклотрона / Г. Н. Тимошенко, В. П. Бамблевский, 2003. - 10 с. - Текст : непосредственный. Дидык А.Ю. Синтез новых структур, образованных в результате ядерных реакций HHPC с давлением водорода 3,4 кбар, при облучении тормозными γ-квантами с пороговой энергией 10 МэВ / А. Ю. Дидык, Р. Вишневски, 2015. - 27 с. - Текст : непосредственный. Кравец Л.И. Получение полимерных наноструктурных материалов / Л. И. Кравец, Н. А. Палистрант, 2009. - 10 с. - Текст : непосредственный. Стенд для моделирования и испытания магнитных элементов системы фокусировки и транспортировки пучка ускорителя ЛЭУ-200 установки ИРЕН / А. В. Калмыков, С. И. Кукарников, В. М. Лачинов [и др.], 2011. - 17 с. - Текст : непосредственный. Многослойный сцинтилляционный спектрометр заряженных пионов / В. А. Краснов, Л. В. Карнюшина, С. Н. Кузнецов [и др.], 2012. - 12 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный. Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный. Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный. Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный. Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный. Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный. Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный. Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный. Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный. Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный. JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный. Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный. Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный. Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный. Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный. Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный. La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный. Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный. Сельдюгаев О.Б. Влияние химического строения на процессы миграции носителей заряда в органических высокомолекулярных диэлектриках : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / О. Б. Сельдюгаев, 2002. - 18 с. - Текст : непосредственный. Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Эффекты кластеризации радиационных дефектов в полупроводниках под облучением / В. Т. Маслюк, А. А. Колб, А. П. Бутурлаки, Д. Б. Гоер, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный. Влияние условий облучения, типа и концентрации легирующих примесей на характеристики радиационных дефектов в антимониде индия при электронном облучении / Г. А. Вихлий, А. Я. Карпенко, П. Г. Литовченко, 1991. - 39 с. - Текст : непосредственный. Ахмадалиев А. Исследование кинетики образования и отжига радиационных дефектов в кремнии, легированном иридием / А. Ахмадалиев, К. А. Бегматов, Э. А. Мусаев, 1989. - 12 с. - Текст : непосредственный. Рудько В.Н. Резонансное плоскостное деканалирование в сверхрешетках с напряженными слоями / В. Н. Рудько, 1990. - 51 с. - Текст : непосредственный. Дидык А.Ю. Особенности взаимодействия нейтронов спектра деления реактора на быстрых нейтронах ИБР-2 с борсодержащими полупроводниковыми монокристаллами BN, BP (AIIIBV) и B4C (AIIIBIV) / А. Ю. Дидык, А. Х. Хофман, 2007. - 8 с. - Текст : непосредственный. Маслюк В.Т. Статистика радиационных дефектов в стационарных полях излучений / В. Т. Маслюк, 1991. - 11 с. - Текст : непосредственный. Радиационное дефектообразование в кристаллах при электронном облучении / Е. Ю. Брайловский, Д. Б. Гоер, Ю. И. Гутич, И. Г. Мегела, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный. Измерение длин деканалирования протонов с энергией 70 ГэВ в кристаллах кремния ориентации (110) и (111) / В. М. Бирюков, Н. А. Галяев, М. А. Гордеева, 1992. - 8 с. - Текст : непосредственный. Объемный захват протонов с энергией 70 ГэВ в режим каналирования изогнутыми монокристаллами кремния / Н. А. Галяев, В. Н. Запольский, В. И. Котов, 1990. - 13 c. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Объемное отражение 1 ГэВ протонов изогнутым кристаллом кремния / Ю. М. Иванов [и др.], 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный. Множественность заряженных частиц в ливнях от электронов, развивающихся в ориентированных кристаллах кремния и вольфрама / В. А. Басков [и др.], 2012. - 9 с. - Текст : непосредственный. Множественность заряженных частиц в ливнях от гамма-квантов, развивающихся в ориентированном кристалле вольфрама / В. А. Басков [и др.], 2005. - 11 с. - Текст : непосредственный. Применение электронной эмиссии на краях поглощения рентгеновского излучения для исследования профилей состава в GaAs, образующихся при бомбардировке ионами Ar+ / К.Ю.Погребицкий,И.П.Сошников,Н.А.Берт,Д.Ж.Сайфудинов, 1997. - 21 с. - Текст : непосредственный. Наблюдение отражения протонного пучка от изогнутых атомных плоскостей / Ю. М. Иванов [и др.], 2005. - 21 с. - Текст : непосредственный. Рязанов А.И. Разработка теоретической модели для расчета образования каскадов размножения выбитых электронов в кремнии при облучении его быстрым и электронами / А. И. Рязанов, Е. В. Семенов, Т. И. Могилюк, 2010. - 15 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
