Приложение
для AndroidПолное описание
Письменский, М. В. Технология получения тонкопленочных структур для оптоэлектроники на основе опытной установки ионно-лучевого осаждения : автореф. дис. ... канд. техн. наук: 05.27.06 / М. В. Письменский. - 2006. - 16 с : ил. - Библиогр.: с. 16(7 назв.). - Текст : непосредственный.
В надзаг.: Южно-Российский гос. техн. ун-т (Новочеркасский политехн. ин-т)
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33.33 | 621.383.002(043) |
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар06-14021)
Шифр в сводном ЭК: f870118dc8d89ee1c694c27d33060088
Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный.Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный.Иванов В.Ю. Поляризационно-оптические методы исследования и контроля физико-технических характеристик поверхностных слоев элементов оптотехники / В. Ю. Иванов, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный.Круглов О.В. Разработка и исследование приборов для измерения оптических параметров и характеристик светодиодов / О. В. Круглов, 2011. - 22 с. - Текст : непосредственный.Progress in nano-electro-optics IV / SpringerLink (Online service), 2005 r=on-line. - Текст : электронный.Photonic crystals / J. Lourtioz, V. Benisty, J. Berger [et al.], 2005 r=on-line. - Текст : электронный.Optical imaging sensors and systems for homeland security applications / SpringerLink (Online service), 2006 r=on-lineMid-infrared semiconductor optoelectronics / SpringerLink (Online service), 2006 r=on-lineProgress in nano-electro-optics V / SpringerLink (Online service), 2006 r=on-line. - Текст : электронный.Ukita H. Micromechanical photonics / H. Ukita, 2006 r=on-line. - Текст : электронный.Frontiers in surface nanophotonics / SpringerLink (Online service), 2007 r=on-lineSurface plasmon nanophotonics / SpringerLink (Online service), 2007 r=on-lineМеркишин Г.В. Шумы и оптимизация параметров фотоприемников / Г. В. Меркишин, 2002. - 41 с. - Текст : непосредственный.Ващенко А.А. Органические преобразователи света и светоизлучающие диоды на основе металлоорганических комплексов тербия и цинка : специальность 01.04.21 "Лазерная физика" : диссертация на соискание ученой степени канд. фз.-мат. наук / А. А. Ващенко, 2009. - 26 с. - Текст : непосредственный.Калимуллин Р.И. Взаимодействие акустических волн и лазерных пучков с индуцированными решетками и доменными структурами в сегнетополупроводниковых кристаллах ниобата лития : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра фз.-мат. наук / Р. И. Калимуллин, 2009. - 32 с. - Текст : непосредственный.Новиков С.Г. Позиционно- и координатно-чувствительные полупроводниковые фотоприемники с отрицательной дифференциальной проводимостью / С. Г. Новиков, Н. Т. Гурин, 2012. - 151 с. - Текст : непосредственный.Электролюминесцентные органические светодиоды на основе координационных соединений металлов / А. С. Бурлов, В. Г. Власенко, Д. А. Гарновский [и др.], 2015. - 232 с. - Текст : непосредственный.Кузнецов С.В. Синтез монокристаллов и нанопорошков твердых растворов фторидов щелочноземельных и редкоземельных металлов для фотоники : специальность 05.17.02 "Технология редких, рассеянных и радиоактивных элементов" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / С. В. Кузнецов, 2007. - 19 с. - Текст : непосредственный.Гуревич С.Б. Проблемы информационной оптоэлектроники / С. Б. Гуревич, Б. С. Гуревич, К. М. Жумалиев, 2008. - 209 с. - Текст : непосредственный.Кижаев С.С. Создание и исследование источников спонтанного излучения на основе узкозонных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. С. Кижаев, 2004. - 17 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыГиндин П.Д. Разработка новых технологий и оборудования на основе метода лазерного управляемого термораскалывания для обработки деталей приборостроения, микро- и оптоэлектроники : специальность 05.11.14 "Технология приборостроения" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / П. Д. Гиндин, 2010. - 43 с. - Текст : непосредственный.Грицкевич О.В. Исследования процессов формирования изображений произвольной геометрической формы и размеров на криволинейных поверхностях вращения с использованием лазерного излучения : специальность 01.04.05 "Оптика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук / О. В. Грицкевич, 1995. - 22 с. - Текст : непосредственный.Трофим В.Г. Жидкостная эпитаксия гетероструктур AlGaAs - GaAS из ограниченного объема расплава и создание фотопреобразователей излучения на их основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / В. Г. Трофим, 1990. - 34 с. - Текст : непосредственный.Петров Ю.В. Центры люминесценции, образующиеся в структурах Si-SiO2 в результате ионной имплантации и последующего отжига : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Петров, 2008. - 15 с. - Текст : непосредственный.Васильев В.И. Особенности эпитаксиального роста твердых растворов GaZnAsSb и AlGaAsSb из растворов-расплавов на основе сурьмы : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. И. Васильев, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Мустафаева Д.Г. Оптимизация технологии полупроводниковых пленочных преобразователей и повышение эффективности их производства : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / Д. Г. Мустафаева, 2002. - 23 с. - Текст : непосредственный.Менделева Ю.А. Люминесцентные свойства слоев кремния, наноструктурированных путем облучения ионами электрически неактивных элементов : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Ю. А. Менделева, 2007. - 20 с. - Текст : непосредственный.Стратейчук Д.М. Разработка технологических приемов получения фоточувствительных пленок на основе твердых растворов CdS 1-xSex : автореф. дис. .. канд. хим. наук: 05.27.06 / Д. М. Стратейчук, 2008. - 24 с. - Текст : непосредственный.Сахарова Т.В. Формирование гетероструктур InAs Sb B1 /InSb методом жидкофазной эпитаксии для фотоприемных устройств : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / Т. В. Сахарова, 1994. - 22 с. - Текст : непосредственный.Микаева С.А. Исследование и разработка технологии производства нового поколения люминесцентных ртутьсодержащих приборов : автореф. дис. .. д-ра техн. наук: 05.11.14 / С. А. Микаева, 2006. - 34 с. - Текст : непосредственный.Красовицкий Д.М. Закономерности пиролиза аммиакатов трихлоридов галлия и индия в процессе осаждения слоев GaN, InN In Ga N : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук: 05.27.06 / Д. М. Красовицкий, 1998. - 18 с. - Текст : непосредственный.Яблочкина Г.И. Оптимизация технологии процессов получения буферных слоев и защитных покрытий для фотоприемников на основе фосфида индия : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / Г. И. Яблочкина, 2002. - 24 с. - Текст : непосредственный.Лисицына Л.И. Повышение технологического уровня производства электронно-лучевых и фотоэлектронных приборов на основе новых физико-технологических решений : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук :05.27.02 / Л. И. Лисицына, 2000. - 36 с. - Текст : непосредственный.Армягова О.П. Исследование условий и разработка технологии получения эпитаксиальных структур антимонида индия для многоэлементных фотоприемников : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / О. П. Армягова, 1996. - 21 с. - Текст : непосредственный.Лунина М.Л. Гетероструктуры на основе висмутсодержащих твердых растворов А В, полученные методом зонной перекристаллизации градиентом температуры : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / М. Л. Лунина, 2008. - 21 с. - Текст : непосредственный.Подщипков Д.Г. Исследование процессов роста и свойств многокомпонентных полупроводников с заданной субструктурой в системах Ga-Sb-Bi, In-Sb-Bi и Ga-In-As-Sb-Bi : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / Д. Г. Подщипков, 2009. - 20 с. - Текст : непосредственный.Письменский М.В. Технология получения тонкопленочных структур для оптоэлектроники на основе опытной установки ионно-лучевого осаждения : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / М. В. Письменский, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Якорев С.Н. Элементы технологии формирования реальных поверхностей и границ рахдела в серийном производстве оптоэлектронных приборов на основе GaAs-AlGaAs : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / С. Н. Якорев, 1990. - 19 с. - Текст : непосредственный.Сысоев И.А. Метод зонной перекристаллизации градиентом температуры в технологии оптоэлектронных приборов на основе многокомпонентных полупроводниковых соединений А В : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / И. А. Сысоев, 1993. - 14 с. - Текст : непосредственный.Шкляев А.А. Поверхностные процессы при формировании плотных массивов и одиночных наноструктур германия и кремния : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.07 / А. А. Шкляев, 2007. - 33 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽