Полное описание
> Серегина, Е. В. Использование проекционного метода для математического моделирования стохастического распределения неосновных носителей заряда в полупроводниковых материалах : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук: 05.13.18 / Е. В. Серегина. - 2014. - 20 с. : ил. - Библиогр.: с. 14-16 (19 назв.). - 100 экз. - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.01.77 | 537.311.322(043) |
Кл.слова (ненормированные): ДИФФУЗИЯ ННЗ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ -- СКОРОСТЬ ПОВЕРХНОСТНОЙ РЕКОМБИНАЦИИ
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар14-15409)>
Шифр в сводном ЭК: d5f2dd617c76bd1fec92672a76a6ab35
Серегина Е.В. Институциональные эффекты брендинга на потребительском рынке : автореф. дис. .. канд. экон. наук: 08.00.05 / Е. В. Серегина, 2007. - 26 с. - Текст : непосредственный.Серегина Е.В. Применение высокоэффективной жидкостной хроматографии в контроле качества алкалоидов из группы тропана и их синтетических заменителей : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.фармацевт.наук:15.00.02 / Е. В. Серегина, 1995. - 22 с. - Текст : непосредственный.Серегина Е.В. Использование проекционного метода для математического моделирования стохастического распределения неосновных носителей заряда в полупроводниковых материалах : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 05.13.18 / Е. В. Серегина, 2014. - 20 с. - Текст : непосредственный.
Григоров И.В. Применение теории нелинейных волновых процессов в радиотехнике и телекоммуникациях / И. В. Григоров, С. М. Широков, 2006. - 350 с. - Текст : непосредственный.Голубенцев А.Ф. Введение в статистическую электронику / А. Ф. Голубенцев, Ю. И. Денисов, Л. М. Минкин, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный.Белов П.В. Статистическая радиотехника / П. В. Белов, А. В. Назаркин, Э. М. Черниговская, 2006. - 88 с. - Текст : непосредственный.Schubert M. Infrared ellipsometry on semiconductor layer structures / M. Schubert, 2005 r=on-line. - Текст : электронный.Анищенко Л.М. Автоматизированное проектирование и моделирование технологических процессов микроэлектроники / Л. М. Анищенко, С. Ю. Лавренюк, В. В. Петрухин, 1995. - 177 c. - Текст : непосредственный.Математическое моделирование физических процессов в полупроводниках и полупроводниковых приборах : материалы временных коллективов / Институт микроэкономики (Ярославль), 1990. - 119 c. - Текст : непосредственный.Казаков В.А. Введение в теорию марковских процессов и некоторые радиотехнические задачи, 1973. - 231 с. - Текст : непосредственный.Герман-Галкин С.Г. Компьютерное моделирование полупроводниковых систем в MATLAB 6.0 / С. Г. Герман-Галкин, 2001. - 320 с. - Текст : непосредственный.COMPEL : International Journal for Computation and Mathematics in Electrical and Electronic Engineering. - Журнал выходит с 1982г. r=on-line. - Текст : электронный.Кальней С.Г. Обыкновенные дифференциальные уравнения, их применение в электронике / С. Г. Кальней, Б. И. Фридлендер, 1997. - 306 с. - Текст : непосредственный.Ластовкин А.А. Исследование спектров излучения импульсных квантовых каскадных лазеров терагерцового диапазона и их применение для спектроскопии гетероструктур на основе HgTe/CdTe с квантовыми ямами. А. Ластовкин : специальность 01.04.03 "Радиофизика", 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. А. Ластовкин, 2014. - 18 с. - Текст : непосредственный.Худяков Г.И. Статистическая теория радиотехнических систем : учебное пособие / Г. И. Худяков, 2009. - 397 с. - Текст : непосредственный.Токарев А.Б. Статистическая радиотехника : выставочные материалы / А. Б. Токарев, 2015. - 210 с. - Текст : непосредственный.Федоров В.А. Анализ и исследование полупроводниковых материалов : учебное пособие / В. А. Федоров, Н. Т. Кузнецов, 2008. - 84 с. - Текст : непосредственный.Molenaar J. Non-linear multigrid in 2-D semiconductor device simulation:the zero current case / J. Molenaar, 1989. - 15 p. - Текст : непосредственный.Molenaar J. multigrid approach for the solution of the 2D semiconductor equations / J. Molenaar, P. W. Hamker, 1990. - 18 p. - Текст : непосредственный.Инженерные исследования радиоэлектронных систем : учебное пособие / В. В. Смирнов, В. А. Иванов, М. В. Вишенцев, Н. В. Сотникова, 2008. - 83 с. - Текст : непосредственный.Радчук Н.Б. Стандартизация, сертификация. метрология и технические измерения параметров полупроводниковых материалов : выставочные материалы / Н. Б. Радчук, А. Ю. Ушаков, 2013. - 103 с. - Текст : непосредственный.Cole E. Mathematical and numerical modelling of heterostructure semiconductor devices: from theory to programming / E. Cole, 2009 r=on-line. - Текст : электронный.Сергеев В.А. Нелинейные тепловые модели полупроводниковых приборов / В. А. Сергеев, А. М. Ходаков, 2012. - 159 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыФилатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный.Ефимкин Д.К. Коллективные и транспортные явления в графене и топологических изоляторах / Д. К. Ефимкин, 2012. - 28 с. - Текст : непосредственный.Суховеев В.А. Выращивание кристаллов и эпитаксиальных слоев нитрида галлия из растворов-расплавов и исследование их физических свойств : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Суховеев, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный.Палажченко В.И. Особенности внутрикристаллического строения монокристаллов твердых растворов висмута с элементами 1У и У1 групп таблицы Д.И.Менделеева : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. И. Палажченко, 1998. - 21 с. - Текст : непосредственный.Ананичев В.А. Получение халькогенидных стекол и исследование их строения методом объемной дилатометрии : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. А. Ананичев, 2004. - 34 c. - Текст : непосредственный.Басалаев Ю.М. Электронное строение, химическая связь и оптические свойства некоторых рядов алмазоподобных соединений : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Ю. М. Басалаев, 2009. - 44 с. - Текст : непосредственный.Gobel A. Effects of the isotopic composition on vibronic and electronic properties of semiconductors / A. Gobel, 1998. - XVII,235 p. p. - Текст : непосредственный.Куокштис Э.П. Динамика коллективных эффектов в сильно возбужденных полупроводниках : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Э. П. Куокштис, 1990. - 30 с. - Текст : непосредственный.Будагян Б.Г. Структурно-релаксационные процессы и закономерности эволюции физических свойств неупорядоченных полупроводников : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / Б. Г. Будагян, 1992. - 40 с. - Текст : непосредственный.Кузнецова Т.А. Синтез и свойства кристаллов теллурида свинца, легированных переходными металлами (Со,Ni) : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.хим.наук / Т. А. Кузнецова, 1994. - 13 с.:ил. - Текст : непосредственный.Титов А.А. Электронные свойства и моделирование разбавленных магнитных полупроводников: Ga1-xMnxN, Ga1-xMnxAs, Ge1-xMnx : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. А. Титов, 2006. - 21 с. - Текст : непосредственный.Антонова Н.Е. Электродные и электрорезистивные свойства халькогенидных стеклообразных сплавов систем As - Ge - Te, Tl - Ge - Te, Cu - As - Te, Cu - As - Se в условиях их коррозии : специальность 05.17.03 "Технология электрохимических процессов и защита от коррозии" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Н. Е. Антонова, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный.Богатов Н.М. Влияние объемных неоднородностей на параметры полупроводниковых структур : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / Н. М. Богатов, 1999. - 31 с. - Текст : непосредственный.Суворова Н.А. Влияние изоэлектронного легирования оловом и кислородом на энергетический спектр селенида свинца по данным оптического поглощения : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Н. А. Суворова, 1996. - 16 с. - Текст : непосредственный.Веденеев А.С. Явления переноса и локализации носителей заряда в квазидвумерных электронных системах с концентрационно-контролируемой статистической неупорядоченностью : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / А. С. Веденеев, 1995. - 44 с. - Текст : непосредственный.Герман Е.П. Хвосты плотности состояний и эффект Холла в некристаллических веществах : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Герман, 1995. - 22 с. - Текст : непосредственный.Лифшиц М.Б. Влияние анизотропии упругих свойств на спинодальный распад в твердых растворах полупроводников типа А В и А В : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / М. Б. Лифшиц, 2002. - 18 с. - Текст : непосредственный.Решанов С.А. Получение и исследование полуизолирующего монокристаллического карбида кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. А. Решанов, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный.Зиновьева А.Ф. Спиновая релаксация в массивах туннельно-связанных Ge/Si квантовых точек : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ф. Зиновьева, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽