Приложение
для AndroidПолное описание
Дайнеко, С. В. Фотовольтаические структуры на основе органических полупроводников и квантовых точек CdSe : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук: 01.04.21, 01.04.07 / С. В. Дайнеко. - 2014. - 22 с. : ил. - Библиогр.: с. 20-22. - Тираж не указ. - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.09.29 | 621.383-03(043) |
Кл.слова (ненормированные): СОЛНЕЧНАЯ БАТАРЕЯ -- СПЕКТР ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ КТ
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар14-15127)
Шифр в сводном ЭК: 62b7590eff7d1da0068ee2444d422771
Перминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Кажева О.Н. Синтез и строение новых молекулярных проводников на основе катион-радикальных солей с анионами, содержащими ртуть и редкоземельные элементы : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / О. Н. Кажева, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный.Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Егоров А.Ю. Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Ю. Егоров, 2011. - 40 с. - Текст : непосредственный.Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный.Варлачев В.А. Нейтронное трансмутационное легирование кремния в бассейновом исследовательском ядерном реакторе / В. А. Варлачев, 2015. - 48 с. - Текст : непосредственный.Кремний-2004 : материалы временных коллективов / Институт геохимии им. А. П. Виноградова (Иркутск), 2004. - 244 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1506) : Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1970-1988 гг. / К.П.Николаев,Л.И.Немировский, 1989. - 60 с. - Текст : непосредственный.Талипов Н.Х. Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xTe радиационно-термическими воздействиями / Н. Х. Талипов, 2015. - 46 с. - Текст : непосредственный.Новые магнитные материалы микроэлектроники, 2000. - 889 с. - Текст : непосредственный.Столяров С.М. Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А В с заданными свойствами : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. М. Столяров, 1998. - 15 с. - Текст : непосредственный.Воробьев В.В. Нерасходящееся излучение пучков заряженных частиц в присутствии планарных и объемных периодических структур из параллельных проводников / В. В. Воробьев, 2016. - 19 с. - Текст : непосредственный.INFOS 2007 : материалы временных коллективов / Conference on insulating films on semiconductors (15th ; 2007 ; Glyfada Athens), 2007. - XII, 1845-2439 p. - Текст : непосредственный.Усеинов А.С. Измерение модуля упругости высокотемпературных полупроводниковых материалов и других твердых тел методом сканирующей силовой микроскопии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Усеинов, 2004. - 25 с. - Текст : непосредственный.Карасева Т.В. Размерная обработка кремния и оценка технологических погрешностей : выставочные материалы / Т. В. Карасева, 2014. - 126 с. - Текст : непосредственный.Земцов А.Е. Создание новой полупроводниковой системы GaAs-CdS и изучение ее поверхностных физико-химических свойств : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / А. Е. Земцов, 2004. - 19 с. - Текст : непосредственный.Новоселова А.В. Термодинамика и материаловедение полупроводников / А. В. Новоселова, А. В. Новоселова, В. М. Глазов, Н. А. Смирнова ; карт. В. М. Глазов, 1992. - 391 с. - Текст : непосредственный.-V semiconductor materials and devices / Ed. R. J. Malik, 1989. - IX,727 p. p. - Текст : непосредственный. Фарид Нассур ибн Ханна.Влияние технологических примесей на оптические и электрические свойства монокристаллов Si,подвергнутых термообработке : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Фарид Нассур ибн Ханна, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЕгоров А.Ю. Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Ю. Егоров, 2011. - 40 с. - Текст : непосредственный.Сычев М.М. Научные основы управления свойствами композиционных пленок для электролюминесцентных устройств : специальность 02.00.21 "Химия твердого тела" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / М. М. Сычев, 2013. - 40 с. - Текст : непосредственный.
Лазарев Н.М. Термохимические свойства летучих хелатных комплексов лантаноидов, лития и цинка, как перспективных материалов для оптоэлектроники / Н. М. Лазарев, 2017. - 24 с. - Текст : непосредственный.Сысоева С.Г. Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/CaN при облучении сильноточным электронным пучком / С. Г. Сысоева, 2018. - 23 с. - Текст : непосредственный.Шарофидинов Ш.Ш. Получение и исследование слоев нитрида галлия и алюминия методом хлорид-гидридной эпитаксии для приборов электроники и оптоэлектроники : автореф. дис. .. канд. техн. наук, 05.11.07 / Ш. Ш. Шарофидинов, 2018. - 19 с. - Текст : непосредственный.Степанов А.А. Прозрачные наносетчатые алюминиевые пленки с рельефной поверхностью для элементов и устройств оптоэлектроники : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / А. А. Степанов, 2012. - 26 с. - Текст : непосредственный.Санникова Н.А. Аналитическое моделирование инжекции и транспорта носителей заряда в тонких слоях органических материалов : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / Н. А. Санникова, 2016. - 23 с. - Текст : непосредственный.Аль-Обайди Надир Джасим Мохаммед.Зависимость электрических и люминесцентных свойств эпитаксиальных слоев оксида цинка от условий осаждения и уровня легирования атомами галлия : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.04 / автореф. дис. на соиск. ученой степ. канд. физ.-мат. наук :01.04.04, 2012. - 19 с. - Текст : непосредственный.Кутьин Ю.С. Природа и структура ряда примесных центров в ZnO по данным высокочастотной спектроскопии ЭПР/ДЭЯР : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / Ю. С. Кутьин, 2014. - 24 с. - Текст : непосредственный.Марин Д.В. Оптические свойства нанокристаллов германия в пленках оксида германия : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Д. В. Марин, 2013. - 19 с. - Текст : непосредственный.Колдунов Л.М. Наведенное поглощение лазерного излучения соединениями фталоцианинового ряда в композите нанопористое стекло-полимер : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.21 / Л. М. Колдунов, 2017. - 19 с. - Текст : непосредственный.Строганова Е.В. Исследование, синтез и выращивание оптических градиентно-активированных кристаллов на основе ниобата лития : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.05 / Е. В. Строганова, 2017. - 41 с. - Текст : непосредственный.Миловзоров Д.Е. Резонансные процессы фотостимулированного излучения пленок гидрогенизированного и фторированного нанокристаллического кремния : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / Д. Е. Миловзоров, 2014. - 31 с. - Текст : непосредственный.Шабсельс Б.М. Монодисперсные полимерные частицы с функциональными группами для создания трехмерно-упорядоченных матриц : автореф. дис. .. канд. хим. наук: 02.00.06 / Б. М. Шабсельс, 2012. - 23 с. - Текст : непосредственный.Бруевич В.В. Спектроскопия комбинационного рассеяния комплексов с переносом заряда полупроводниковых полимеров : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.21 / В. В. Бруевич, 2011. - 19 с. - Текст : непосредственный.Курочкина М.А. Оптические свойства композитов на основе нематических жидких кристаллов с квантовыми точками CdSe/ZnS : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.05 / М. А. Курочкина, 2016. - 19 с. - Текст : непосредственный.Дайнеко С.В. Фотовольтаические структуры на основе органических полупроводников и квантовых точек CdSe : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.21, 01.04.07 / С. В. Дайнеко, 2014. - 22 с. - Текст : непосредственный.Королев Д.С. Влияние примесей на дислокационную люминесценцию в кремнии, имплантированном ионами Si+ : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / Д. С. Королев, 2018. - 21 с. - Текст : непосредственный.Богинская И.А. Металлополимерный нанокомпозит на основе полипараксилилена и наночастиц серебра для оптоэлектроники : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.17.06, 05.16.06 / И. А. Богинская, 2012. - 25 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽