Полное описание

Favre, J. Etude des defauts d'irradiation par mesure in situ de l'effet hall dans les semi-conducteurs a faible largeur de bande interdite : diss.Mfiche(3) / J.Favre. - Gif-sur-Yvette, 1991. - 200 мкфш. : ill. - (Rapport / CEA ; r-5542). - Текст : непосредственный.
Библиогр.в книге

ГРНТИ	УДК
29.19.31	537.311.322:539.16(043)
	537.311.322:537.633.2(043)

Рубрики:
Полупроводники -- Влияние ионизирующих излучений

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): MF-92-16026)

Шифр в сводном ЭК: b80e9704c7f5f40cee843423f0dbc760

Заказать
Заказ фрагмента документа ₽